Projects funded by the NCN

Optimizing the epitaxial growth of niobium nitride for superconducting electronic applications

Call: SONATINA 9 , Panel: ST5

Principal investigator: dr Artur Paweł Lachowski

Instytut Wysokich Ciśnień PAN

Two-dimensional boron nitride: a game-changer for ultrafast lasers in portable applications?

Call: OPUS 26 , Panel: ST7

Principal investigator: dr hab. Mariusz Klimczak

Uniwersytet Warszawski, Wydział Fizyki

Thin films of transition metal dichalcogenides. The influence of the substrate on the MoTe2 structure, morphology and ma...

Call: PRELUDIUM 20 , Panel: ST5

Principal investigator: Zuzanna Wiktoria Ogorzałek-Sory

Uniwersytet Warszawski, Wydział Fizyki

As-induced VLS-MBE growth of dodecagonal GaN microrods

Call: PRELUDIUM 19 , Panel: ST5

Principal investigator: Paulina Ada Ciechanowicz

Sieć Badawcza ŁUKASIEWICZ - PORT Polski Ośrodek Rozwoju Technologii

Epitaxial boron nitride - universal platform for novel van der Waals structures

Call: OPUS 17 , Panel: ST5

Principal investigator: prof. Andrzej Stefan Wysmołek

Uniwersytet Warszawski, Wydział Fizyki

Investigation of intermixing in single quantum well and multi0quantum well structures of ZnO/ZnMg(Cd)O

Call: SONATINA 2 , Panel: ST3

Principal investigator: dr Marcin Sebastian Stachowicz

Instytut Fizyki PAN

Magnetoresistive effects in nanostructures of (Ga,Mn)(Bi,As) ferromagnetic semiconductor

Call: PRELUDIUM 12 , Panel: ST3

Principal investigator: Khrystyna Levchenko

Instytut Fizyki PAN

Investigation of transport and fluctuation phenomena in HgCdTe heterostructures by usin advanced numerical analysis cone...

Call: OPUS 12 , Panel: ST7

Principal investigator: dr hab. Krzysztof Damian Jóźwikowski

Wojskowa Akademia Techniczna im. Jarosława Dąbrowskiego, Wydział Nowych Technologii i Chemii

MBE growth and submicron imaging of local electronic and optical processes in nitride semiconductor nanostructures

Call: OPUS 11 , Panel: ST5

Principal investigator: prof. Bogdan Jerzy Kowalski

Instytut Fizyki PAN

Application of electron diffraction RHEED and mass spectroscopy QMS for in-situ analysis of nucleation and MBE growth of...

Call: PRELUDIUM 11 , Panel: ST3

Principal investigator: dr Marta Maria Sobańska

Instytut Fizyki PAN

Suppression of leakage currents in high operating temperatures (HOT) InAsSb bariode on GaAs substrates obtained via mole...

Call: PRELUDIUM 10 , Panel: ST7

Principal investigator: Krystian Michalczewski

Wojskowa Akademia Techniczna im. Jarosława Dąbrowskiego, Wydział Nowych Technologii i Chemii

Research on MBE heteroepitaxy III-V epilayers on GaAs substrates

Call: OPUS 9 , Panel: ST5

Principal investigator: prof. Antoni Rogalski

Wojskowa Akademia Techniczna im. Jarosława Dąbrowskiego, Wydział Nowych Technologii i Chemii

Investigation of mechanisms of strain relaxation in GaSb layers deposited on GaAs substrates by molecular beam epitaxy.

Call: OPUS 6 , Panel: ST7

Principal investigator: dr hab. Agata Jasik

Instytut Technologii Elektronowej

Terahertz plasma instabilities in nitrides nanostructures

Call: HARMONIA 5 , Panel: ST3

Principal investigator: prof. Czesław Dariusz Skierbiszewski

Instytut Wysokich Ciśnień PAN

ZnO quantum wells in ZnMgO nanocolumns grown on selected substrates with MBE technique

Call: SONATA 5 , Panel: ST5

Principal investigator: dr Mieczysław Antoni Pietrzyk

Instytut Fizyki PAN

Design, modeling and MBE fabrication of LWIR HgCdTe barrier detectors

Call: HARMONIA 4 , Panel: ST7

Principal investigator: dr hab. Krzysztof Damian Jóźwikowski

Wojskowa Akademia Techniczna im. Jarosława Dąbrowskiego, Wydział Nowych Technologii i Chemii

Terahertz emission from field-effect transistors

Call: OPUS 2 , Panel: ST7

Principal investigator: dr hab. Jerzy Łusakowski

Uniwersytet Warszawski

Microscopic growth mechanism of InGaN layers and its influence on indium content fluctuations

Call: PRELUDIUM 2 , Panel: ST3

Principal investigator: Henryk Maciej Turski

Instytut Wysokich Ciśnień PAN