Projects funded by the NCN

Information on the principal investigator and host institution

Information of the project and the call

Keywords

Equipment

Delete all

Investigation of mechanisms of strain relaxation in GaSb layers deposited on GaAs substrates by molecular beam epitaxy.

2013/11/B/ST7/04341

Keywords:

MBE GaSb/GaAs misfit dislocations two-dimensional growth mode

Descriptors:

  • ST3_7: Spintronics
  • ST7_5: Micro- and nanelectronic, optoelectronic and photonic components

Panel:

ST7 - Systems and communication engineering: electronics, communication, optoelectronics

Host institution :

Instytut Technologii Elektronowej

woj. mazowieckie

Other projects carried out by the institution 

Principal investigator (from the host institution):

dr hab. Agata Jasik 

Number of co-investigators in the project: 8

Call: OPUS 6 - announced on 2013-09-16

Amount awarded: 1 499 040 PLN

Project start date (Y-m-d): 2014-08-27

Project end date (Y-m-d): 2018-02-26

Project duration:: 42 months (the same as in the proposal)

Project status: Project settled

Equipment purchased [PL]

  1. Mikroskop optyczny z kontrastem Nomarskiego (450 000 PLN)
  2. Komputer przenośny Picasso (2 069 PLN)
  3. Kwadrupolowy spekrometr masowy (118 000 PLN)
  4. Zestaw komputerowy wraz z wyposażeniem i akcesoriami (7 000 PLN)

Information in the final report

  • Publication in academic press/journals (12)
  • Articles in post-conference publications (1)
  1. Influence of Be doping placement in InAs/ GaSb superlattice-based absorber on the performance of MWIR photodiodes
    Authors:
    K Czuba, I Sankowska, J Jureńczyk, A Jasik, E Papis-Polakowska and J Kaniewski
    Academic press:
    Semiconductor Science and Technology (rok: 2017, tom: 32, strony: 055010 (9pp)), Wydawca: IOP Publishing Ltd
    Status:
    Published
    DOI:
    10.1088/1361-6641/aa62c0 - link to the publication
  2. Absorption and dispersion in undoped epitaxial GaSb layer
    Authors:
    Michał Wasiak , Marcin Motyka, Tristan Smołka, Jacek Ratajczak and Agata Jasik
    Academic press:
    Materials Research Express (rok: 2018, tom: 5, strony: 25907), Wydawca: IOP Publishing
    Status:
    Published
    DOI:
    10.1088/2053-1591/aaae86 - link to the publication
  3. Below-band-gap absorption in undoped GaAs at elevated temperatures
    Authors:
    Michał Wasiak, Jarosław Walczak, Marcin Motyka, Filip Janiak, Artur Trajnerowicz, Agata Jasik
    Academic press:
    Optical Materials (rok: 2017, tom: 64, strony: 137-141), Wydawca: Elsevier
    Status:
    Published
    DOI:
    10.1016/j.optmat.2016.11.028 - link to the publication
  4. Comprehensive investigation of the interfacial misfit array formation in GaSb/GaAs material system
    Authors:
    Agata Jasik, Iwona Sankowska, Andrzej Wawro, Jacek Ratajczak, Rafał Jakieła, Dorota Pierścińska, Dariusz Smoczyński, Krzysztof Czuba, Kazimierz Regiński
    Academic press:
    Applied Physics A (rok: 2018, tom: 124:512, strony: 12pp), Wydawca: Springer
    Status:
    Published
    DOI:
    10.1007/s00339-018-1931-8 - link to the publication
  5. Atomically smooth interfaces of type-II InAs/GaSb superlattice on metamorphic GaSb buffer grown in 2D mode on GaAs substrate using MBE
    Authors:
    A. Jasik, I. Sankowska, J. Ratajczak, A. Wawro, D. Smoczyński, K. Czuba, M. Wzorek
    Academic press:
    Current Applied Physics (rok: 2019, tom: 19, strony: 120-127), Wydawca: Elsevier
    Status:
    Published
    DOI:
    10.1016/j.cap.2018.11.017 - link to the publication
  6. Detektory na bazie supersieci II rodzaju InAs/GaSb dla zakresu promieniowania średniej podczerwieni
    Authors:
    J. Kaniewski, A. Jasik, I. Sankowska, K. Czuba, E. Papis-Polakowska, J. Jureńczyk, M. Sakowicz, K. Regiński
    Academic press:
    Elektronika (rok: 2016, tom: LVII, strony: 27-34), Wydawca: SIGMA-NOT Sp. z o.o.
    Status:
    Published
    DOI:
    10.15199/13.2016.8.3 - link to the publication
  7. Noise and detectivity of InAs/GaSb T2SL 4.5 μm IR detectors
    Authors:
    Andrzej Kolek, Łukasz Ciura, Krzysztof Czuba, Agata Jasik, Jarosław Jureńczyk, Iwona Sankowska, and Janusz Kaniewski
    Academic press:
    Proceedings of SPIE (rok: 2017, tom: 10404, strony: 1040402-1 - 1040402-10), Wydawca: SPIE
    Status:
    Published
    DOI:
    10.1117/12.2272722 - link to the publication
  8. LT-AlSb interlayer as a filter of threading dislocations in GaSb grown on (001) GaAs substrate using MBE
    Authors:
    Agata Jasik, Jacek Ratajczak, Iwona Sankowska, Andrzej Wawro, Dariusz Smoczyński, Krzysztof Czuba
    Academic press:
    Material Science and Engeneering B (rok: 2019, tom: -, strony: 12), Wydawca: Elsevier
    Status:
    Submitted
    DOI:
    brak - link to the publication
  9. Detektory supersieciowe InAs/GaSb ˗ wybrane aspekty technologii wytwarzania
    Authors:
    K. Czuba, I. Sankowska, A. Jasik, J. Jureńczyk, E. Papis-Polakowska, P. Kaźmierczyk, J. Kaniewski
    Academic press:
    Elektronika (rok: 2016, tom: LVII, strony: 45360), Wydawca: SIGMA-NOT Sp. z o.o.
    Status:
    Published
    DOI:
    10.15199/13.2016.9.1 - link to the publication
  10. Evaluation of dislocation density in IMF-GaSb films grown on (100) GaAs substrate using molecular beam epitaxy
    Authors:
    D. Smoczyński, I. Sankowska, A. Wawro, J. Ratajczak, K. Czuba, A. Jasik
    Academic press:
    Materials Science and Engineering B (rok: 2019, tom: -, strony: pp. 17), Wydawca: Elsevier
    Status:
    Submitted
    DOI:
    brak - link to the publication
  11. GaSb Layers With Low Defect Density Deposited On (001) GaAs Substrate In Two-Dimensional Growth Mode Using Molecular Beam Epitaxy
    Authors:
    Agata Jasik, Iwona Sankowska, Andrzej Wawro, Jacek Ratajczak, Dariusz Smoczyński, Krzysztof Czuba
    Academic press:
    Current Applied Physics (rok: 2019, tom: 19, strony: 542-547), Wydawca: Elsevier
    Status:
    Published
    DOI:
    10.1016/j.cap.2019.02.012 - link to the publication
  12. Surface passivation of (100) GaSb using self-assembled monolayers of long-chain octadecanethiol
    Authors:
    E. Papis-Polakowska, J. Kaniewski, J. Jurenczyk, A. Jasik, K. Czuba, A.E. Walkiewicz,J. Szade
    Academic press:
    AIP Advances (rok: 2016, tom: 6, strony: 55206), Wydawca: AIP Publishing
    Status:
    Published
    DOI:
    10.1063/1.4949754 - link to the publication
  1. Detektory supersieciowe InAs/GaSb na zakres średniej podczerwieni
    Authors:
    A. Jasik, I. Sankowska, K. Czuba, E. Papis-Polakowska, M. Sakowicz, J. Kaniewski
    Conference:
    II Konferencja Optoelektroniczna (rok: 2016, ), Wydawca: PCO S.A., PPTF, WAT, PW
    Data:
    konferencja 12-13.10.2016
    Status:
    Published

O Narodowym Centrum Nauki

Finansowanie nauki

Współpraca zagraniczna

Centrum prasowe

Deklaracja dostępności
Przetwarzanie danych osobowych
Polityka cookies

Partnerzy