Projects funded by the NCN

Graphitization of the surface of silicon carbide in the flux of silicon atoms

Call: PRELUDIUM 8 , Panel: ST5

Principal investigator: Piotr Ciochoń

Uniwersytet Jagielloński, Wydział Fizyki, Astronomii i Informatyki Stosowanej

The correlation between interphase morphology and heat transfer in Cu-SiC composites in function of the form of reinforc...

Call: OPUS 7 , Panel: ST8

Principal investigator: dr hab. Katarzyna Pietrzak

Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych

Application of computational physics to study the influence of structural defects on the properties of silicon carbide d...

Call: OPUS 5 , Panel: ST7

Principal investigator: prof. Włodzimierz Nakwaski

Politechnika Łódzka, Wydział Elektrotechniki, Elektroniki, Informatyki i Automatyki

Ultra-shallow plasma ion implantation for technology of advanced MOS/MOSFET structures fabricated on silicon and silicon...

Call: SONATA 1 , Panel: ST7

Principal investigator: dr Małgorzata Kalisz

Politechnika Warszawska, Wydział Elektroniki i Technik Informacyjnych

Influence of phosphorus on electro-physical properties of dielectric layers obtained by thermal oxidation of 4H-SiC

Call: PRELUDIUM 3 , Panel: ST7

Principal investigator: Krystian Król

Politechnika Warszawska, Wydział Elektroniki i Technik Informacyjnych

Research and development of multi-objective optimization procedures for modern AC-DC converters in particular for renewa...

Call: OPUS 3 , Panel: ST7

Principal investigator: prof. Marian Kaźmierkowski

Politechnika Warszawska, Wydział Elektryczny

Ultrafast, selective and highly efficient synthesis of silicon carbide nanofibres from carbon oxides

Call: PRELUDIUM 2 , Panel: ST5

Principal investigator: Michał Soszyński

Uniwersytet Warszawski, Wydział Chemii

Influence of the silicon carbide and the dielectric passivation defect structure on high-temperature electrical properti...

Call: OPUS 17 , Panel: ST3

Principal investigator: dr Tymoteusz Ciuk

Sieć Badawcza ŁUKASIEWICZ - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych

Medium voltage power conversion with Silicon Carbide power devices

Call: OPUS 14 , Panel: ST7

Principal investigator: dr hab. Jacek Rąbkowski

Politechnika Warszawska, Wydział Elektryczny

Resonant multilevel switched capacitor DC-DC converter with MOSFET WBG transistors made of Silicon Carbide.

Call: PRELUDIUM 11 , Panel: ST7

Principal investigator: Adam Kawa

Akademia Górniczo-Hutnicza im. Stanisława Staszica w Krakowie, Wydział Elektrotechniki, Automatyki, Informatyki i Inżynierii Biomedycznej

Research on power electronic converters with impedance source and Silicon Carbide power devices

Call: OPUS 10 , Panel: ST7

Principal investigator: dr hab. Jacek Rąbkowski

Politechnika Warszawska, Wydział Elektryczny