Projekty finansowane przez NCN
Zastosowanie implantacji jonów w celu domieszkowania oraz wytworzenia obszarów o wysokiej rezystywności na potrzeby tranzystorów HEMT AlGaN/GaN
2015/19/D/ST7/02736
Słowa kluczowe:
AlGaN/GaN HEMT implantacja jonów izolacja defekty strukturalne domieszkowanie wygrzewanie właściwości elektryczne
Deskryptory:
- ST7_5: Mikro- i nanoelektronika, optoelektronika
- ST7_6: Technologie telekomunikacyjne, technologie wysokiej częstotliwości
Panel:
ST7 - Inżynieria systemów i komunikacji: elektronika, komunikacja, optoelektronika
Jednostka realizująca:
Sieć Badawcza ŁUKASIEWICZ - Instytut Technologii Elektronowej
woj. mazowieckie
Konkurs: SONATA 10 - ogłoszony 2015-09-15
Przyznana kwota: 309 700 PLN
Rozpoczęcie projektu: 2016-06-28
Zakończenie projektu: 2019-06-27
Planowany czas trwania projektu: 36 miesięcy (z wniosku)
Status projektu: Projekt rozliczony
Opis Projektu
Pobierz opis projektu w formacie .pdf
Uwaga - opisy projektów zostały sporządzone przez samych autorów wniosków i w niezmienionej formie umieszczone w systemie.