Projects funded by the NCN


Information on the principal investigator and host institution

Information of the project and the call

Keywords

Equipment

Delete all

Search results

17 projects found matching your search criteria :

  1. Investigation of mechanisms of strain relaxation in GaSb layers deposited on GaAs substrates by molecular beam epitaxy.

    Call: OPUS 6 , Panel: ST7

    Principal investigator: dr hab. Agata Jasik

    Instytut Technologii Elektronowej

  2. Terahertz plasma instabilities in nitrides nanostructures

    Call: HARMONIA 5 , Panel: ST3

    Principal investigator: prof. Czesław Skierbiszewski

    Instytut Wysokich Ciśnień PAN

  3. ZnO quantum wells in ZnMgO nanocolumns grown on selected substrates with MBE technique

    Call: SONATA 5 , Panel: ST5

    Principal investigator: dr Mieczysław Pietrzyk

    Instytut Fizyki PAN

  4. Design, modeling and MBE fabrication of LWIR HgCdTe barrier detectors

    Call: HARMONIA 4 , Panel: ST7

    Principal investigator: dr hab. Krzysztof Jóźwikowski

    Wojskowa Akademia Techniczna im. Jarosława Dąbrowskiego, Wydział Nowych Technologii i Chemii

  5. Terahertz emission from field-effect transistors

    Call: OPUS 2 , Panel: ST7

    Principal investigator: dr hab. Jerzy Łusakowski

    Uniwersytet Warszawski

  6. Two-dimensional boron nitride: a game-changer for ultrafast lasers in portable applications?

    Call: OPUS 26 , Panel: ST7

    Principal investigator: dr hab. Mariusz Klimczak

    Uniwersytet Warszawski, Wydział Fizyki

  7. Microscopic growth mechanism of InGaN layers and its influence on indium content fluctuations

    Call: PRELUDIUM 2 , Panel: ST3

    Principal investigator: Henryk Turski

    Instytut Wysokich Ciśnień PAN

  8. Thin films of transition metal dichalcogenides. The influence of the substrate on the MoTe2 structure, morphology and ma...

    Call: PRELUDIUM 20 , Panel: ST5

    Principal investigator: Zuzanna Ogorzałek

    Uniwersytet Warszawski, Wydział Fizyki

  9. As-induced VLS-MBE growth of dodecagonal GaN microrods

    Call: PRELUDIUM 19 , Panel: ST5

    Principal investigator: Paulina Ciechanowicz

    Sieć Badawcza ŁUKASIEWICZ - PORT Polski Ośrodek Rozwoju Technologii

  10. Epitaxial boron nitride - universal platform for novel van der Waals structures

    Call: OPUS 17 , Panel: ST5

    Principal investigator: prof. Andrzej Wysmołek

    Uniwersytet Warszawski, Wydział Fizyki

  11. Investigation of intermixing in single quantum well and multi0quantum well structures of ZnO/ZnMg(Cd)O

    Call: SONATINA 2 , Panel: ST3

    Principal investigator: dr Marcin Stachowicz

    Instytut Fizyki Polskiej Akademii Nauk

  12. Magnetoresistive effects in nanostructures of (Ga,Mn)(Bi,As) ferromagnetic semiconductor

    Call: PRELUDIUM 12 , Panel: ST3

    Principal investigator: Khrystyna Levchenko

    Instytut Fizyki Polskiej Akademii Nauk

  13. Investigation of transport and fluctuation phenomena in HgCdTe heterostructures by usin advanced numerical analysis cone...

    Call: OPUS 12 , Panel: ST7

    Principal investigator: dr hab. Krzysztof Jóźwikowski

    Wojskowa Akademia Techniczna im. Jarosława Dąbrowskiego, Wydział Nowych Technologii i Chemii

  14. MBE growth and submicron imaging of local electronic and optical processes in nitride semiconductor nanostructures

    Call: OPUS 11 , Panel: ST5

    Principal investigator: prof. Bogdan Kowalski

    Instytut Fizyki Polskiej Akademii Nauk

  15. Application of electron diffraction RHEED and mass spectroscopy QMS for in-situ analysis of nucleation and MBE growth of...

    Call: PRELUDIUM 11 , Panel: ST3

    Principal investigator: dr Marta Sobańska

    Instytut Fizyki Polskiej Akademii Nauk

  16. Suppression of leakage currents in high operating temperatures (HOT) InAsSb bariode on GaAs substrates obtained via mole...

    Call: PRELUDIUM 10 , Panel: ST7

    Principal investigator: Krystian Michalczewski

    Wojskowa Akademia Techniczna im. Jarosława Dąbrowskiego, Wydział Nowych Technologii i Chemii

  17. Research on MBE heteroepitaxy III-V epilayers on GaAs substrates

    Call: OPUS 9 , Panel: ST5

    Principal investigator: prof. Antoni Rogalski

    Wojskowa Akademia Techniczna im. Jarosława Dąbrowskiego, Wydział Nowych Technologii i Chemii