Projekty finansowane przez NCN

Proste rozwiązanie dla ważnych półprzewodnikowych nanokrystalicznych azotków GaN i InN o kontrolowanej politypii: wykorz...

Konkurs: OPUS 5 , panel: ST5

Kierownik: prof. Jerzy Janik

Akademia Górniczo-Hutnicza im. Stanisława Staszica w Krakowie, Wydział Energetyki i Paliw

Badanie zjawiska dyfuzji krzemu w różnych kierunkach krystalograficznych azotku galu

Konkurs: OPUS 25 , panel: ST5

Kierownik: prof. Michał Boćkowski

Instytut Wysokich Ciśnień Polskiej Akademii Nauk

Rozrzedzane arsenem związki azotku galu z wysoką zawartością As wzrastane metodą epitaksji metaloorganicznej z fazy gazo...

Konkurs: PRELUDIUM 21 , panel: ST5

Kierownik: Wojciech Olszewski

Sieć Badawcza ŁUKASIEWICZ - PORT Polski Ośrodek Rozwoju Technologii

Fizyka powierzchni nanodrutów GaN/AlGaN – narzędzie optymalizacji diód luminescencyjnych w skali nano

Konkurs: OPUS 23 , panel: ST5

Kierownik: prof. Bogdan Kowalski

Instytut Fizyki Polskiej Akademii Nauk

Badanie rozpuszczalności azotku galu w amonotermalnym roztworze zasadowym w różnych warunkach fizykochemicznych

Konkurs: PRELUDIUM 20 , panel: ST5

Kierownik: Karolina Grabiańska

Instytut Wysokich Ciśnień Polskiej Akademii Nauk

Cienkie warstwy dichalkogenków metali przejściowych. Wpływ podłoża na strukturę, morfologię i własności magneto-transpor...

Konkurs: PRELUDIUM 20 , panel: ST5

Kierownik: Zuzanna Ogorzałek

Uniwersytet Warszawski, Wydział Fizyki

Wakanse metalu, ich kompleksy i skupiska w półprzewodnikach azotkowych

Konkurs: WEAVE-UNISONO , panel: ST5

Kierownik: dr Robert Filip Czernecki

Instytut Wysokich Ciśnień Polskiej Akademii Nauk

Pierwszy objętościowy kryształ AlGaN dla wydajnych emiterów promieniowania UV - przełamanie barier krystalizacji z wykor...

Konkurs: SONATA 16 , panel: ST5

Kierownik: dr Tomasz Sochacki

Instytut Wysokich Ciśnień Polskiej Akademii Nauk

Radiacyjne i nieradiacyjne defekty węglowe i wakanse w GaN.

Konkurs: OPUS 19 , panel: ST5

Kierownik: dr Piotr Kruszewski

Instytut Wysokich Ciśnień Polskiej Akademii Nauk

Indukowany arsenem wzrost VLS dwunastościennych mikrosłupków GaN metodą epitaksji z wiązki molekularnej

Konkurs: PRELUDIUM 19 , panel: ST5

Kierownik: Paulina Ciechanowicz

Sieć Badawcza ŁUKASIEWICZ - PORT Polski Ośrodek Rozwoju Technologii

Nanoporowaty GaN – nowa platforma dla realizacji struktur kwantowych

Konkurs: SONATA 15 , panel: ST5

Kierownik: dr Marta Sawicka

Instytut Wysokich Ciśnień Polskiej Akademii Nauk

Dyfuzja 3D domieszek w GaN - mechanizm i rola defektów

Konkurs: OPUS 17 , panel: ST5

Kierownik: prof. Andrzej Turos

Sieć Badawcza ŁUKASIEWICZ - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych

Charakteryzacja in-situ dynamiki wzrostu warstw metodą MOVPE i mechanizmów dyfuzji w półprzewodnikach azotkowych i ich w...

Konkurs: BEETHOVEN 3 , panel: ST5

Kierownik: prof. Michał Leszczyński

Instytut Wysokich Ciśnień Polskiej Akademii Nauk

Implantacja akceptorów w intencjonalnie niedomieszkowane warstwy GaN wzrastane metodą HVPE - struktury będące podstawą w...

Konkurs: OPUS 15 , panel: ST5

Kierownik: dr hab. Michał Boćkowski

Instytut Wysokich Ciśnień Polskiej Akademii Nauk

Nanomateriałowe podejście do walidacji teorii dla rozcieńczonych półprzewodników magnetycznych na osnowie azotku galu...

Konkurs: OPUS 1 , panel: ST5

Kierownik: prof. Jerzy Janik

Akademia Górniczo-Hutnicza im. Stanisława Staszica w Krakowie, Wydział Energetyki i Paliw

Termodynamika i kinetyka syntezy GaN w metalicznych układach stosowanych do krystalizacji diamentu - GaNDia

Konkurs: OPUS 12 , panel: ST5

Kierownik: dr hab. Izabella Grzegory

Instytut Wysokich Ciśnień Polskiej Akademii Nauk

Nowa metoda wytwarzania drutów kwantowych InGaN/GaN

Konkurs: OPUS 9 , panel: ST5

Kierownik: prof. Michał Leszczyński

Instytut Wysokich Ciśnień PAN