Projekty finansowane przez NCN
Implantacja akceptorów w intencjonalnie niedomieszkowane warstwy GaN wzrastane metodą HVPE - struktury będące podstawą wertykalnych tranzystorów wysokich mocy
2018/29/B/ST5/00338
Słowa kluczowe:
Azotek galu krystalizacja z fazy gazowej struktury epitaksjalne implantacja jonami elektronika wysokich mocy
Deskryptory:
- ST3_7: Półprzewodniki
- ST7_2: Elektrotechnika, elektronika: półprzewodniki, elementy i układy, systemy
- ST5_2: Materiały o strukturze ciała stałego
Panel:
ST5 - Synteza i materiały: otrzymywanie materiałów, związki struktury z właściwościami, nowoczesne materiały o założonych właściwościach, architektura (makro)molekularna, chemia organiczna, chemia nieorganiczna
Jednostka realizująca:
Instytut Wysokich Ciśnień Polskiej Akademii Nauk
woj. mazowieckie
Kierownik projektu (z jednostki realizującej):
Liczba wykonawców projektu: 6
Konkurs: OPUS 15 - ogłoszony 2018-03-15
Przyznana kwota: 1 495 125 PLN
Rozpoczęcie projektu: 2019-01-01
Zakończenie projektu: 2023-01-09
Planowany czas trwania projektu: 48 miesięcy (z wniosku)
Status projektu: Projekt rozliczony
Opis Projektu
Pobierz opis projektu w formacie .pdf
Uwaga - opisy projektów zostały sporządzone przez samych autorów wniosków i w niezmienionej formie umieszczone w systemie.