Projekty finansowane przez NCN

Dane kierownika projektu i jednostki realizującej

Szczegółowe informacje o projekcie i konkursie

Słowa kluczowe

Aparatura

Wyczyść formularz

Dyfuzja 3D domieszek w GaN - mechanizm i rola defektów

2019/33/B/ST5/02756

Słowa kluczowe:

azotek galu domieszkownie dyfuzja

Deskryptory:

  • ST5_1: Właściwości strukturalne materiałów

Panel:

ST5 - Synteza i materiały: otrzymywanie materiałów, związki struktury z właściwościami, nowoczesne materiały o założonych właściwościach, architektura (makro)molekularna, chemia organiczna, chemia nieorganiczna

Jednostka realizująca:

Sieć Badawcza ŁUKASIEWICZ - Instytut Mikroelektroniki i Fotoniki

woj.

Inne projekty tej jednostki 

Kierownik projektu (z jednostki realizującej):

prof. Andrzej Wiesław Turos 

Liczba wykonawców projektu: 11

Konkurs: OPUS 17 - ogłoszony 2019-03-15

Przyznana kwota: 1 316 200 PLN

Rozpoczęcie projektu: 2020-02-01

Zakończenie projektu: 2024-05-04

Planowany czas trwania projektu: 51 miesięcy (z wniosku)

Status projektu: Projekt rozliczony

Opis Projektu

Pobierz opis projektu w formacie .pdf

Uwaga - opisy projektów zostały sporządzone przez samych autorów wniosków i w niezmienionej formie umieszczone w systemie.

Dane z raportu końcowego/rocznego

  • Publikacje w czasopismach (6)
  1. Laplace DLTS studies of the 0.25 eV electron trap properties in n-GaN
    Autorzy:
    P. Kruszewski, P. Kamiński, R. Kozłowski , J. Żelazko , R. Czernecki , M. Leszczyński, A. Turos3
    Czasopismo:
    Semiconductor Science and Technology (rok: 2021, tom: 36, strony: 45664), Wydawca: IOP Publishing LTD
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1088/1361-6641/abe317 - link do publikacji
  2. Deep-level traps in as-grown and electron-irradiated homo-epitaxial n-GaN layers grown by MOVPE
    Autorzy:
    J. Plesiewicz, P. Kruszewski, V.P. Markevich, P. Prystawko, S. Bulka, M. Hallsal , I. Crowe, L. Sun, A.R. Peake
    Czasopismo:
    Microelectronic Engineering (rok: 2023, tom: 274, strony: 111977-), Wydawca: Elsevier
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1016/j.mee.2023.111977 - link do publikacji
  3. Deep‑level defects induced by implantations of Si and Mg ions into undoped epitaxial GaN
    Autorzy:
    Paweł Kamiński, Andrzej Turos, Roman Kozłowski, Kamila Stefańska‑Skrobas, Jarosław Żelazko & Ewa Grzanka
    Czasopismo:
    Nature: Scientific Reports (rok: 2024, tom: 14, strony: 14272), Wydawca: Springer
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1038/s41598-024-65142-w - link do publikacji
  4. Laplace DLTS studies of the 0.25 eV electron trap properties in n-GaN
    Autorzy:
    P. Kruszewski, P. Kamiński, R. Kozłowski , J. Żelazko , R. Czernecki , M. Leszczyński, A. Turos3
    Czasopismo:
    Semiconductor Science and Technology (rok: 2021, tom: 36, strony: 45664), Wydawca: IOP Publishing LTD
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1088/1361-6641/abe317 - link do publikacji
  5. Laplace DLTS studies of the 0.25 eV electron trap properties in n-GaN
    Autorzy:
    P. Kruszewski, P. Kamiński, R. Kozłowski , J. Żelazko , R. Czernecki , M. Leszczyński, A. Turos3
    Czasopismo:
    Semiconductor Science and Technology (rok: 2021, tom: 36, strony: 45664), Wydawca: IOP Publishing LTD
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1088/1361-6641/abe317 - link do publikacji
  6. Laplace DLTS studies of the 0.25 eV electron trap properties in n-GaN
    Autorzy:
    P. Kruszewski, P. Kamiński, R. Kozłowski , J. Żelazko , R. Czernecki , M. Leszczyński, A. Turos3
    Czasopismo:
    Semiconductor Science and Technology (rok: 2021, tom: 36, strony: 45664), Wydawca: IOP Publishing LTD
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1088/1361-6641/abe317 - link do publikacji

O Narodowym Centrum Nauki

Finansowanie nauki

Współpraca zagraniczna

Centrum prasowe

Deklaracja dostępności
Przetwarzanie danych osobowych
Polityka cookies

Partnerzy