InAsSb-Based Infrared Photodetectors: Thirty Years Later On
Autorzy:
A. Rogalski, P. Martyniuk, M. Kopytko, P. Madejczyk,S. Krishna
Czasopismo:
Sensors (rok: 2020, tom: 20, 7047, strony: 26299), Wydawca: MDPI
HgCdTe, infrared detectors, MOCVD growth, interdiffused multilayer process, residual inhomogeneities, post-growth annealing
Autorzy:
J. Sobieski, M. Kopytko , K. Matuszelanski , W. Gawron, P. Michalowski, J. Piotrowski, P. Martyniuk
Czasopismo:
Infrared Physics & Technology (rok: 2024, tom: Nie dotyczy, strony: Nie dotyczy), Wydawca: Elsevier
Determination of the Strain Influence on the InAs/InAsSb Type-II Superlattice Effective Masses
Autorzy:
T. Manyk, J. Rutkowski, M. Kopytko, P. Martyniuk
Czasopismo:
Sensors (rok: 2022, tom: 22,21, strony: 8243), Wydawca: MDPI
The determination of the carriers recombination parameters based on the HOT HgCdTe current-voltage characteristics
Autorzy:
T. Manyk, J. Rutkowski, P. Madejczyk, W. Gawron, P. Martyniuk
Czasopismo:
Opto-Electronics Review (rok: 2022, tom: 30, 2, strony: 45664), Wydawca: PAN
Signal processing for time resolved photoluminescence spectroscopy
Autorzy:
K. Grodecki , K. Murawski , J. Rutkowski , A. Kowalewski , J. Sobieski
Czasopismo:
Opto-Electronics Review (rok: 2021, tom: https://doi.org/10.24425/opelr, strony: 91-96), Wydawca: PAN
Photoluminescence Study of As Doped p-type HgCdTe Absorber for Infrared Detectors Operating in the Range up to 8 µm
Autorzy:
K. Murawski, K. Majkowycz, M. Kopytko, P. Martyniuk
Czasopismo:
Journal of Electronic Materials (rok: 2023, tom: 52, strony: 7038–7045), Wydawca: Springer
Infrared avalanche photodiodes from bulk to 2D materials
Autorzy:
P. Martyniuk, P. Wang, A. Rogalski, Y. Gu, R. Jiang, F. Wang, W. Hu
Czasopismo:
Light Science & Applications (rok: 2023, tom: 12, strony: 45683), Wydawca: Nature
Study of HgCdTe (100) and HgCdTe (111)B Heterostructures Grown by MOCVD and Their Potential Application to APDs Operating in the IR Range up to 8 µm
Autorzy:
M. Kopytko, J. Sobieski, W. Gawron, P. Martyniuk
Czasopismo:
Sensors (rok: 2022, tom: 22(3), 924, strony: 45674), Wydawca: MDPI
Raman scattering of low energy HgCdTe phonon
Autorzy:
K. Grodecki, J. Sobieski, K. Majkowycz, P. Madejczyk, B. Jankiewicz, M. Liszewska, P. Martyniuk
Czasopismo:
Infrared Physics and Technology (rok: 2022, tom: 127, strony: 104318), Wydawca: Elsevier
InAsSb-Based Infrared Photodetectors: Thirty Years Later On
Autorzy:
A. Rogalski, P. Martyniuk, M. Kopytko, P. Madejczyk,S. Krishna
Czasopismo:
Sensors (rok: 2020, tom: 20, 7047, strony: 26299), Wydawca: MDPI
Study of HgCdTe (100) and HgCdTe (111)B Heterostructures Grown by MOCVD and Their Potential Application to APDs Operating in the IR Range up to 8 µm
Autorzy:
M. Kopytko, J. Sobieski, W. Gawron, P. Martyniuk
Czasopismo:
Sensors (rok: 2022, tom: 22(3), 924, strony: 45674), Wydawca: MDPI
Trends in Performance Limits of the HOT Infrared Photodetectors
Autorzy:
A. Rogalski, P. Martyniuk, M. Kopytko, W. Hu
Czasopismo:
Applied Sciences (rok: 2021, tom: 11, 501, strony: 45685), Wydawca: MDPI
Impact ionization in HgCdTe avalanche photodiode optimized to 8 µm cut–off wavelength at 230 K
Autorzy:
M. Kopytko, J. Sobieski, R. Xie, K. Jóźwikowski, P. Martyniuk
Czasopismo:
Infrared Physics and Technology (rok: 2021, tom: 115, 103704, strony: 45663), Wydawca: Elsevier
Trends in Performance Limits of the HOT Infrared Photodetectors
Autorzy:
A. Rogalski, P. Martyniuk, M. Kopytko, W. Hu
Czasopismo:
Applied Sciences (rok: 2021, tom: 11, 501, strony: 45685), Wydawca: MDPI
Signal processing for time resolved photoluminescence spectroscopy
Autorzy:
K. Grodecki , K. Murawski , J. Rutkowski , A. Kowalewski , J. Sobieski
Czasopismo:
Opto-Electronics Review (rok: 2021, tom: 29, strony: 91-96), Wydawca: PAN
Trends in Performance Limits of the HOT Infrared Photodetectors
Autorzy:
A. Rogalski, P. Martyniuk, M. Kopytko, W. Hu
Czasopismo:
Applied Sciences (rok: 2021, tom: 11, 501, strony: 45685), Wydawca: MDPI
Determination of the Strain Influence on the InAs/InAsSb Type-II Superlattice Effective Masses
Autorzy:
T. Manyk, J. Rutkowski, M. Kopytko, P. Martyniuk
Czasopismo:
Sensors (rok: 2022, tom: 22,21, strony: 8243), Wydawca: MDPI
Impact ionization in HgCdTe avalanche photodiode optimized to 8 µm cut–off wavelength at 230 K
Autorzy:
M. Kopytko, J. Sobieski, R. Xie, K. Jóźwikowski, P. Martyniuk
Czasopismo:
Infrared Physics and Technology (rok: 2021, tom: 115, 103704, strony: 45663), Wydawca: Elsevier
Signal processing for time resolved photoluminescence spectroscopy
Autorzy:
K. Grodecki , K. Murawski , J. Rutkowski , A. Kowalewski , J. Sobieski
Czasopismo:
Opto-Electronics Review (rok: 2021, tom: https://doi.org/10.24425/opelr, strony: 91-96), Wydawca: PAN
Investigation of HgCdTe avalanche photodiodes for HOT condition
Autorzy:
T. Manyk , J. Sobieski, K. Matuszelański , J. Rutkowski and P. Martyniuk
Czasopismo:
BULLETIN OF THE POLISH ACADEMY OF SCIENCES TECHNICAL SCIENCES (rok: 2024, tom: 72, strony: 45664), Wydawca: PAN
The determination of the carriers recombination parameters based on the HOT HgCdTe current-voltage characteristics
Autorzy:
T. Manyk, J. Rutkowski, P. Madejczyk, W. Gawron, P. Martyniuk
Czasopismo:
Opto-Electronics Review (rok: 2022, tom: 30, 2, strony: 45664), Wydawca: PAN
Ionization coefficients and excess noise characteristics of AlInAsSb on an InP substrate
Autorzy:
T.J. Ronningen, S.H. Kodati, X. Jin, S. Lee, H. Jung, X. Tao, H.I.J. Lewis, M. Schwartz, N. Gajowski, P. Martyniuk, B. Guo, A.H. Jones, J.C. Campbell, C. Grein, J.P.R. David, S. Krishna
Czasopismo:
Applied Pysics Letters (rok: 2023, tom: 123, strony: 131110-1-6), Wydawca: AIP
Impact ionization in HgCdTe avalanche photodiode optimized to 8 µm cut–off wavelength at 230 K
Autorzy:
M. Kopytko, J. Sobieski, R. Xie, K. Jóźwikowski, P. Martyniuk
Czasopismo:
Infrared Physics and Technology (rok: 2021, tom: 115, 103704, strony: 45663), Wydawca: Elsevier
The method to extract the defect levels in the MCT multilayer low bandgap heterostructures
Autorzy:
K. Majkowycz , M. Kopytko , K. Murawski , P. Martyniuk
Czasopismo:
Opto-Electronics Review (rok: 2024, tom: 32, strony: 45662), Wydawca: PAN
Theoretical study of back-to-back avalanche photodiodes for dual-band infrared applications
Autorzy:
T. Manyk, K. Majkowycz, J. Rutkowski, P. Martyniuk
Czasopismo:
Opto-Electronics Review (rok: 2023, tom: 31, strony: 45664), Wydawca: PAS
Raman scattering of low energy HgCdTe phonon
Autorzy:
K. Grodecki, J. Sobieski, K. Majkowycz, P. Madejczyk, B. Jankiewicz, M. Liszewska, P. Martyniuk
Czasopismo:
Infrared Physics and Technology (rok: 2022, tom: 127, strony: 104318), Wydawca: Elsevier
Theoretical study of back-to-back avalanche photodiodes for dual-band infrared applications
Autorzy:
T. Manyk, K. Majkowycz, J. Rutkowski, P. Martyniuk
Czasopismo:
Opto-Electronics Review (rok: 2023, tom: 31, strony: 45664), Wydawca: PAS
Status:
Przyjęta do publikacji
Study of HgCdTe (100) and HgCdTe (111)B Heterostructures Grown by MOCVD and Their Potential Application to APDs Operating in the IR Range up to 8 µm
Autorzy:
M. Kopytko, J. Sobieski, W. Gawron, P. Martyniuk
Czasopismo:
Sensors (rok: 2022, tom: 22(3), 924, strony: 45674), Wydawca: MDPI
InAsSb-Based Infrared Photodetectors: Thirty Years Later On
Autorzy:
A. Rogalski, P. Martyniuk, M. Kopytko, P. Madejczyk,S. Krishna
Czasopismo:
Sensors (rok: 2020, tom: 20, 7047, strony: 26299), Wydawca: MDPI