Projekty finansowane przez NCN

Dane kierownika projektu i jednostki realizującej

Szczegółowe informacje o projekcie i konkursie

Słowa kluczowe

Aparatura

Wyczyść formularz

Przeźroczyste kontakty elektryczne do struktur III-N wykonane na bazie kryształów van der Waalsa

2018/29/B/ST7/02135

Słowa kluczowe:

GaN van der Waals fotoodbicie elektroodbicie pole elektryczne poziom Fermiego

Deskryptory:

  • ST7_2: Elektrotechnika, elektronika: półprzewodniki, elementy i układy, systemy
  • ST7_5: Mikro- i nanoelektronika, optoelektronika

Panel:

ST7 - Inżynieria systemów i komunikacji: elektronika, komunikacja, optoelektronika

Jednostka realizująca:

Politechnika Wrocławska

woj. dolnośląskie

Inne projekty tej jednostki 

Kierownik projektu (z jednostki realizującej):

prof. Robert Kudrawiec 

Liczba wykonawców projektu: 5

Konkurs: OPUS 15 - ogłoszony 2018-03-15

Przyznana kwota: 1 491 400 PLN

Rozpoczęcie projektu: 2019-01-31

Zakończenie projektu: 2022-01-30

Planowany czas trwania projektu: 36 miesięcy (z wniosku)

Status projektu: Projekt rozliczony

Opis Projektu

Pobierz opis projektu w formacie .pdf

Uwaga - opisy projektów zostały sporządzone przez samych autorów wniosków i w niezmienionej formie umieszczone w systemie.

Zakupiona aparatura

  1. Laser.
  2. Reduktor.
  3. Supercontinuum. Za kwotę 80 000 PLN
  4. Komora rękawicowa. Za kwotę 170 000 PLN
  5. Monochromator (2 szt.). Za kwotę 90 000 PLN
  6. Komora laminarna. Za kwotę 9 000 PLN

Dane z raportu końcowego/rocznego

  • Publikacje w czasopismach (4)
  1. Geometric progress in the thickness of exfoliated van der Waals crystals on the example of MoS2
    Autorzy:
    Magdalena Tamulewicz-Szwajkowska, Szymon J. Zelewski, Jarosław Serafinczuk, and Robert Kudrawiec
    Czasopismo:
    AIP Advances (rok: 2022, tom: 12, strony: 25328), Wydawca: American Institute of Physics
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1063/5.0082670 - link do publikacji
  2. Determination of Fermi Level Position at the Graphene/GaN Interface Using Electromodulation Spectroscopy
    Autorzy:
    A. P. Herman, L. Janicki, H. S. Stokowski, M. Rudzinski, E. Rozbiegala, M. Sobanska, Z. R. Zytkiewicz, and R. Kudrawiec
    Czasopismo:
    Advanced Materials Interfaces (rok: 2020, tom: NA, strony: 2001220), Wydawca: Wiley
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1002/admi.202001220 - link do publikacji
  3. Toward h‑BN/GaN Schottky Diodes: Spectroscopic Study on the Electronic Phenomena at the Interface
    Autorzy:
    E. Zdanowicz, A. P. Herman, K. Opołczyńska, S. Gorantla, W. Olszewski, J. Serafińczuk, D. Hommel, and R. Kudrawiec
    Czasopismo:
    ACS Applied Materials & Interfaces (rok: 2022, tom: 14, strony: 6131−6137), Wydawca: American Chemical Society
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1021/acsami.1c20352 - link do publikacji
  4. The influence of the photovoltaic effect on the surface electric field in GaN
    Autorzy:
    Ewelina Zdanowicz, Artur P. Herman , Robert Kudrawiec
    Czasopismo:
    Applied Surface Science (rok: 2022, tom: 577, strony: 151905), Wydawca: Elsevier
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1016/j.apsusc.2021.151905 - link do publikacji

O Narodowym Centrum Nauki

Finansowanie nauki

Współpraca zagraniczna

Centrum prasowe

Deklaracja dostępności
Przetwarzanie danych osobowych
Polityka cookies

Partnerzy