Projekty finansowane przez NCN

Dane kierownika projektu i jednostki realizującej

Szczegółowe informacje o projekcie i konkursie

Słowa kluczowe

Aparatura

Wyczyść formularz

Błędy ułożenia w strukturze wurcytu jako źródła dyslokacji przechodzących w azotkowych heterostrukturach epitaksjalnych

2016/22/M/ST5/00298

Słowa kluczowe:

błędy ułożenia dyslokacje procesy relaksacji azotki

Deskryptory:

  • ST5_1: Właściwości strukturalne materiałów
  • ST3_6: Dynamika sieci krystalicznych

Panel:

ST5 - Synteza i materiały: otrzymywanie materiałów, związki struktury z właściwościami, nowoczesne materiały o założonych właściwościach, architektura (makro)molekularna, chemia organiczna, chemia nieorganiczna

Jednostka realizująca:

Instytut Wysokich Ciśnień Polskiej Akademii Nauk

woj. mazowieckie

Inne projekty tej jednostki 

Kierownik projektu (z jednostki realizującej):

dr Julita Smalc-Koziorowska 

Liczba wykonawców projektu: 6

Konkurs: HARMONIA 8 - ogłoszony 2016-06-15

Przyznana kwota: 761 150 PLN

Rozpoczęcie projektu: 2017-03-27

Zakończenie projektu: 2022-03-26

Planowany czas trwania projektu: 60 miesięcy (z wniosku)

Status projektu: Projekt rozliczony

Opis Projektu

Pobierz opis projektu w formacie .pdf

Uwaga - opisy projektów zostały sporządzone przez samych autorów wniosków i w niezmienionej formie umieszczone w systemie.

Dane z raportu końcowego/rocznego

  • Publikacje w czasopismach (7)
  1. Extremely long lifetime of III-nitride laser diodes grown by plasma assisted molecular beam epitaxy
    Autorzy:
    G. Muziol, M. Siekacz, K. Nowakowski-Szkudlarek, M. Hajdel, J. Smalc-Koziorowska, A. Feduniewicz-Żmuda, E. Grzanka, P. Wolny, H. Turski, P. Wiśniewski, P. Perlin, C. Skierbiszewski
    Czasopismo:
    Material Science in Semiconductor Processing (rok: 2019, tom: 91, strony: 387-391), Wydawca: Elsevier Sci Ltd
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1016/j.mssp.2018.12.011 - link do publikacji
  2. The heterogeneous nucleation of threading dislocations on partial dislocations in III-nitride epilayers
    Autorzy:
    J. Smalc-Koziorοwska, J. Moneta, P. Chatzopoulou, I. G. Vasileiadis, C. Bazioti, Ø. Prytz, I. Belabbas, Ph. Komninou and G. P. Dimitrakopulos
    Czasopismo:
    Scientific Reports (rok: 2020, tom: 10, strony: 17371), Wydawca: Springer Nature
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1038/s41598-020-74030-y - link do publikacji
  3. Recombination of Shockley partial dislocations by electron beam irradiation in wurtzite GaN
    Autorzy:
    I. Belabbas, I. G. Vasileiadis, J. Moneta, J. Smalc-Koziorοwska G. P. Dimitrakopulos
    Czasopismo:
    Journal of Applied Physics (rok: 2019, tom: 126, strony: 165702), Wydawca: American Institute of Physics
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1063/1.5121416 - link do publikacji
  4. Stacking Fault Manifolds and Structural Configurations of Partial Dislocations in InGaN Epilayers
    Autorzy:
    I. Vasileiadis, I. Belabbas, C. Bazioti, J. Smalc-Koziorowska, P. Komninou, GP. Dimitrakopulos
    Czasopismo:
    Physica Status Solidi B (rok: 2021, tom: 258, strony: 2100190), Wydawca: Wiley-V C H Verlag Gmbh
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1002/pssb.202100190 - link do publikacji
  5. Stacking faults in plastically relaxed InGaN epilayers
    Autorzy:
    J. Moneta, E. Grzanka, H. Turski, C. Skierbiszewski and J. Smalc-Koziorowska
    Czasopismo:
    Semiconductor Science and Technology (rok: 2020, tom: 35, strony: 34003), Wydawca: Institute of Physics (IOP)
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1088/1361-6641/ab6bb1 - link do publikacji
  6. First-principles investigation of a-line Shockley partial dislocations in wurtzite GaN: core reconstruction and electronic structure
    Autorzy:
    I. Belabbas, G. P. Dimitrakopulos, J. Kioseoglou, J. Chen, and J. Smalc-Koziorοwska
    Czasopismo:
    Modelling and Simulation in Materials Science and Engineering (rok: 2022, tom: 30, strony: 85004), Wydawca: IOPscience
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1088/1361-651x/ac9853 - link do publikacji
  7. Evolution of stratification in high-alloy content InGaN epilayers grown on (0001) AlN
    Autorzy:
    G.P. Dimitrakopulos, C. Bazioti, E. Papadomanolaki, K. Filintoglou, M. Katsikini, J. Arvanitidis & E. Iliopoulos
    Czasopismo:
    Materials Science and Technology (rok: 2018, tom: 34, strony: 1565-1574), Wydawca: Taylor&Francis
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1080/02670836.2018.1506727 - link do publikacji

O Narodowym Centrum Nauki

Finansowanie nauki

Współpraca zagraniczna

Centrum prasowe

Deklaracja dostępności
Przetwarzanie danych osobowych
Polityka cookies

Partnerzy