Projekty finansowane przez NCN


Dane kierownika projektu i jednostki realizującej

Szczegółowe informacje o projekcie i konkursie

Słowa kluczowe

Aparatura

Wyczyść formularz

Materiały oparte na stopach Ge-IV dla nowoczesnych przyrządów optoelektronicznych zintegrowanych z Si

2016/21/B/ST7/01267

Słowa kluczowe:

Ge-IV alloys urządzenie optoelektroniczne struktura elektronowa ab initio

Deskryptory:

  • ST7_2: Elektrotechnika, elektronika: półprzewodniki, elementy i układy, systemy

Panel:

ST7 - Inżynieria systemów i komunikacji: elektronika, komunikacja, optoelektronika

Jednostka realizująca:

Politechnika Wrocławska

woj. dolnośląskie

Inne projekty tej jednostki 

Kierownik projektu (z jednostki realizującej):

dr hab. Paweł Scharoch 

Liczba wykonawców projektu: 5

Konkurs: OPUS 11 - ogłoszony 2016-03-15

Przyznana kwota: 634 600 PLN

Rozpoczęcie projektu: 2017-02-16

Zakończenie projektu: 2021-02-15

Planowany czas trwania projektu: 48 miesięcy (z wniosku)

Status projektu: Projekt rozliczony

Opis Projektu

Pobierz opis projektu w formacie .pdf

Uwaga - opisy projektów zostały sporządzone przez samych autorów wniosków i w niezmienionej formie umieszczone w systemie.

Zakupiona aparatura

  1. Tablet+klawiatura+pióro.
  2. komputer osobisty typu laptop (2 szt.). Za kwotę 8 000 PLN
  3. Miernik ciśnienia. Za kwotę 1 722 PLN

Dane z raportu końcowego/rocznego

  • Publikacje w czasopismach (6)
  • Teksty w publikacjach pokonferencyjnych (1)
  1. Electronic band structure of semiconductor alloys: From ab initio to k⋅p via computational alchemy, on example of Ge(1-x)Snx alloy
    Autorzy:
    Paweł Scharoch, Norbert Janik, Michał Wiśniewski b, Herbert S. Mączko, Marta Gładysiewicz, Maciej P. Polak, Robert Kudrawiec
    Czasopismo:
    Computational Materials Science (rok: 2021, tom: 187, strony: 110052), Wydawca: Elsevier
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1016/j.commatsci.2020.110052 - link do publikacji
  2. Towards band gap engineering via biaxial and axial strain in group IV crystals
    Autorzy:
    Norbert Janik, Paweł Scharoch, Robert Kudrawiec
    Czasopismo:
    Computational Materoial Science (rok: 2020, tom: 181, strony: 109729), Wydawca: Elsevier
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1016/j.commatsci.2020.109729 - link do publikacji
  3. Invariant expansion of the 30-band k·p model and its parameters for III-V compounds
    Autorzy:
    Krzysztof Gawarecki , Paweł Scharoch ,Michał Wi´sniewski, Jakub Ziembicki , Herbert S. Mączko , Marta Gładysiewicz , Robert Kudrawiec
    Czasopismo:
    Physical Review B (rok: 2022, tom: 105, strony: 45202), Wydawca: Physical Review
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1103/PhysRevB.105.045202 - link do publikacji
  4. Band parameters of group III-V semiconductors in wurtzite structure
    Autorzy:
    Jakub Ziembicki, Paweł Scharoch, Maciej P. Polak, Michał Wiśniewski, and Robert Kudrawiec
    Czasopismo:
    Journal of Applied Physics (rok: 2022, tom: XX, strony: XX), Wydawca: AIP Publishing
    Status:
    Złożona
  5. Carrier Dynamics in Thin Germanium−Tin Epilayers
    Autorzy:
    Ernest Rogowicz, Jan Kopaczek, Joanna Kutrowska-Girzycka, Maksym Myronov, Robert Kudrawiec, Marcin Syperek
    Czasopismo:
    ACS Applied Electronic Materials (rok: 2021, tom: 3(1), strony: 344-352), Wydawca: American Chemical Society
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1021/acsaelm.0c00889 - link do publikacji
  6. The effect of isovalent doping on the electronic band structure of group IV semiconductors
    Autorzy:
    Maciej P. Polak, Paweł Scharoch, Robert Kudrawiec
    Czasopismo:
    Journal of Physics D: Applied Physics (rok: 2021, tom: 54, strony: 85102), Wydawca: IOP Publishing
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1088/1361-6463/abc503 - link do publikacji
  1. The electronic band structure of Ge1−x Sn x in the full composition range: indirect, direct, and inverted gaps regimes, band offsets, and the Burstein–Moss effect
    Autorzy:
    Scharoch P, Polak M P, Kudrawiec R
    Konferencja:
    2017 IEEE 14th International Conference on Group IV Photonics (GFP) (rok: 2017, ), Wydawca: IEEE
    Data:
    konferencja 23 Aug - 25 Aug
    Status:
    Opublikowana