Projekty finansowane przez NCN
Domieszkowanie na typ p szerokoprzerwowych heterostruktur półprzewodnikowych przeznaczonych na emitery światła w zakresie UV
2015/19/B/ST7/02163
Słowa kluczowe:
AlGaN domieszkowanie typu p efekty polaryzacyjne złącze p-i-n dioda UV
Deskryptory:
- ST7_2: Elektrotechnika, elektronika: półprzewodniki, elementy i układy, systemy
- ST7_5: Mikro- i nanoelektronika, optoelektronika
Panel:
ST7 - Inżynieria systemów i komunikacji: elektronika, komunikacja, optoelektronika
Jednostka realizująca:
Sieć Badawcza ŁUKASIEWICZ - Instytut Mikroelektroniki i Fotoniki
woj. mazowieckie
Konkurs: OPUS 10 - ogłoszony 2015-09-15
Przyznana kwota: 1 042 800 PLN
Rozpoczęcie projektu: 2016-07-07
Zakończenie projektu: 2020-01-06
Planowany czas trwania projektu: 42 miesięcy (z wniosku)
Status projektu: Projekt rozliczony
Opis Projektu
Pobierz opis projektu w formacie .pdf
Uwaga - opisy projektów zostały sporządzone przez samych autorów wniosków i w niezmienionej formie umieszczone w systemie.
Dane z raportu końcowego/rocznego
- Publikacje w czasopismach (7)
- 3D Depth Profile Reconstruction of Segregated Impurities using Secondary Ion Mass SpectrometryAutorzy:Paweł Michałowski, Sebastian Złotnik, Iwona Jóźwik, Adrianna Chamryga, Mariusz RudzińskiCzasopismo:Journal of Visualized Experiments (rok: 2019, tom: 158, strony: e61065), Wydawca: MyJove Corp.Status:OpublikowanaDoi:10.3791/61065 - link do publikacji
- Three dimensional localization of unintentional oxygen impurities in gallium nitrideAutorzy:Paweł Michałowski, Sebastian Złotnik, Mariusz RudzińskiCzasopismo:Chemical Communications (rok: 2019, tom: 55, strony: 11539-11542), Wydawca: Royal Society of ChemistryStatus:OpublikowanaDoi:10.1039/C9CC04707G - link do publikacji
- Phosphorus implantation of Mg-doped (Al)GaN heterostructures: structural examination and depth profilingAutorzy:Karolina Piętak, Sebastian Złotnik, Ewelina Rozbiegała, Paweł P. Michałowski, Marek Wójcik, Jarosław Gaca, Mariusz RudzińskiCzasopismo:Journal of Materials Science: Materials in Electronics (rok: 2020, tom: 31, strony: 17892-17902), Wydawca: SpringerStatus:OpublikowanaDoi:10.1007/s10854-020-04342-2 - link do publikacji
- Determination of the band gap of indium-rich InGaN by means of photoacoustic spectroscopyAutorzy:Robert Oliva, Szymon J. Zelewski, Łukasz Janicki, Katarzyna R. Gwóźdź, Jarosław Serafińczuk, Mariusz Rudziński, Ekmel Özbay and Robert KudrawiecCzasopismo:Semiconductor Science and Technology (rok: 2018, tom: 33, strony: 35007), Wydawca: IOP PublishingStatus:OpublikowanaDoi:10.1088/1361-6641/aaa908 - link do publikacji
- Growth and thermal annealing for acceptor activation of p-type (Al)GaN epitaxial structures: Technological challenges and risksAutorzy:Sebastian Zlotnik, Jakub Sitek, Krzysztof Rosiński, Paweł P. Michałowski, Jarosław Gaca, Marek Wójcik and Mariusz RudzińskiCzasopismo:Applied Surface Science (rok: 2019, tom: 488, strony: 688-695), Wydawca: Elsevier Science B.V.Status:OpublikowanaDoi:10.1016/j.apsusc.2019.05.306 - link do publikacji
- Mask-free three-dimensional epitaxial growth of IIInitridesAutorzy:Mariusz Rudziński, Sebastian Złotnik, Materk Wójcik, Jarosław Gaca, Łukasz Janicki, Robert KudrawiecCzasopismo:Journal of Materials Science (rok: 2021, tom: 56, strony: 558-569), Wydawca: SpringerStatus:OpublikowanaDoi:10.1007/s10853-020-05187-0 - link do publikacji
- Oxygen-induced high diffusion rate of magnesium dopant in GaN/AlGaN based UV LED heterostructuresAutorzy:Paweł Michałowski, Sebastian Zlotnik, Jakub Sitek, Krzysztof Rosiński, Mariusz RudzińskiCzasopismo:Physical Chemistry Chemical Physics (rok: 2018, tom: 20, strony: 13890-13895), Wydawca: Royal Society of ChemistryStatus:OpublikowanaDoi:10.1039/c8cp01470a - link do publikacji