Projekty finansowane przez NCN
Badania struktury pasmowej oraz właściwości optycznych dla nowych materiałów i struktur półprzewodnikowych w wysokich ciśnieniach hydrostatycznych
2014/12/S/ST3/00313
Słowa kluczowe:
Deskryptory:
- ST3_7: Półprzewodniki
- ST3_5: Własności elektronowe materiałów i transportu
Panel:
ST3 - Fizyka fazy skondensowanej: struktura, własności elektronowe, płyny, nano-nauka
Jednostka realizująca:
Politechnika Wrocławska, Wydział Podstawowych Problemów Techniki
woj. dolnośląskie
Konkurs: FUGA 3 - ogłoszony 2013-12-16
Przyznana kwota: 612 000 PLN
Rozpoczęcie projektu: 2014-10-01
Zakończenie projektu: 2017-09-30
Planowany czas trwania projektu: 36 miesięcy (z wniosku)
Status projektu: Projekt rozliczony
Dane z raportu końcowego/rocznego
- Publikacje w czasopismach (4)
- High-pressure Raman scattering in bulk HfS2: comparison of density functional theory methods in layered MS2 compounds (M = Hf, Mo) under compressionAutorzy:J. Ibáñez, T. Woźniak, F. Dybala, R. Oliva, S. Hernández and R. KudrawiecCzasopismo:SCIENTIFIC REPORTS (rok: 2018, tom: 8, strony: 12757), Wydawca: Nature Publishing GroupStatus:OpublikowanaDoi:10.1038/s41598-018-31051-y - link do publikacji
- Electromodulation spectroscopy of heavy-hole, light-hole, and spin-orbit transitions in GaAsBi layers at hydrostatic pressureAutorzy:F. Dybała, J. Kopaczek, M. Gladysiewicz, E.-M. Pavelescu, C. Romanitan, O. Ligor, A. Arnoult, C. Fontaine, and R. KudrawiecCzasopismo:APPLIED PHYSICS LETTERS (rok: 2017, tom: 111, strony: 192104), Wydawca: AIP PublishingStatus:OpublikowanaDoi:10.1063/1.5002622 - link do publikacji
- Pressure coefficients for direct optical transitions in MoS2, MoSe2, WS2, and WSe2 crystals and semiconductor to metal transitionsAutorzy:F. Dybala, M. Polak, J. Kopaczek, P. Scharoch, K. Wu, S. Tongay and R. KudrawiecCzasopismo:Scientific Reports (rok: 2016, tom: 6, strony: 26663), Wydawca: Nature Publishing GroupStatus:OpublikowanaDoi:10.1038/srep26663 - link do publikacji
- Electromodulation spectroscopy of direct optical transitions in Ge1-xSnx layers under hydrostatic pressure and built-in strainAutorzy:F. Dybała, K. Żelazna, H. Maczko, M. Gladysiewicz, J. Misiewicz, R. Kudrawiec, H. Lin, R. Chen, C. Shang, Y. Huo, T. I. Kamins, and J. S. HarrisCzasopismo:Journal of Applied Physics (rok: 2016, tom: 119, strony: 215703), Wydawca: AIP PublishingStatus:OpublikowanaDoi:10.1063/1.4953220 - link do publikacji