Projekty finansowane przez NCN
Inżynieria pasm w związkach Ge(Si)Sn i ich niskowymiarowych heterostrukturach przeznaczonych do zastosowań laserowych
2013/09/B/ST7/02395
Słowa kluczowe:
Półprzewodniki Struktura pasmowa Wzmocnienie optyczne Właściwości optyczne
Deskryptory:
- ST7_2: Elektrotechnika, elektronika: półprzewodniki, elementy i układy, systemy
- ST7_5: Mikro- i nanoelektronika, optoelektronika
Panel:
ST7 - Inżynieria systemów i komunikacji: elektronika, komunikacja, optoelektronika
Jednostka realizująca:
Politechnika Wrocławska, Wydział Podstawowych Problemów Techniki
woj. dolnośląskie
Kierownik projektu (z jednostki realizującej):
dr Marta Gładysiewicz-Kudrawiec
Liczba wykonawców projektu: 7
Konkurs: OPUS 5 - ogłoszony 2013-03-15
Przyznana kwota: 632 440 PLN
Rozpoczęcie projektu: 2014-03-01
Zakończenie projektu: 2016-03-11
Planowany czas trwania projektu: 24 miesięcy (z wniosku)
Status projektu: Projekt rozliczony