Projekty finansowane przez NCN
Położenie poziomu Fermiego na powierzchni GaN oraz rozkład pól elektrycznych w heterostrukturach AlGaN/GaN osadzanych na podłożach GaN o różnej orientacji krystalograficznej
2011/03/B/ST3/02633
Słowa kluczowe:
GaN wbudowane pola elektryczne spontaniczna i piezoelektryczna polaryzacja poziom Fermiego spektroskopia modulacyjna
Deskryptory:
- ST3_7: Półprzewodniki
Panel:
ST3 - Fizyka fazy skondensowanej: struktura, własności elektronowe, płyny, nano-nauka
Jednostka realizująca:
Politechnika Wrocławska, Wydział Podstawowych Problemów Techniki
woj. dolnośląskie
Kierownik projektu (z jednostki realizującej):
Liczba wykonawców projektu: 9
Konkurs: OPUS 2 - ogłoszony 2011-09-15
Przyznana kwota: 599 200 PLN
Rozpoczęcie projektu: 2012-08-01
Zakończenie projektu: 2015-08-06
Planowany czas trwania projektu: 36 miesięcy (z wniosku)
Status projektu: Projekt rozliczony