Projects funded by the NCN

Effect of formation of the intermediate band on the optical properties of II-VI semiconductors

Call: PRELUDIUM 8 , Panel: ST3

Principal investigator: Monika Wełna

Politechnika Wrocławska, Wydział Podstawowych Problemów Techniki

Optical and electronic properties of ternary and quaternary dilute III-V bismides and nitrides semiconductors, having th...

Call: SONATA 7 , Panel: ST3

Principal investigator: dr Wojciech Linhart

Politechnika Wrocławska, Wydział Podstawowych Problemów Techniki

New hybrid materials based on wide band gap semiconductors modified with carbon nanostructures

Call: SONATA 6 , Panel: ST5

Principal investigator: dr Agnieszka Podborska

Akademia Górniczo-Hutnicza im. Stanisława Staszica w Krakowie, Akademickie Centrum Materiałów i Nanotechnologii

Band gap engineering in Ga(Si)Sn alloys and their low dimensional heterostructures dedicated for laser aplications

Call: OPUS 5 , Panel: ST7

Principal investigator: dr Marta Gładysiewicz-Kudrawiec

Politechnika Wrocławska, Wydział Podstawowych Problemów Techniki

Determination of the energetic distribution of interface states density at the insulator/semiconductor interface in meta...

Call: PRELUDIUM 4 , Panel: ST7

Principal investigator: Maciej Matys

Politechnika Śląska, Instytut Fizyki - Centrum Naukowo-Dydaktyczne

Investigations of the influence of external gas environments on optical and electrical properties of delected wide bandg...

Call: OPUS 4 , Panel: ST7

Principal investigator: prof. Tadeusz Pustelny

Politechnika Śląska, Wydział Elektryczny

Local optical and electronic properties of wide-band-gap semiconductors as a function of their nanostructurization

Call: OPUS 4 , Panel: ST5

Principal investigator: prof. Bogdan Kowalski

Instytut Fizyki PAN

Plasmonic enhancement of light emitted from selected wide band gap semiconductors

Call: SONATA 4 , Panel: ST8

Principal investigator: dr Małgorzata Norek

Wojskowa Akademia Techniczna im. Jarosława Dąbrowskiego, Wydział Nowych Technologii i Chemii

Toward zero band gap and superconducting conjugated multidimensional polymers

Call: OPUS 21 , Panel: ST5

Principal investigator: prof. Mieczysław Łapkowski

Centrum Materiałów Polimerowych i Węglowych Polskiej Akademii Nauk

Band gap engineering in Ge via nonequilibrium processing

Call: OPUS 12 , Panel: ST7

Principal investigator: dr hab. Jerzy Żuk

Uniwersytet Marii Curie-Skłodowskiej w Lublinie, Wydział Matematyki, Fizyki i Informatyki

Resonant multilevel switched capacitor DC-DC converter with MOSFET WBG transistors made of Silicon Carbide.

Call: PRELUDIUM 11 , Panel: ST7

Principal investigator: Adam Kawa

Akademia Górniczo-Hutnicza im. Stanisława Staszica w Krakowie, Wydział Elektrotechniki, Automatyki, Informatyki i Inżynierii Biomedycznej

Low band gap ternary and quaternary semiconducting nanocrystals: new preparation method, surface functionalization, nano...

Call: OPUS 9 , Panel: ST4

Principal investigator: prof. Adam Proń

Politechnika Warszawska, Wydział Chemiczny