Projekty finansowane przez NCN
Technologia otrzymywania kryształów ZnO o średnicy dwóch cali w celu wytwarzania podłoży epitaksjalnych
2011/01/D/ST7/02657
Słowa kluczowe:
technologia materiałów półprzewodnikowych wzrost kryształów podłoża do epitaksji
Deskryptory:
- ST7_2: Elektrotechnika i elektronika: półprzewodniki, elementy i układy, systemy
- ST7_5: Mikro- i nanoelektronika, optoelektronika
- ST7_12: Inne zagadnienia pokrewne
Panel:
ST7 - Inżynieria systemów i komunikacji: elektronika, komunikacja, optoelektronika
Jednostka realizująca:
Instytut Fizyki Polskiej Akademii Nauk
woj. mazowieckie
Konkurs: SONATA 1 - ogłoszony 2011-03-15
Przyznana kwota: 495 300 PLN
Rozpoczęcie projektu: 2011-12-08
Zakończenie projektu: 2015-12-07
Planowany czas trwania projektu: 48 miesięcy (z wniosku)
Status projektu: Projekt rozliczony
Zakupiona aparatura
- Budowa pieca do wzrostu krysztalów o unowocześnionej konstrukcji. Za kwotę 10 364 PLN
- Komputer stacjonarny.
- Urządzenie do precyzyjnego lapowania i polerowania (Digiprep 301). Za kwotę 64 300 PLN
- Aparat cyfrowy Canon + statyw. Za kwotę 2 000 PLN
- Monitor.
- Budowa pieca do wzrostu kryształów (2 szt.). Za kwotę 22 200 PLN
- Komputer stacjonarny. Za kwotę 3 200 PLN
- Precyzyjna piła drutowa model WS-22. Za kwotę 30 300 PLN
Dane z raportu końcowego/rocznego
- Publikacje w czasopismach (1)
- Hall effect in hopping regimeAutorzy:A. Avdonin, P. Skupiński, K. GraszaCzasopismo:Physica B (rok: 2016, tom: 483, strony: 13–18), Wydawca: ElsevierStatus:OpublikowanaDoi:10.1016/j.physb.2015.12.024 - link do publikacji