Projekty finansowane przez NCN

Dane kierownika projektu i jednostki realizującej

Szczegółowe informacje o projekcie i konkursie

Słowa kluczowe

Aparatura

Wyczyść formularz

Defekty punktowe w amonotermalnym azotku galu

2020/37/B/ST5/03746

Słowa kluczowe:

półprzewodniki azotek galu defekty punktowe

Deskryptory:

  • ST5_2: Materiały o strukturze ciała stałego
  • ST5_13: Metody badań materiałów /nanomateriałów
  • ST3_5: Fizyczne własności półprzewodników i izolatorów

Panel:

ST5 - Synteza i materiały: otrzymywanie materiałów, związki struktury z właściwościami, nowoczesne materiały o założonych właściwościach, architektura (makro)molekularna, chemia organiczna, chemia nieorganiczna

Jednostka realizująca:

Instytut Wysokich Ciśnień Polskiej Akademii Nauk

woj.

Inne projekty tej jednostki 

Kierownik projektu (z jednostki realizującej):

dr Marcin Zając 

Liczba wykonawców projektu: 4

Konkurs: OPUS 19 - ogłoszony 2020-03-16

Przyznana kwota: 1 429 200 PLN

Rozpoczęcie projektu: 2021-01-01

Zakończenie projektu: 2025-01-13

Planowany czas trwania projektu: 48 miesięcy (z wniosku)

Status projektu: Projekt zakończony

Opis Projektu

Pobierz opis projektu w formacie .pdf

Uwaga - opisy projektów zostały sporządzone przez samych autorów wniosków i w niezmienionej formie umieszczone w systemie.

Dane z raportu końcowego/rocznego

  • Publikacje w czasopismach (21)
  1. Defect-related photoluminescence from ammono GaN
    Autorzy:
    M. A. Reshchikov, M. Vorobiov, K. Grabiańska, M. Zajac, M. Iwinska, M. Bockowski
    Czasopismo:
    Journal of Applied Physics (rok: 2021, tom: 129, strony: 95703), Wydawca: American Institute of Physics
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1063/5.0045019 - link do publikacji
  2. Low-Temperature Electrical Transport Properties of Molecular Beam Epitaxy-Grown Mg-Doped GaN Subjected to a High-Temperature Annealing Process
    Autorzy:
    Leszek Konczewicz, Sandrine Juillaguet, Marcin Zajac, Elzbieta Litwin-Staszewska, Mohamed Al Khalfioui, Mathieu Leroux, Benjamin Damilano, Julien Brault, Sylvie Contreras
    Czasopismo:
    PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE (rok: 2023, tom: 2023, strony: 2200769), Wydawca: WILEY-V C H VERLAG GMBH
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1002/pssa.202200769 - link do publikacji
  3. Carbon and Manganese in Semi-Insulating Bulk GaN Crystals
    Autorzy:
    Mikolaj Amilusik,Marcin Zajac,Tomasz Sochacki, Boleslaw Lucznik, Michal Fijalkowski, Malgorzata Iwinska, Damian Wlodarczyk, Ajeesh Kumar Somakumar, Andrzej Suchocki,Michal Bockowski
    Czasopismo:
    Materials (rok: 2022, tom: 15, strony: 2379), Wydawca: MDPI
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.3390/ma15072379 - link do publikacji
  4. The effect of annealing on photoluminescence from defects in ammonothermal GaN
    Autorzy:
    M. A. Reshchikov, D. O. Demchenko, D. Ye, , O. Andrieiev, M. Vorobiov, K. Grabianska, M. Zajac, P. Nita, M. Iwinska, M. Bockowski, B. McEwen, F. Shahedipour-Sandvik
    Czasopismo:
    Journal of Applied Physics (rok: 2022, tom: 131, strony: 35704), Wydawca: American Institute of Physics
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1063/5.0077796 - link do publikacji
  5. Formation of Grown-In Nitrogen Vacancies and Interstitials in Highly Mg-Doped Ammonothermal GaN
    Autorzy:
    Marcin Zajac, Paweł Kaminski, Roman Kozlowski, Elzbieta Litwin-Staszewska, Ryszard Piotrzkowski, Karolina Grabianska, Robert Kucharski and Rafal Jakiela
    Czasopismo:
    MDPI Materials (rok: 2024, tom: 17, strony: 1160), Wydawca: MDPI
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.3390/ma17051160 - link do publikacji
  6. Role of carbon in n-type bulk GaN crystals
    Autorzy:
    M. Amilusik, M. Zajac, M. Fijalkowski, M. Iwinska, T. Sochacki, D. Wlodarczyk, A.K. Somakumar, R. Jakiela, A. Suchocki, M. Bockowski
    Czasopismo:
    Journal of Crystal Growth (rok: 2024, tom: 632, strony: 127641), Wydawca: Elsevier
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1016/j.jcrysgro.2024.127641 - link do publikacji
  7. Electrical Transport Properties of Highly Doped N-Type GaN Materials
    Autorzy:
    L. Konczewicz, E. Litwin-Staszewska, M. Zajac, H. Turski, M. Bockowski, D. Schiavon, M. Chlipała, M. Iwinska, P. Nita, S. Juillaguet, S. Contreras
    Czasopismo:
    Semicoductor Science and Technology (rok: 2022, ), Wydawca: IOP Publishing Ltd.
    Status:
    Przyjęta do publikacji
    Doi:
    10.1088/1361-6641/ac5e01 - link do publikacji
  8. Carbon doped semi-insulating freestanding GaN crystals by ethylene
    Autorzy:
    Qiang Liu, Marcin Zając, Małgorzata Iwińska, Shuai Wang, Wenrong Zhuang, Michał Boćkowski, Xinqiang Wang
    Czasopismo:
    Applied Physics Letters (rok: 2022, tom: 121, strony: 172103), Wydawca: American Institute of Physics
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1063/5.0118250 - link do publikacji
  9. Low-Temperature Electrical Transport Properties of Molecular Beam Epitaxy-Grown Mg-Doped GaN Subjected to a High-Temperature Annealing Process
    Autorzy:
    Leszek Konczewicz, Sandrine Juillaguet, Marcin Zajac, Elzbieta Litwin-Staszewska, Mohamed Al Khalfioui, Mathieu Leroux, Benjamin Damilano, Julien Brault, Sylvie Contreras
    Czasopismo:
    PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE (rok: 2023, tom: 2023, strony: 2200769), Wydawca: WILEY-V C H VERLAG GMBH
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1002/pssa.202200769 - link do publikacji
  10. Electrical transport properties of highly doped N-type GaN materials
    Autorzy:
    L. Konczewicz, E. Litwin-Staszewska; M. Zajac, H. Turski, M. Bockowski, D. Schiavon, M. Chlipala, M. Iwinska, P. Nita, S. Juillaguet, S. Contreras
    Czasopismo:
    Semiconductor Science and Technology (rok: 2022, tom: 37, strony: 55012), Wydawca: IOP Publishing Ltd
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1088/1361-6641/ac5e01 - link do publikacji
  11. Electrical Transport Properties of Highly Doped N-Type GaN Materials
    Autorzy:
    L. Konczewicz, E. Litwin-Staszewska, M. Zajac, H. Turski, M. Bockowski, D. Schiavon, M. Chlipała, M. Iwinska, P. Nita, S. Juillaguet, S. Contreras
    Czasopismo:
    Semicoductor Science and Technology (rok: 2022, ), Wydawca: IOP Publishing Ltd.
    Status:
    Przyjęta do publikacji
    Doi:
    10.1088/1361-6641/ac5e01 - link do publikacji
  12. The effect of annealing on photoluminescence from defects in ammonothermal GaN
    Autorzy:
    M. A. Reshchikov, D. O. Demchenko, D. Ye, , O. Andrieiev, M. Vorobiov, K. Grabianska, M. Zajac, P. Nita, M. Iwinska, M. Bockowski, B. McEwen, F. Shahedipour-Sandvik
    Czasopismo:
    Journal of Applied Physics (rok: 2022, tom: 131, strony: 35704), Wydawca: American Institute of Physics
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1063/5.0077796 - link do publikacji
  13. Carbon and Manganese in Semi-Insulating Bulk GaN Crystals
    Autorzy:
    Mikolaj Amilusik,Marcin Zajac,Tomasz Sochacki, Boleslaw Lucznik, Michal Fijalkowski, Malgorzata Iwinska, Damian Wlodarczyk, Ajeesh Kumar Somakumar, Andrzej Suchocki,Michal Bockowski
    Czasopismo:
    Materials (rok: 2022, tom: 15, strony: 2379), Wydawca: MDPI
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.3390/ma15072379 - link do publikacji
  14. Negative Magnetoresistivity in Highly Doped n-Type GaN
    Autorzy:
    Leszek Konczewicz, ,Malgorzata Iwinska, Elzbieta Litwin-Staszewska, Marcin Zajac, Henryk Turski, Michal Bockowski, Dario Schiavon, Mikołaj Chlipała,Sandrine Juillaguet, Sylvie Contreras
    Czasopismo:
    Materials (rok: 2022, tom: 15, strony: 7069), Wydawca: MDPI
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.3390/ma15207069 - link do publikacji
  15. Electrical transport properties of highly doped N-type GaN materials
    Autorzy:
    L. Konczewicz, E. Litwin-Staszewska; M. Zajac, H. Turski, M. Bockowski, D. Schiavon, M. Chlipala, M. Iwinska, P. Nita, S. Juillaguet, S. Contreras
    Czasopismo:
    Semiconductor Science and Technology (rok: 2022, tom: 37, strony: 55012), Wydawca: IOP Publishing Ltd
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1088/1361-6641/ac5e01 - link do publikacji
  16. Negative Magnetoresistivity in Highly Doped n-Type GaN
    Autorzy:
    Leszek Konczewicz, ,Malgorzata Iwinska, Elzbieta Litwin-Staszewska, Marcin Zajac, Henryk Turski, Michal Bockowski, Dario Schiavon, Mikołaj Chlipała,Sandrine Juillaguet, Sylvie Contreras
    Czasopismo:
    Materials (rok: 2022, tom: 15, strony: 7069), Wydawca: MDPI
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.3390/ma15207069 - link do publikacji
  17. The effect of annealing on photoluminescence from defects in ammonothermal GaN
    Autorzy:
    M. A. Reshchikov, D. O. Demchenko, D. Ye, , O. Andrieiev, M. Vorobiov, K. Grabianska, M. Zajac, P. Nita, M. Iwinska, M. Bockowski, B. McEwen, F. Shahedipour-Sandvik
    Czasopismo:
    Journal of Applied Physics (rok: 2022, tom: 131, strony: 35704), Wydawca: American Institute of Physics
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1063/5.0077796 - link do publikacji
  18. Carbon doped semi-insulating freestanding GaN crystals by ethylene
    Autorzy:
    Qiang Liu, Marcin Zając, Małgorzata Iwińska, Shuai Wang, Wenrong Zhuang, Michał Boćkowski, Xinqiang Wang
    Czasopismo:
    Applied Physics Letters (rok: 2022, tom: 121, strony: 172103), Wydawca: American Institute of Physics
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1063/5.0118250 - link do publikacji
  19. Defect-related photoluminescence from ammono GaN
    Autorzy:
    M. A. Reshchikov, M. Vorobiov, K. Grabiańska, M. Zajac, M. Iwinska, M. Bockowski
    Czasopismo:
    Journal of Applied Physics (rok: 2021, tom: 129, strony: 95703), Wydawca: American Institute of Physics
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1063/5.0045019 - link do publikacji
  20. Defect-related photoluminescence from ammono GaN
    Autorzy:
    M. A. Reshchikov, M. Vorobiov, K. Grabiańska, M. Zajac, M. Iwinska, M. Bockowski
    Czasopismo:
    Journal of Applied Physics (rok: 2021, tom: 129, strony: 95703), Wydawca: American Institute of Physics
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1063/5.0045019 - link do publikacji
  21. Electrical Transport Properties of Highly Doped N-Type GaN Materials
    Autorzy:
    L. Konczewicz, E. Litwin-Staszewska, M. Zajac, H. Turski, M. Bockowski, D. Schiavon, M. Chlipała, M. Iwinska, P. Nita, S. Juillaguet, S. Contreras
    Czasopismo:
    Semicoductor Science and Technology (rok: 2022, ), Wydawca: IOP Publishing Ltd.
    Status:
    Przyjęta do publikacji
    Doi:
    10.1088/1361-6641/ac5e01 - link do publikacji

O Narodowym Centrum Nauki

Finansowanie nauki

Współpraca zagraniczna

Centrum prasowe

Deklaracja dostępności
Przetwarzanie danych osobowych
Polityka cookies

Partnerzy