Laser diodes grown on porous GaN by plasma-assisted molecular beam epitaxy
Autorzy:
N. Fiuczek, M. Hajdel, A. Kafar, G.Muziol, M. Siekacz, A. Feduniewicz-Żmuda, O. Gołyga, C. Skierbiszewski and M. Sawicka
Czasopismo:
Optical Materials Express (rok: 2023, tom: 13, strony: 1201), Wydawca: Optica Publishing Group
Bidirectional light-emitting diode as a visible light source driven by alternating current
Autorzy:
M. Żak, G. Muziol, M. Siekacz, A. Bercha, M. Hajdel, K. Nowakowski-Szkudlarek, A. Lachowski, M. Chlipała, P. Wolny, H. Turski, and C. Skierbiszewski
Czasopismo:
Nature Communications (rok: 2023, tom: 14, strony: 7562), Wydawca: Nature
Light emission at reverse voltage in a wide-well (In, Ga)N/GaN light-emitting diode
Autorzy:
Artem Bercha, Konrad Sakowski, Grzegorz Muziol, Mateusz Hajdel, and Witold Trzeciakowski
Czasopismo:
PHYSICAL REVIEW APPLIED (rok: 2024, tom: 21, strony: 54030), Wydawca: American Physical Society
Long-Lived Excitations in Wide ( In , Ga ) N / Ga N Quantum Wells
Autorzy:
A. Bercha, G. Muziol, M. Chlipala, and W. Trzeciakowski
Czasopismo:
Physical Review Applied (rok: 2023, tom: 20, strony: 34040), Wydawca: American Physical Society
III-nitride optoelectronic devices containing wide quantum wells—unexpectedly efficient light sources
Autorzy:
G. Muziol, M. Hajdel, M. Siekacz, H. Turski, K. Pieniak, A. Bercha, W. Trzeciakowski, R. Kudrawiec, T. Suski, and C. Skierbiszewski
Czasopismo:
Japanese Journal of Applied Physics (rok: 2021, tom: 61, strony: SA0801), Wydawca: The Japan Society of Applied Physics
Dynamical Behavior of a Stacked Blue Laser Diode Consisting of Two Active Regions with Wide InGaN Quantum Wells and Two Tunnel Junctions
Autorzy:
Jannina Tepaβ, Lukas Uhlig, Mateusz Hajdel, Marcin Siekacz, Grzegorz Muziol, Ulrich Theodor Schwarz
Czasopismo:
physica status solidi (a) (rok: 2024, tom: nie dotyczy, strony: 2400071), Wydawca: Wiley
Theoretical and Experimental Studies on Material Gain for Wide Polar InGaN Quantum Well-Mechanism Leading to Electric Field Screening and Lasing
Autorzy:
M. Gładysiewicz, R. Kudrawiec, G. Muzioł, H. Turski, and C. Skierbiszewski
Czasopismo:
Advanced Physics Research (rok: 2023, tom: 2, strony: 2200107), Wydawca: Wiley
Vertical Integration of Nitride Laser Diodes and Light Emitting Diodes by Tunnel Junctions
Autorzy:
M. Siekacz, G. Muziol, H. Turski, M. Hajdel, M. Żak, M. Chlipała, M. Sawicka, K. Nowakowski-Szkudlarek, A. Feduniewicz-Żmuda, J. Smalc-Koziorowska, S. Stańczyk, and C. Skierbiszewski
Czasopismo:
Electronics (rok: 2020, tom: 9, strony: 1481), Wydawca: MDPI
Electrically pumped blue laser diodes with nanoporous bottom cladding
Autorzy:
Marta Sawicka, Grzegorz Muziol, Natalia Fiuczek, Mateusz Hajdel, Marcin Siekacz, Anna Feduniewicz-Żmuda, Krzesimir Nowakowski-Szkudlarek, Paweł Wolny, Mikołaj Żak, Henryk Turski, and Czesław Skierbiszewski
Czasopismo:
Optics Express (rok: 2022, tom: 30, strony: 10709-10722), Wydawca: Optica
Vertical Integration of Nitride Laser Diodes and Light Emitting Diodes by Tunnel Junctions
Autorzy:
M. Siekacz, G. Muziol, H. Turski, M. Hajdel, M. Żak, M. Chlipała, M. Sawicka, K. Nowakowski-Szkudlarek, A. Feduniewicz-Żmuda, J. Smalc-Koziorowska, S. Stańczyk, and C. Skierbiszewski
Czasopismo:
Electronics (rok: 2020, tom: 9, strony: 1481), Wydawca: MDPI
Dependence of InGaN Quantum Well Thickness on the Nature of Optical Transitions in LEDs
Autorzy:
M. Hajdel, M. Chlipała, M. Siekacz, H. Turski, P. Wolny, K. Nowakowski-Szkudlarek, A. Feduniewicz-Żmuda, C. Skierbiszewski, and G. Muziol
Czasopismo:
Materials (rok: 2021, tom: 15, strony: 237), Wydawca: MDPI
Tunnel Junctions with a Doped (In,Ga)N Quantum Well for Vertical Integration of III-Nitride Optoelectronic Devices
Autorzy:
M. Żak, G. Muziol, H. Turski, M. Siekacz, K. Nowakowski-Szkudlarek, A. Feduniewicz-Żmuda, M. Chlipała, A. Lachowski, and C. Skierbiszewski
Czasopismo:
Physical Review Applied (rok: 2021, tom: 15, strony: 24046), Wydawca: American Physical Society
Bright Emission at Reverse Bias After Trailing Edge of Driving Pulse in Wide InGaN Quantum Wells
Autorzy:
Jannina Tepaß, Lukas Uhlig, Mateusz Hajdel, Grzegorz Muziol, Ulrich T. Schwarz
Czasopismo:
Phys. Status Solidi A (rok: 2023, tom: 220, strony: 2300042), Wydawca: Wiley
Evidence for dark charge" from photoluminescence measurements in wide InGaN quantum wells
Autorzy:
A. Bercha, W. Trzeciakowski, G. Muziol, J. W. Tomm, and T. Suski
Czasopismo:
Optics Express (rok: 2023, tom: 31, strony: 3227), Wydawca: Optica Publishing Group
Evolution of a dominant light emission mechanism induced by changes of the quantum well width in InGaN/GaN LEDs and LDs
Autorzy:
K. Pieniak, W. Trzeciakowski, G. Muzioł, A. Kafar, M. Siekacz, C. Skierbiszewski, and T. Suski
Czasopismo:
Optics Express (rok: 2021, tom: 29, strony: 40804-40818), Wydawca: Optic
Vertical Integration of Nitride Laser Diodes and Light Emitting Diodes by Tunnel Junctions
Autorzy:
M. Siekacz, G. Muziol, H. Turski, M. Hajdel, M. Żak, M. Chlipała, M. Sawicka, K. Nowakowski-Szkudlarek, A. Feduniewicz-Żmuda, J. Smalc-Koziorowska, S. Stańczyk, and C. Skierbiszewski
Czasopismo:
Electronics (rok: 2020, tom: 9, strony: 1481), Wydawca: MDPI
Dependence of InGaN Quantum Well Thickness on the Nature of Optical Transitions in LEDs
Autorzy:
M. Hajdel, M. Chlipała, M. Siekacz, H. Turski, P. Wolny, K. Nowakowski-Szkudlarek, A. Feduniewicz-Żmuda, C. Skierbiszewski, and G. Muziol
Czasopismo:
Materials (rok: 2021, tom: 15, strony: 237), Wydawca: MDPI
Bidirectional light-emitting diode as a visible light source driven by alternating current
Autorzy:
M. Żak, G. Muziol, M. Siekacz, A. Bercha, M. Hajdel, K. Nowakowski-Szkudlarek, A. Lachowski, M. Chlipała, P. Wolny, H. Turski, and C. Skierbiszewski
Czasopismo:
Nature Communications (rok: 2023, tom: 14, strony: 7562), Wydawca: Nature
Laser diodes grown on porous GaN by plasma-assisted molecular beam epitaxy
Autorzy:
N. Fiuczek, M. Hajdel, A. Kafar, G.Muziol, M. Siekacz, A. Feduniewicz-Żmuda, O. Gołyga, C. Skierbiszewski and M. Sawicka
Czasopismo:
Optical Materials Express (rok: 2023, tom: 13, strony: 1201), Wydawca: Optica Publishing Group
Quantum-confined Stark effect and mechanisms of its screening in InGaN/GaN light-emitting diodes with a tunnel junction
Autorzy:
K. Pieniak, M. Chlipala, H. Turski, W. Trzeciakowski, G. Muziol, G. Staszczak, A. Kafar, I. Makarowa, E. Grzanka, S. Grzanka, C. Skierbiszewski, and T. Suski
Czasopismo:
Optics Express (rok: 2021, tom: 29, strony: 1824-1837), Wydawca: Optica
Evolution of a dominant light emission mechanism induced by changes of the quantum well width in InGaN/GaN LEDs and LDs
Autorzy:
K. Pieniak, W. Trzeciakowski, G. Muzioł, A. Kafar, M. Siekacz, C. Skierbiszewski, and T. Suski
Czasopismo:
Optics Express (rok: 2021, tom: 29, strony: 40804-40818), Wydawca: Optic
Fabrication of GaN-air channels for embedded photonic structures
Autorzy:
M. Sawicka, O. Gołyga, N. Fiuczek, G. Muzioł, A. Feduniewicz-Żmuda, M. Siekacz, H. Turski, R. Czernecki, E. Grzanka, I. Prozheev, F. Tuomisto, and C. Skierbiszewski
Czasopismo:
Materials Science in Semiconductor Processing (rok: 2023, tom: 155, strony: 107234), Wydawca: ELSEVIER
Long-Lived Excitations in Wide ( In , Ga ) N / Ga N Quantum Wells
Autorzy:
A. Bercha, G. Muziol, M. Chlipala, and W. Trzeciakowski
Czasopismo:
Physical Review Applied (rok: 2023, tom: 20, strony: 34040), Wydawca: American Physical Society
III-nitride optoelectronic devices containing wide quantum wells—unexpectedly efficient light sources
Autorzy:
G. Muziol, M. Hajdel, M. Siekacz, H. Turski, K. Pieniak, A. Bercha, W. Trzeciakowski, R. Kudrawiec, T. Suski, and C. Skierbiszewski
Czasopismo:
Japanese Journal of Applied Physics (rok: 2021, tom: 61, strony: SA0801), Wydawca: The Japan Society of Applied Physics
Dependence of InGaN Quantum Well Thickness on the Nature of Optical Transitions in LEDs
Autorzy:
M. Hajdel, M. Chlipała, M. Siekacz, H. Turski, P. Wolny, K. Nowakowski-Szkudlarek, A. Feduniewicz-Żmuda, C. Skierbiszewski, and G. Muziol
Czasopismo:
Materials (rok: 2021, tom: 15, strony: 237), Wydawca: MDPI
Vertical Integration of Nitride Laser Diodes and Light Emitting Diodes by Tunnel Junctions
Autorzy:
M. Siekacz, G. Muziol, H. Turski, M. Hajdel, M. Żak, M. Chlipała, M. Sawicka, K. Nowakowski-Szkudlarek, A. Feduniewicz-Żmuda, J. Smalc-Koziorowska, S. Stańczyk, and C. Skierbiszewski
Czasopismo:
Electronics (rok: 2020, tom: 9, strony: 1481), Wydawca: MDPI
III-nitride optoelectronic devices containing wide quantum wells—unexpectedly efficient light sources
Autorzy:
G. Muziol, M. Hajdel, M. Siekacz, H. Turski, K. Pieniak, A. Bercha, W. Trzeciakowski, R. Kudrawiec, T. Suski, and C. Skierbiszewski
Czasopismo:
Japanese Journal of Applied Physics (rok: 2021, tom: 61, strony: SA0801), Wydawca: The Japan Society of Applied Physics
Tunnel Junctions with a Doped (In,Ga)N Quantum Well for Vertical Integration of III-Nitride Optoelectronic Devices
Autorzy:
M. Żak, G. Muziol, H. Turski, M. Siekacz, K. Nowakowski-Szkudlarek, A. Feduniewicz-Żmuda, M. Chlipała, A. Lachowski, and C. Skierbiszewski
Czasopismo:
Physical Review Applied (rok: 2021, tom: 15, strony: 24046), Wydawca: American Physical Society
Quantum-confined Stark effect and mechanisms of its screening in InGaN/GaN light-emitting diodes with a tunnel junction
Autorzy:
K. Pieniak, M. Chlipala, H. Turski, W. Trzeciakowski, G. Muziol, G. Staszczak, A. Kafar, I. Makarowa, E. Grzanka, S. Grzanka, C. Skierbiszewski, and T. Suski
Czasopismo:
Optics Express (rok: 2021, tom: 29, strony: 1824-1837), Wydawca: Optica
GaN-based bipolar cascade lasers with 25 nm wide quantum wells
Autorzy:
J. Piprek, G. Muziol, M. Siekacz, and C. Skierbiszewski
Czasopismo:
Optical and Quantum Electronics (rok: 2022, tom: 54, strony: 62), Wydawca: Springer
Distributed-feedback blue laser diode utilizing a tunnel junction grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy
Autorzy:
G. Muziol, M. Hajdel, H. Turski, K. Nomoto, M. Siekacz, K. Nowakowski-Szkudlarek, M. Żak, D. Jena, H. G. Xing, P. Perlin, and C. Skierbiszewski
Czasopismo:
Optics Express (rok: 2020, tom: 28, strony: 35321-35329), Wydawca: Optica
Impact of Interfaces on Photoluminescence Efficiency of High-Indium-Content (In,Ga)N Quantum Wells
Autorzy:
P. Wolny, H. Turski, G. Muziol, M. Sawicka, J. Smalc-Koziorowska, J. Moneta, M. Hajdel, A. Feduniewicz-Żmuda, S. Grzanka, R. Kudrawiec, and C. Skierbiszewski
Czasopismo:
Physical Review Applied (rok: 2023, tom: 19, strony: 14044), Wydawca: American Physics Society
Fabrication of GaN-air channels for embedded photonic structures
Autorzy:
M. Sawicka, O. Gołyga, N. Fiuczek, G. Muzioł, A. Feduniewicz-Żmuda, M. Siekacz, H. Turski, R. Czernecki, E. Grzanka, I. Prozheev, F. Tuomisto, and C. Skierbiszewski
Czasopismo:
Materials Science in Semiconductor Processing (rok: 2023, tom: 155, strony: 107234), Wydawca: ELSEVIER
Distributed-feedback blue laser diode utilizing a tunnel junction grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy
Autorzy:
G. Muziol, M. Hajdel, H. Turski, K. Nomoto, M. Siekacz, K. Nowakowski-Szkudlarek, M. Żak, D. Jena, H. G. Xing, P. Perlin, and C. Skierbiszewski
Czasopismo:
Optics Express (rok: 2020, tom: 28, strony: 35321-35329), Wydawca: Optica
GaN-based bipolar cascade lasers with 25 nm wide quantum wells
Autorzy:
J. Piprek, G. Muziol, M. Siekacz, and C. Skierbiszewski
Czasopismo:
Optical and Quantum Electronics (rok: 2022, tom: 54, strony: 62), Wydawca: Springer
Electrically pumped blue laser diodes with nanoporous bottom cladding
Autorzy:
Marta Sawicka, Grzegorz Muziol, Natalia Fiuczek, Mateusz Hajdel, Marcin Siekacz, Anna Feduniewicz-Żmuda, Krzesimir Nowakowski-Szkudlarek, Paweł Wolny, Mikołaj Żak, Henryk Turski, and Czesław Skierbiszewski
Czasopismo:
Optics Express (rok: 2022, tom: 30, strony: 10709-10722), Wydawca: Optica
Ion implantation of tunnel junction as a method for defining the aperture of III-nitride-based micro-light-emitting diodes
Autorzy:
J. Slawinska, G. Muziol, M. Siekacz, H. Turski, M. Hajdel, M. Zak, A. Feduniewicz-Zmuda, G. Staszczak, and C. Skierbiszewski
Czasopismo:
Optics Express (rok: 2022, tom: 30, strony: 27004-27014), Wydawca: Optica
GaN-based bipolar cascade lasers with 25 nm wide quantum wells
Autorzy:
J. Piprek, G. Muziol, M. Siekacz & C. Skierbiszewski
Czasopismo:
Optical and Quantum Electronics (rok: 2022, tom: 54, strony: 62), Wydawca: Springer
Evolution of a dominant light emission mechanism induced by changes of the quantum well width in InGaN/GaN LEDs and LDs
Autorzy:
K. Pieniak, W. Trzeciakowski, G. Muzioł, A. Kafar, M. Siekacz, C. Skierbiszewski, and T. Suski
Czasopismo:
Optics Express (rok: 2021, tom: 29, strony: 40804-40818), Wydawca: Optic
III-nitride optoelectronic devices containing wide quantum wells—unexpectedly efficient light sources
Autorzy:
G. Muziol, M. Hajdel, M. Siekacz, H. Turski, K. Pieniak, A. Bercha, W. Trzeciakowski, R. Kudrawiec, T. Suski, and C. Skierbiszewski
Czasopismo:
Japanese Journal of Applied Physics (rok: 2021, tom: 61, strony: SA0801), Wydawca: The Japan Society of Applied Physics
Distributed-feedback blue laser diode utilizing a tunnel junction grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy
Autorzy:
G. Muziol, M. Hajdel, H. Turski, K. Nomoto, M. Siekacz, K. Nowakowski-Szkudlarek, M. Żak, D. Jena, H. G. Xing, P. Perlin, and C. Skierbiszewski
Czasopismo:
Optics Express (rok: 2020, tom: 28, strony: 35321-35329), Wydawca: Optica
Transition between quantum confinement and bulklike behavior in polar quantum wells
Autorzy:
Lukas Uhlig, Jannina Tepaß, Mateusz Hajdel, Grzegorz Muziol, and Ulrich T. Schwarz
Czasopismo:
Phys. Rev. B (rok: 2023, tom: 108, strony: 45304), Wydawca: American Physical Society
Electrically pumped blue laser diodes with nanoporous bottom cladding
Autorzy:
Marta Sawicka, Grzegorz Muziol, Natalia Fiuczek, Mateusz Hajdel, Marcin Siekacz, Anna Feduniewicz-Żmuda, Krzesimir Nowakowski-Szkudlarek, Paweł Wolny, Mikołaj Żak, Henryk Turski, and Czesław Skierbiszewski
Czasopismo:
Optics Express (rok: 2022, tom: 30, strony: 10709-10722), Wydawca: Optica
Bright Emission at Reverse Bias After Trailing Edge of Driving Pulse in Wide InGaN Quantum Wells
Autorzy:
Jannina Tepaß, Lukas Uhlig, Mateusz Hajdel, Grzegorz Muziol, Ulrich T. Schwarz
Czasopismo:
Phys. Status Solidi A (rok: 2023, tom: 220, strony: 2300042), Wydawca: Wiley
Competition between built-in polarization and p–n junction field in III-nitride heterostructures
Autorzy:
H. Turski, M. Chlipala, E. Zdanowicz, E. Rogowicz, G. Muziol, J. Moneta, S. Grzanka, M. Kryśko, M. Syperek, R. Kudrawiec, and C. Skierbiszewski
Czasopismo:
Journal of Applied Physics (rok: 2023, tom: 134, strony: 243105), Wydawca: AIP Publishing
Impact of Interfaces on Photoluminescence Efficiency of High-Indium-Content (In,Ga)N Quantum Wells
Autorzy:
P. Wolny, H. Turski, G. Muziol, M. Sawicka, J. Smalc-Koziorowska, J. Moneta, M. Hajdel, A. Feduniewicz-Żmuda, S. Grzanka, R. Kudrawiec, and C. Skierbiszewski
Czasopismo:
Physical Review Applied (rok: 2023, tom: 19, strony: 14044), Wydawca: American Physics Society
Distributed-feedback blue laser diode utilizing a tunnel junction grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy
Autorzy:
G. Muziol, M. Hajdel, H. Turski, K. Nomoto, M. Siekacz, K. Nowakowski-Szkudlarek, M. Żak, D. Jena, H. G. Xing, P. Perlin, and C. Skierbiszewski
Czasopismo:
Optics Express (rok: 2020, tom: 28, strony: 35321-35329), Wydawca: Optica
Quantum-confined Stark effect and mechanisms of its screening in InGaN/GaN light-emitting diodes with a tunnel junction
Autorzy:
K. Pieniak, M. Chlipala, H. Turski, W. Trzeciakowski, G. Muziol, G. Staszczak, A. Kafar, I. Makarowa, E. Grzanka, S. Grzanka, C. Skierbiszewski, and T. Suski
Czasopismo:
Optics Express (rok: 2021, tom: 29, strony: 1824-1837), Wydawca: Optica
Evolution of a dominant light emission mechanism induced by changes of the quantum well width in InGaN/GaN LEDs and LDs
Autorzy:
K. Pieniak, W. Trzeciakowski, G. Muzioł, A. Kafar, M. Siekacz, C. Skierbiszewski, and T. Suski
Czasopismo:
Optics Express (rok: 2021, tom: 29, strony: 40804-40818), Wydawca: Optic
Ion implantation of tunnel junction as a method for defining the aperture of III-nitride-based micro-light-emitting diodes
Autorzy:
J. Slawinska, G. Muziol, M. Siekacz, H. Turski, M. Hajdel, M. Zak, A. Feduniewicz-Zmuda, G. Staszczak, and C. Skierbiszewski
Czasopismo:
Optics Express (rok: 2022, tom: 30, strony: 27004-27014), Wydawca: Optica
Competition between built-in polarization and p–n junction field in III-nitride heterostructures
Autorzy:
H. Turski, M. Chlipala, E. Zdanowicz, E. Rogowicz, G. Muziol, J. Moneta, S. Grzanka, M. Kryśko, M. Syperek, R. Kudrawiec, and C. Skierbiszewski
Czasopismo:
Journal of Applied Physics (rok: 2023, tom: 134, strony: 243105), Wydawca: AIP Publishing
Theoretical and Experimental Studies on Material Gain for Wide Polar InGaN Quantum Well-Mechanism Leading to Electric Field Screening and Lasing
Autorzy:
M. Gładysiewicz, R. Kudrawiec, G. Muzioł, H. Turski, and C. Skierbiszewski
Czasopismo:
Advanced Physics Research (rok: 2023, tom: 2, strony: 2200107), Wydawca: Wiley
Tunnel Junctions with a Doped (In,Ga)N Quantum Well for Vertical Integration of III-Nitride Optoelectronic Devices
Autorzy:
M. Żak, G. Muziol, H. Turski, M. Siekacz, K. Nowakowski-Szkudlarek, A. Feduniewicz-Żmuda, M. Chlipała, A. Lachowski, and C. Skierbiszewski
Czasopismo:
Physical Review Applied (rok: 2021, tom: 15, strony: 24046), Wydawca: American Physical Society
Transition between quantum confinement and bulklike behavior in polar quantum wells
Autorzy:
Lukas Uhlig, Jannina Tepaß, Mateusz Hajdel, Grzegorz Muziol, and Ulrich T. Schwarz
Czasopismo:
Phys. Rev. B (rok: 2023, tom: 108, strony: 45304), Wydawca: American Physical Society
Evidence for dark charge" from photoluminescence measurements in wide InGaN quantum wells
Autorzy:
A. Bercha, W. Trzeciakowski, G. Muziol, J. W. Tomm, and T. Suski
Czasopismo:
Optics Express (rok: 2023, tom: 31, strony: 3227), Wydawca: Optica Publishing Group
Tunnel Junctions with a Doped (In,Ga)N Quantum Well for Vertical Integration of III-Nitride Optoelectronic Devices
Autorzy:
M. Żak, G. Muziol, H. Turski, M. Siekacz, K. Nowakowski-Szkudlarek, A. Feduniewicz-Żmuda, M. Chlipała, A. Lachowski, and C. Skierbiszewski
Czasopismo:
Physical Review Applied (rok: 2021, tom: 15, strony: 24046), Wydawca: American Physical Society
Ion implantation of tunnel junction as a method for defining the aperture of III-nitride-based micro-light-emitting diodes
Autorzy:
J. Slawinska, G. Muziol, M. Siekacz, H. Turski, M. Hajdel, M. Zak, A. Feduniewicz-Zmuda, G. Staszczak, and C. Skierbiszewski
Czasopismo:
Optics Express (rok: 2022, tom: 30, strony: 27004-27014), Wydawca: Optica
Dependence of InGaN Quantum Well Thickness on the Nature of Optical Transitions in LEDs
Autorzy:
M. Hajdel, M. Chlipała, M. Siekacz, H. Turski, P. Wolny, K. Nowakowski-Szkudlarek, A. Feduniewicz-Żmuda, C. Skierbiszewski, and G. Muziol
Czasopismo:
Materials (rok: 2021, tom: 15, strony: 237), Wydawca: MDPI
Quantum-confined Stark effect and mechanisms of its screening in InGaN/GaN light-emitting diodes with a tunnel junction
Autorzy:
K. Pieniak, M. Chlipala, H. Turski, W. Trzeciakowski, G. Muziol, G. Staszczak, A. Kafar, I. Makarowa, E. Grzanka, S. Grzanka, C. Skierbiszewski, and T. Suski
Czasopismo:
Optics Express (rok: 2021, tom: 29, strony: 1824-1837), Wydawca: Optica