Projekty finansowane przez NCN


Dane kierownika projektu i jednostki realizującej

Szczegółowe informacje o projekcie i konkursie

Słowa kluczowe

Aparatura

Wyczyść formularz

Obejście pól piezoelektrycznych w heterostrukturach azotków grupy III – droga do rozwiązania problemu "green gap"

2019/35/D/ST3/03008

Słowa kluczowe:

InGaN studnie kwantowe pola piezoelektryczne diody elektroluminescencyjne epitaksja z wiązek molekularnych

Deskryptory:

  • ST3_10: Nanofizyka: nanoelekronika, nanofotonika, nanomagnetyzm, nanoelektromechanika, itp.
  • ST5_4: Cienkie warstwy

Panel:

ST3 - Fizyka fazy skondensowanej: struktura, własności elektronowe, płyny, nano-nauka

Jednostka realizująca:

Instytut Wysokich Ciśnień Polskiej Akademii Nauk

woj.

Inne projekty tej jednostki 

Kierownik projektu (z jednostki realizującej):

dr Grzegorz Muzioł 

Liczba wykonawców projektu: 4

Konkurs: SONATA 15 - ogłoszony 2019-09-16

Przyznana kwota: 1 385 887 PLN

Rozpoczęcie projektu: 2020-07-09

Zakończenie projektu: 2024-07-08

Planowany czas trwania projektu: 48 miesięcy (z wniosku)

Status projektu: Projekt rozliczony

Opis Projektu

Pobierz opis projektu w formacie .pdf

Uwaga - opisy projektów zostały sporządzone przez samych autorów wniosków i w niezmienionej formie umieszczone w systemie.

Dane z raportu końcowego/rocznego

  • Publikacje w czasopismach (59)
  1. Laser diodes grown on porous GaN by plasma-assisted molecular beam epitaxy
    Autorzy:
    N. Fiuczek, M. Hajdel, A. Kafar, G.Muziol, M. Siekacz, A. Feduniewicz-Żmuda, O. Gołyga, C. Skierbiszewski and M. Sawicka
    Czasopismo:
    Optical Materials Express (rok: 2023, tom: 13, strony: 1201), Wydawca: Optica Publishing Group
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1364/OME.485588 - link do publikacji
  2. Bidirectional light-emitting diode as a visible light source driven by alternating current
    Autorzy:
    M. Żak, G. Muziol, M. Siekacz, A. Bercha, M. Hajdel, K. Nowakowski-Szkudlarek, A. Lachowski, M. Chlipała, P. Wolny, H. Turski, and C. Skierbiszewski
    Czasopismo:
    Nature Communications (rok: 2023, tom: 14, strony: 7562), Wydawca: Nature
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1038/s41467-023-43335-7 - link do publikacji
  3. Light emission at reverse voltage in a wide-well (In, Ga)N/GaN light-emitting diode
    Autorzy:
    Artem Bercha, Konrad Sakowski, Grzegorz Muziol, Mateusz Hajdel, and Witold Trzeciakowski
    Czasopismo:
    PHYSICAL REVIEW APPLIED (rok: 2024, tom: 21, strony: 54030), Wydawca: American Physical Society
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1103/PhysRevApplied.21.054030 - link do publikacji
  4. Long-Lived Excitations in Wide ( In , Ga ) N / Ga N Quantum Wells
    Autorzy:
    A. Bercha, G. Muziol, M. Chlipala, and W. Trzeciakowski
    Czasopismo:
    Physical Review Applied (rok: 2023, tom: 20, strony: 34040), Wydawca: American Physical Society
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1103/PhysRevApplied.20.034040 - link do publikacji
  5. III-nitride optoelectronic devices containing wide quantum wells—unexpectedly efficient light sources
    Autorzy:
    G. Muziol, M. Hajdel, M. Siekacz, H. Turski, K. Pieniak, A. Bercha, W. Trzeciakowski, R. Kudrawiec, T. Suski, and C. Skierbiszewski
    Czasopismo:
    Japanese Journal of Applied Physics (rok: 2021, tom: 61, strony: SA0801), Wydawca: The Japan Society of Applied Physics
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.35848/1347-4065/ac3c1a - link do publikacji
  6. Dynamical Behavior of a Stacked Blue Laser Diode Consisting of Two Active Regions with Wide InGaN Quantum Wells and Two Tunnel Junctions
    Autorzy:
    Jannina Tepaβ, Lukas Uhlig, Mateusz Hajdel, Marcin Siekacz, Grzegorz Muziol, Ulrich Theodor Schwarz
    Czasopismo:
    physica status solidi (a) (rok: 2024, tom: nie dotyczy, strony: 2400071), Wydawca: Wiley
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1002/pssa.202400071 - link do publikacji
  7. Theoretical and Experimental Studies on Material Gain for Wide Polar InGaN Quantum Well-Mechanism Leading to Electric Field Screening and Lasing
    Autorzy:
    M. Gładysiewicz, R. Kudrawiec, G. Muzioł, H. Turski, and C. Skierbiszewski
    Czasopismo:
    Advanced Physics Research (rok: 2023, tom: 2, strony: 2200107), Wydawca: Wiley
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1002/apxr.202200107 - link do publikacji
  8. Vertical Integration of Nitride Laser Diodes and Light Emitting Diodes by Tunnel Junctions
    Autorzy:
    M. Siekacz, G. Muziol, H. Turski, M. Hajdel, M. Żak, M. Chlipała, M. Sawicka, K. Nowakowski-Szkudlarek, A. Feduniewicz-Żmuda, J. Smalc-Koziorowska, S. Stańczyk, and C. Skierbiszewski
    Czasopismo:
    Electronics (rok: 2020, tom: 9, strony: 1481), Wydawca: MDPI
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.3390/electronics9091481 - link do publikacji
  9. Electrically pumped blue laser diodes with nanoporous bottom cladding
    Autorzy:
    Marta Sawicka, Grzegorz Muziol, Natalia Fiuczek, Mateusz Hajdel, Marcin Siekacz, Anna Feduniewicz-Żmuda, Krzesimir Nowakowski-Szkudlarek, Paweł Wolny, Mikołaj Żak, Henryk Turski, and Czesław Skierbiszewski
    Czasopismo:
    Optics Express (rok: 2022, tom: 30, strony: 10709-10722), Wydawca: Optica
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1364/OE.454359 - link do publikacji
  10. Vertical Integration of Nitride Laser Diodes and Light Emitting Diodes by Tunnel Junctions
    Autorzy:
    M. Siekacz, G. Muziol, H. Turski, M. Hajdel, M. Żak, M. Chlipała, M. Sawicka, K. Nowakowski-Szkudlarek, A. Feduniewicz-Żmuda, J. Smalc-Koziorowska, S. Stańczyk, and C. Skierbiszewski
    Czasopismo:
    Electronics (rok: 2020, tom: 9, strony: 1481), Wydawca: MDPI
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.3390/electronics9091481 - link do publikacji
  11. Dependence of InGaN Quantum Well Thickness on the Nature of Optical Transitions in LEDs
    Autorzy:
    M. Hajdel, M. Chlipała, M. Siekacz, H. Turski, P. Wolny, K. Nowakowski-Szkudlarek, A. Feduniewicz-Żmuda, C. Skierbiszewski, and G. Muziol
    Czasopismo:
    Materials (rok: 2021, tom: 15, strony: 237), Wydawca: MDPI
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.3390/ma15010237 - link do publikacji
  12. Tunnel Junctions with a Doped (In,Ga)N Quantum Well for Vertical Integration of III-Nitride Optoelectronic Devices
    Autorzy:
    M. Żak, G. Muziol, H. Turski, M. Siekacz, K. Nowakowski-Szkudlarek, A. Feduniewicz-Żmuda, M. Chlipała, A. Lachowski, and C. Skierbiszewski
    Czasopismo:
    Physical Review Applied (rok: 2021, tom: 15, strony: 24046), Wydawca: American Physical Society
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    PhysRevApplied.15.024046 - link do publikacji
  13. Bright Emission at Reverse Bias After Trailing Edge of Driving Pulse in Wide InGaN Quantum Wells
    Autorzy:
    Jannina Tepaß, Lukas Uhlig, Mateusz Hajdel, Grzegorz Muziol, Ulrich T. Schwarz
    Czasopismo:
    Phys. Status Solidi A (rok: 2023, tom: 220, strony: 2300042), Wydawca: Wiley
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1002/pssa.202300042 - link do publikacji
  14. Evidence for dark charge" from photoluminescence measurements in wide InGaN quantum wells
    Autorzy:
    A. Bercha, W. Trzeciakowski, G. Muziol, J. W. Tomm, and T. Suski
    Czasopismo:
    Optics Express (rok: 2023, tom: 31, strony: 3227), Wydawca: Optica Publishing Group
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1364/OE.480074 - link do publikacji
  15. Evolution of a dominant light emission mechanism induced by changes of the quantum well width in InGaN/GaN LEDs and LDs
    Autorzy:
    K. Pieniak, W. Trzeciakowski, G. Muzioł, A. Kafar, M. Siekacz, C. Skierbiszewski, and T. Suski
    Czasopismo:
    Optics Express (rok: 2021, tom: 29, strony: 40804-40818), Wydawca: Optic
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1364/OE.441387 - link do publikacji
  16. Vertical Integration of Nitride Laser Diodes and Light Emitting Diodes by Tunnel Junctions
    Autorzy:
    M. Siekacz, G. Muziol, H. Turski, M. Hajdel, M. Żak, M. Chlipała, M. Sawicka, K. Nowakowski-Szkudlarek, A. Feduniewicz-Żmuda, J. Smalc-Koziorowska, S. Stańczyk, and C. Skierbiszewski
    Czasopismo:
    Electronics (rok: 2020, tom: 9, strony: 1481), Wydawca: MDPI
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.3390/electronics9091481 - link do publikacji
  17. Dependence of InGaN Quantum Well Thickness on the Nature of Optical Transitions in LEDs
    Autorzy:
    M. Hajdel, M. Chlipała, M. Siekacz, H. Turski, P. Wolny, K. Nowakowski-Szkudlarek, A. Feduniewicz-Żmuda, C. Skierbiszewski, and G. Muziol
    Czasopismo:
    Materials (rok: 2021, tom: 15, strony: 237), Wydawca: MDPI
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.3390/ma15010237 - link do publikacji
  18. Bidirectional light-emitting diode as a visible light source driven by alternating current
    Autorzy:
    M. Żak, G. Muziol, M. Siekacz, A. Bercha, M. Hajdel, K. Nowakowski-Szkudlarek, A. Lachowski, M. Chlipała, P. Wolny, H. Turski, and C. Skierbiszewski
    Czasopismo:
    Nature Communications (rok: 2023, tom: 14, strony: 7562), Wydawca: Nature
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1038/s41467-023-43335-7 - link do publikacji
  19. Laser diodes grown on porous GaN by plasma-assisted molecular beam epitaxy
    Autorzy:
    N. Fiuczek, M. Hajdel, A. Kafar, G.Muziol, M. Siekacz, A. Feduniewicz-Żmuda, O. Gołyga, C. Skierbiszewski and M. Sawicka
    Czasopismo:
    Optical Materials Express (rok: 2023, tom: 13, strony: 1201), Wydawca: Optica Publishing Group
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1364/OME.485588 - link do publikacji
  20. Quantum-confined Stark effect and mechanisms of its screening in InGaN/GaN light-emitting diodes with a tunnel junction
    Autorzy:
    K. Pieniak, M. Chlipala, H. Turski, W. Trzeciakowski, G. Muziol, G. Staszczak, A. Kafar, I. Makarowa, E. Grzanka, S. Grzanka, C. Skierbiszewski, and T. Suski
    Czasopismo:
    Optics Express (rok: 2021, tom: 29, strony: 1824-1837), Wydawca: Optica
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1364/OE.415258 - link do publikacji
  21. Evolution of a dominant light emission mechanism induced by changes of the quantum well width in InGaN/GaN LEDs and LDs
    Autorzy:
    K. Pieniak, W. Trzeciakowski, G. Muzioł, A. Kafar, M. Siekacz, C. Skierbiszewski, and T. Suski
    Czasopismo:
    Optics Express (rok: 2021, tom: 29, strony: 40804-40818), Wydawca: Optic
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1364/OE.441387 - link do publikacji
  22. Fabrication of GaN-air channels for embedded photonic structures
    Autorzy:
    M. Sawicka, O. Gołyga, N. Fiuczek, G. Muzioł, A. Feduniewicz-Żmuda, M. Siekacz, H. Turski, R. Czernecki, E. Grzanka, I. Prozheev, F. Tuomisto, and C. Skierbiszewski
    Czasopismo:
    Materials Science in Semiconductor Processing (rok: 2023, tom: 155, strony: 107234), Wydawca: ELSEVIER
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1016/j.mssp.2022.107234 - link do publikacji
  23. Long-Lived Excitations in Wide ( In , Ga ) N / Ga N Quantum Wells
    Autorzy:
    A. Bercha, G. Muziol, M. Chlipala, and W. Trzeciakowski
    Czasopismo:
    Physical Review Applied (rok: 2023, tom: 20, strony: 34040), Wydawca: American Physical Society
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1103/PhysRevApplied.20.034040 - link do publikacji
  24. III-nitride optoelectronic devices containing wide quantum wells—unexpectedly efficient light sources
    Autorzy:
    G. Muziol, M. Hajdel, M. Siekacz, H. Turski, K. Pieniak, A. Bercha, W. Trzeciakowski, R. Kudrawiec, T. Suski, and C. Skierbiszewski
    Czasopismo:
    Japanese Journal of Applied Physics (rok: 2021, tom: 61, strony: SA0801), Wydawca: The Japan Society of Applied Physics
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.35848/1347-4065/ac3c1a - link do publikacji
  25. Dependence of InGaN Quantum Well Thickness on the Nature of Optical Transitions in LEDs
    Autorzy:
    M. Hajdel, M. Chlipała, M. Siekacz, H. Turski, P. Wolny, K. Nowakowski-Szkudlarek, A. Feduniewicz-Żmuda, C. Skierbiszewski, and G. Muziol
    Czasopismo:
    Materials (rok: 2021, tom: 15, strony: 237), Wydawca: MDPI
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.3390/ma15010237 - link do publikacji
  26. Vertical Integration of Nitride Laser Diodes and Light Emitting Diodes by Tunnel Junctions
    Autorzy:
    M. Siekacz, G. Muziol, H. Turski, M. Hajdel, M. Żak, M. Chlipała, M. Sawicka, K. Nowakowski-Szkudlarek, A. Feduniewicz-Żmuda, J. Smalc-Koziorowska, S. Stańczyk, and C. Skierbiszewski
    Czasopismo:
    Electronics (rok: 2020, tom: 9, strony: 1481), Wydawca: MDPI
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.3390/electronics9091481 - link do publikacji
  27. III-nitride optoelectronic devices containing wide quantum wells—unexpectedly efficient light sources
    Autorzy:
    G. Muziol, M. Hajdel, M. Siekacz, H. Turski, K. Pieniak, A. Bercha, W. Trzeciakowski, R. Kudrawiec, T. Suski, and C. Skierbiszewski
    Czasopismo:
    Japanese Journal of Applied Physics (rok: 2021, tom: 61, strony: SA0801), Wydawca: The Japan Society of Applied Physics
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.35848/1347-4065/ac3c1a - link do publikacji
  28. Tunnel Junctions with a Doped (In,Ga)N Quantum Well for Vertical Integration of III-Nitride Optoelectronic Devices
    Autorzy:
    M. Żak, G. Muziol, H. Turski, M. Siekacz, K. Nowakowski-Szkudlarek, A. Feduniewicz-Żmuda, M. Chlipała, A. Lachowski, and C. Skierbiszewski
    Czasopismo:
    Physical Review Applied (rok: 2021, tom: 15, strony: 24046), Wydawca: American Physical Society
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    PhysRevApplied.15.024046 - link do publikacji
  29. Quantum-confined Stark effect and mechanisms of its screening in InGaN/GaN light-emitting diodes with a tunnel junction
    Autorzy:
    K. Pieniak, M. Chlipala, H. Turski, W. Trzeciakowski, G. Muziol, G. Staszczak, A. Kafar, I. Makarowa, E. Grzanka, S. Grzanka, C. Skierbiszewski, and T. Suski
    Czasopismo:
    Optics Express (rok: 2021, tom: 29, strony: 1824-1837), Wydawca: Optica
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1364/OE.415258 - link do publikacji
  30. GaN-based bipolar cascade lasers with 25 nm wide quantum wells
    Autorzy:
    J. Piprek, G. Muziol, M. Siekacz, and C. Skierbiszewski
    Czasopismo:
    Optical and Quantum Electronics (rok: 2022, tom: 54, strony: 62), Wydawca: Springer
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1007/s11082-021-03455-0 - link do publikacji
  31. Distributed-feedback blue laser diode utilizing a tunnel junction grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy
    Autorzy:
    G. Muziol, M. Hajdel, H. Turski, K. Nomoto, M. Siekacz, K. Nowakowski-Szkudlarek, M. Żak, D. Jena, H. G. Xing, P. Perlin, and C. Skierbiszewski
    Czasopismo:
    Optics Express (rok: 2020, tom: 28, strony: 35321-35329), Wydawca: Optica
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1364/OE.405994 - link do publikacji
  32. Impact of Interfaces on Photoluminescence Efficiency of High-Indium-Content (In,Ga)N Quantum Wells
    Autorzy:
    P. Wolny, H. Turski, G. Muziol, M. Sawicka, J. Smalc-Koziorowska, J. Moneta, M. Hajdel, A. Feduniewicz-Żmuda, S. Grzanka, R. Kudrawiec, and C. Skierbiszewski
    Czasopismo:
    Physical Review Applied (rok: 2023, tom: 19, strony: 14044), Wydawca: American Physics Society
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1103/PhysRevApplied.19.014044 - link do publikacji
  33. Fabrication of GaN-air channels for embedded photonic structures
    Autorzy:
    M. Sawicka, O. Gołyga, N. Fiuczek, G. Muzioł, A. Feduniewicz-Żmuda, M. Siekacz, H. Turski, R. Czernecki, E. Grzanka, I. Prozheev, F. Tuomisto, and C. Skierbiszewski
    Czasopismo:
    Materials Science in Semiconductor Processing (rok: 2023, tom: 155, strony: 107234), Wydawca: ELSEVIER
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1016/j.mssp.2022.107234 - link do publikacji
  34. Distributed-feedback blue laser diode utilizing a tunnel junction grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy
    Autorzy:
    G. Muziol, M. Hajdel, H. Turski, K. Nomoto, M. Siekacz, K. Nowakowski-Szkudlarek, M. Żak, D. Jena, H. G. Xing, P. Perlin, and C. Skierbiszewski
    Czasopismo:
    Optics Express (rok: 2020, tom: 28, strony: 35321-35329), Wydawca: Optica
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1364/OE.405994 - link do publikacji
  35. GaN-based bipolar cascade lasers with 25 nm wide quantum wells
    Autorzy:
    J. Piprek, G. Muziol, M. Siekacz, and C. Skierbiszewski
    Czasopismo:
    Optical and Quantum Electronics (rok: 2022, tom: 54, strony: 62), Wydawca: Springer
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1007/s11082-021-03455-0 - link do publikacji
  36. Electrically pumped blue laser diodes with nanoporous bottom cladding
    Autorzy:
    Marta Sawicka, Grzegorz Muziol, Natalia Fiuczek, Mateusz Hajdel, Marcin Siekacz, Anna Feduniewicz-Żmuda, Krzesimir Nowakowski-Szkudlarek, Paweł Wolny, Mikołaj Żak, Henryk Turski, and Czesław Skierbiszewski
    Czasopismo:
    Optics Express (rok: 2022, tom: 30, strony: 10709-10722), Wydawca: Optica
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1364/OE.454359 - link do publikacji
  37. Ion implantation of tunnel junction as a method for defining the aperture of III-nitride-based micro-light-emitting diodes
    Autorzy:
    J. Slawinska, G. Muziol, M. Siekacz, H. Turski, M. Hajdel, M. Zak, A. Feduniewicz-Zmuda, G. Staszczak, and C. Skierbiszewski
    Czasopismo:
    Optics Express (rok: 2022, tom: 30, strony: 27004-27014), Wydawca: Optica
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1364/OE.458950 - link do publikacji
  38. GaN-based bipolar cascade lasers with 25 nm wide quantum wells
    Autorzy:
    J. Piprek, G. Muziol, M. Siekacz & C. Skierbiszewski
    Czasopismo:
    Optical and Quantum Electronics (rok: 2022, tom: 54, strony: 62), Wydawca: Springer
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1007/s11082-021-03455-0 - link do publikacji
  39. Evolution of a dominant light emission mechanism induced by changes of the quantum well width in InGaN/GaN LEDs and LDs
    Autorzy:
    K. Pieniak, W. Trzeciakowski, G. Muzioł, A. Kafar, M. Siekacz, C. Skierbiszewski, and T. Suski
    Czasopismo:
    Optics Express (rok: 2021, tom: 29, strony: 40804-40818), Wydawca: Optic
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1364/OE.441387 - link do publikacji
  40. III-nitride optoelectronic devices containing wide quantum wells—unexpectedly efficient light sources
    Autorzy:
    G. Muziol, M. Hajdel, M. Siekacz, H. Turski, K. Pieniak, A. Bercha, W. Trzeciakowski, R. Kudrawiec, T. Suski, and C. Skierbiszewski
    Czasopismo:
    Japanese Journal of Applied Physics (rok: 2021, tom: 61, strony: SA0801), Wydawca: The Japan Society of Applied Physics
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.35848/1347-4065/ac3c1a - link do publikacji
  41. Distributed-feedback blue laser diode utilizing a tunnel junction grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy
    Autorzy:
    G. Muziol, M. Hajdel, H. Turski, K. Nomoto, M. Siekacz, K. Nowakowski-Szkudlarek, M. Żak, D. Jena, H. G. Xing, P. Perlin, and C. Skierbiszewski
    Czasopismo:
    Optics Express (rok: 2020, tom: 28, strony: 35321-35329), Wydawca: Optica
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1364/OE.405994 - link do publikacji
  42. Transition between quantum confinement and bulklike behavior in polar quantum wells
    Autorzy:
    Lukas Uhlig, Jannina Tepaß, Mateusz Hajdel, Grzegorz Muziol, and Ulrich T. Schwarz
    Czasopismo:
    Phys. Rev. B (rok: 2023, tom: 108, strony: 45304), Wydawca: American Physical Society
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1103/PhysRevB.108.045304 - link do publikacji
  43. Electrically pumped blue laser diodes with nanoporous bottom cladding
    Autorzy:
    Marta Sawicka, Grzegorz Muziol, Natalia Fiuczek, Mateusz Hajdel, Marcin Siekacz, Anna Feduniewicz-Żmuda, Krzesimir Nowakowski-Szkudlarek, Paweł Wolny, Mikołaj Żak, Henryk Turski, and Czesław Skierbiszewski
    Czasopismo:
    Optics Express (rok: 2022, tom: 30, strony: 10709-10722), Wydawca: Optica
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1364/OE.454359 - link do publikacji
  44. Bright Emission at Reverse Bias After Trailing Edge of Driving Pulse in Wide InGaN Quantum Wells
    Autorzy:
    Jannina Tepaß, Lukas Uhlig, Mateusz Hajdel, Grzegorz Muziol, Ulrich T. Schwarz
    Czasopismo:
    Phys. Status Solidi A (rok: 2023, tom: 220, strony: 2300042), Wydawca: Wiley
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1002/pssa.202300042 - link do publikacji
  45. Competition between built-in polarization and p–n junction field in III-nitride heterostructures
    Autorzy:
    H. Turski, M. Chlipala, E. Zdanowicz, E. Rogowicz, G. Muziol, J. Moneta, S. Grzanka, M. Kryśko, M. Syperek, R. Kudrawiec, and C. Skierbiszewski
    Czasopismo:
    Journal of Applied Physics (rok: 2023, tom: 134, strony: 243105), Wydawca: AIP Publishing
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1063/5.0177614 - link do publikacji
  46. Impact of Interfaces on Photoluminescence Efficiency of High-Indium-Content (In,Ga)N Quantum Wells
    Autorzy:
    P. Wolny, H. Turski, G. Muziol, M. Sawicka, J. Smalc-Koziorowska, J. Moneta, M. Hajdel, A. Feduniewicz-Żmuda, S. Grzanka, R. Kudrawiec, and C. Skierbiszewski
    Czasopismo:
    Physical Review Applied (rok: 2023, tom: 19, strony: 14044), Wydawca: American Physics Society
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1103/PhysRevApplied.19.014044 - link do publikacji
  47. Distributed-feedback blue laser diode utilizing a tunnel junction grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy
    Autorzy:
    G. Muziol, M. Hajdel, H. Turski, K. Nomoto, M. Siekacz, K. Nowakowski-Szkudlarek, M. Żak, D. Jena, H. G. Xing, P. Perlin, and C. Skierbiszewski
    Czasopismo:
    Optics Express (rok: 2020, tom: 28, strony: 35321-35329), Wydawca: Optica
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1364/OE.405994 - link do publikacji
  48. Quantum-confined Stark effect and mechanisms of its screening in InGaN/GaN light-emitting diodes with a tunnel junction
    Autorzy:
    K. Pieniak, M. Chlipala, H. Turski, W. Trzeciakowski, G. Muziol, G. Staszczak, A. Kafar, I. Makarowa, E. Grzanka, S. Grzanka, C. Skierbiszewski, and T. Suski
    Czasopismo:
    Optics Express (rok: 2021, tom: 29, strony: 1824-1837), Wydawca: Optica
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1364/OE.415258 - link do publikacji
  49. Evolution of a dominant light emission mechanism induced by changes of the quantum well width in InGaN/GaN LEDs and LDs
    Autorzy:
    K. Pieniak, W. Trzeciakowski, G. Muzioł, A. Kafar, M. Siekacz, C. Skierbiszewski, and T. Suski
    Czasopismo:
    Optics Express (rok: 2021, tom: 29, strony: 40804-40818), Wydawca: Optic
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1364/OE.441387 - link do publikacji
  50. Ion implantation of tunnel junction as a method for defining the aperture of III-nitride-based micro-light-emitting diodes
    Autorzy:
    J. Slawinska, G. Muziol, M. Siekacz, H. Turski, M. Hajdel, M. Zak, A. Feduniewicz-Zmuda, G. Staszczak, and C. Skierbiszewski
    Czasopismo:
    Optics Express (rok: 2022, tom: 30, strony: 27004-27014), Wydawca: Optica
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1364/OE.458950 - link do publikacji
  51. Competition between built-in polarization and p–n junction field in III-nitride heterostructures
    Autorzy:
    H. Turski, M. Chlipala, E. Zdanowicz, E. Rogowicz, G. Muziol, J. Moneta, S. Grzanka, M. Kryśko, M. Syperek, R. Kudrawiec, and C. Skierbiszewski
    Czasopismo:
    Journal of Applied Physics (rok: 2023, tom: 134, strony: 243105), Wydawca: AIP Publishing
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1063/5.0177614 - link do publikacji
  52. Theoretical and Experimental Studies on Material Gain for Wide Polar InGaN Quantum Well-Mechanism Leading to Electric Field Screening and Lasing
    Autorzy:
    M. Gładysiewicz, R. Kudrawiec, G. Muzioł, H. Turski, and C. Skierbiszewski
    Czasopismo:
    Advanced Physics Research (rok: 2023, tom: 2, strony: 2200107), Wydawca: Wiley
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1002/apxr.202200107 - link do publikacji
  53. Tunnel Junctions with a Doped (In,Ga)N Quantum Well for Vertical Integration of III-Nitride Optoelectronic Devices
    Autorzy:
    M. Żak, G. Muziol, H. Turski, M. Siekacz, K. Nowakowski-Szkudlarek, A. Feduniewicz-Żmuda, M. Chlipała, A. Lachowski, and C. Skierbiszewski
    Czasopismo:
    Physical Review Applied (rok: 2021, tom: 15, strony: 24046), Wydawca: American Physical Society
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    PhysRevApplied.15.024046 - link do publikacji
  54. Transition between quantum confinement and bulklike behavior in polar quantum wells
    Autorzy:
    Lukas Uhlig, Jannina Tepaß, Mateusz Hajdel, Grzegorz Muziol, and Ulrich T. Schwarz
    Czasopismo:
    Phys. Rev. B (rok: 2023, tom: 108, strony: 45304), Wydawca: American Physical Society
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1103/PhysRevB.108.045304 - link do publikacji
  55. Evidence for dark charge" from photoluminescence measurements in wide InGaN quantum wells
    Autorzy:
    A. Bercha, W. Trzeciakowski, G. Muziol, J. W. Tomm, and T. Suski
    Czasopismo:
    Optics Express (rok: 2023, tom: 31, strony: 3227), Wydawca: Optica Publishing Group
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1364/OE.480074 - link do publikacji
  56. Tunnel Junctions with a Doped (In,Ga)N Quantum Well for Vertical Integration of III-Nitride Optoelectronic Devices
    Autorzy:
    M. Żak, G. Muziol, H. Turski, M. Siekacz, K. Nowakowski-Szkudlarek, A. Feduniewicz-Żmuda, M. Chlipała, A. Lachowski, and C. Skierbiszewski
    Czasopismo:
    Physical Review Applied (rok: 2021, tom: 15, strony: 24046), Wydawca: American Physical Society
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    PhysRevApplied.15.024046 - link do publikacji
  57. Ion implantation of tunnel junction as a method for defining the aperture of III-nitride-based micro-light-emitting diodes
    Autorzy:
    J. Slawinska, G. Muziol, M. Siekacz, H. Turski, M. Hajdel, M. Zak, A. Feduniewicz-Zmuda, G. Staszczak, and C. Skierbiszewski
    Czasopismo:
    Optics Express (rok: 2022, tom: 30, strony: 27004-27014), Wydawca: Optica
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1364/OE.458950 - link do publikacji
  58. Dependence of InGaN Quantum Well Thickness on the Nature of Optical Transitions in LEDs
    Autorzy:
    M. Hajdel, M. Chlipała, M. Siekacz, H. Turski, P. Wolny, K. Nowakowski-Szkudlarek, A. Feduniewicz-Żmuda, C. Skierbiszewski, and G. Muziol
    Czasopismo:
    Materials (rok: 2021, tom: 15, strony: 237), Wydawca: MDPI
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.3390/ma15010237 - link do publikacji
  59. Quantum-confined Stark effect and mechanisms of its screening in InGaN/GaN light-emitting diodes with a tunnel junction
    Autorzy:
    K. Pieniak, M. Chlipala, H. Turski, W. Trzeciakowski, G. Muziol, G. Staszczak, A. Kafar, I. Makarowa, E. Grzanka, S. Grzanka, C. Skierbiszewski, and T. Suski
    Czasopismo:
    Optics Express (rok: 2021, tom: 29, strony: 1824-1837), Wydawca: Optica
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1364/OE.415258 - link do publikacji