Projekty finansowane przez NCN
Mechanizm formowania bariery Schottky'ego oraz zjawiska zachodzące w wysokich temperaturach w strukturach epitaksjalnych GaN-na-Si z kontaktami z krzemków metali
2018/31/D/ST7/02901
Słowa kluczowe:
GaN kontakt Schottky'ego krzemki metali Cu
Deskryptory:
- ST7_5: Mikro- i nanoelektronika, optoelektronika
Panel:
ST7 - Inżynieria systemów i komunikacji: elektronika, komunikacja, optoelektronika
Jednostka realizująca:
Sieć Badawcza ŁUKASIEWICZ - Instytut Mikroelektroniki i Fotoniki
woj. mazowieckie
Konkurs: SONATA 14 - ogłoszony 2018-09-14
Przyznana kwota: 997 600 PLN
Rozpoczęcie projektu: 2019-07-11
Zakończenie projektu: 2023-07-10
Planowany czas trwania projektu: 36 miesięcy (z wniosku)
Status projektu: Projekt zakończony
Opis Projektu
Pobierz opis projektu w formacie .pdf
Uwaga - opisy projektów zostały sporządzone przez samych autorów wniosków i w niezmienionej formie umieszczone w systemie.
Dane z raportu końcowego/rocznego
- Publikacje w czasopismach (4)
- Photoelectric, optical and microstructural characterization of thin palladium silicide (Pd2Si) layers fabricated by magnetron sputtering from a stoichiometric targetAutorzy:K. Piskorski, M. Wzorek, M. Ekielski, L. Dobrzański, J. Gaca, A. Malinowska, P. Michałowski, M.A. BorysiewiczCzasopismo:Materials Science and Engineering B (rok: 2022, tom: 283, strony: 115831), Wydawca: ElsevierStatus:OpublikowanaDoi:10.1016/j.mseb.2022.115831 - link do publikacji
- Thermal stability of Cu/Pd2Si/, Cu/ and Au/Ni/ Schottky contacts to AlGaN/GaN heterostructuresAutorzy:Marek Wzorek, Marek Ekielski, Jarosław Tarenko, Michał A. Borysiewicz, Ernest Brzozowski, Andrzej TaubeCzasopismo:IEEE Transactions on Electron Devices (rok: 2024, tom: 71, strony: 490-495), Wydawca: IEEE Electron Devices SocietyStatus:OpublikowanaDoi:10.1109/TED.2023.3337752 - link do publikacji
- Schottky Barrier Formation Mechanism and Thermal Stability in Au-free Cu/metal-silicide/ Contacts to GaN-cap/AlGaN/AlN-spacer/GaN-on-Si HeterostructureAutorzy:Marek Wzorek, Marek Ekielski, Krzysztof Piskorski, Jarosław Tarenko, Michał Adam Borysiewicz, Ernest Brzozowski, Andrzej TaubeCzasopismo:Electronics (), Wydawca: MDPIStatus:ZłożonaDoi:brak - link do publikacji
- Electrical Properties of Cu/Pd2Si Schottky Contacts to AlGaN/GaN-on-Si HEMT HeterostructuresAutorzy:M. Wzorek, M. Ekielski, E. Brzozowski, A. TaubeCzasopismo:Materials Science in Semiconductor Processing (rok: 2023, tom: 153, strony: 107157), Wydawca: ElsevierStatus:OpublikowanaDoi:10.1016/j.mssp.2022.107157 - link do publikacji