Projekty finansowane przez NCN
Badanie zjawiska tunelowania międzypasmowego między niskowymiarowymi gazami nośników w polowym tranzystorze tunelowym
2018/31/N/ST7/01147
Słowa kluczowe:
nanoelektronika przyrzady półprzewodnikowe tranzystor tunelowy tunelowanie
Deskryptory:
- ST7_5: Mikro- i nanoelektronika, optoelektronika
Panel:
ST7 - Inżynieria systemów i komunikacji: elektronika, komunikacja, optoelektronika
Jednostka realizująca:
Politechnika Warszawska, Centrum Zaawansowanych Materiałów i Technologii CEZAMAT
woj. mazowieckie
Konkurs: PRELUDIUM 16 - ogłoszony 2018-09-14
Przyznana kwota: 148 500 PLN
Rozpoczęcie projektu: 2019-07-08
Zakończenie projektu: 2023-12-07
Planowany czas trwania projektu: 53 miesięcy (z wniosku)
Status projektu: Projekt rozliczony
Opis Projektu
Pobierz opis projektu w formacie .pdf
Uwaga - opisy projektów zostały sporządzone przez samych autorów wniosków i w niezmienionej formie umieszczone w systemie.
Zakupiona aparatura
- Komputer przenośny laptop. Za kwotę 8 000 PLN
Dane z raportu końcowego/rocznego
- Publikacje w czasopismach (1)
- Charge-Trapping-Induced Hysteresis Effects in Highly Doped Silicon Metal–Oxide–Semiconductor StructuresAutorzy:Piotr Wiśniewski, Bogdan MajkusiakCzasopismo:Materials (rok: 2022, tom: 15, strony: 2733), Wydawca: MDPIStatus:OpublikowanaDoi:10.3390/ma15082733 - link do publikacji