Projekty finansowane przez NCN

Dane kierownika projektu i jednostki realizującej

Szczegółowe informacje o projekcie i konkursie

Słowa kluczowe

Aparatura

Wyczyść formularz

Badania zniszczeń radiacyjnych w strukturach półprzewodnikowych przy zastosowaniu wiązki elektronów o ultra-niskiej energii

2017/27/B/ST8/01158

Słowa kluczowe:

półprzewodniki defekty radiacyjne niskoenergetyczna skaningowa mikroskopia elektronowa

Deskryptory:

  • ST8_8: Inżynieria materiałowa (biomateriały, metale, ceramika, polimery, kompozyty)
  • ST8_14: Inne zagadnienia pokrewne

Panel:

ST8 - Inżynieria procesów i produkcji: projektowanie wyrobów, projektowanie i sterowanie procesami produkcji, konstrukcje i procesy budowlane, inżynieria materiałowa, systemy energetyczne

Jednostka realizująca:

Sieć Badawcza ŁUKASIEWICZ - Instytut Mikroelektroniki i Fotoniki

woj. mazowieckie

Inne projekty tej jednostki 

Kierownik projektu (z jednostki realizującej):

dr Iwona Jóźwik 

Liczba wykonawców projektu: 5

Konkurs: OPUS 14 - ogłoszony 2017-09-15

Przyznana kwota: 507 200 PLN

Rozpoczęcie projektu: 2018-07-19

Zakończenie projektu: 2022-07-18

Planowany czas trwania projektu: 48 miesięcy (z wniosku)

Status projektu: Projekt rozliczony

Opis Projektu

Pobierz opis projektu w formacie .pdf

Uwaga - opisy projektów zostały sporządzone przez samych autorów wniosków i w niezmienionej formie umieszczone w systemie.

Zakupiona aparatura

  1. Komputer (laptop) i monitor komputerowy wraz z oprogramowaniem Windows i MS Office. Za kwotę 6 000 PLN

Dane z raportu końcowego/rocznego

  • Publikacje w czasopismach (5)
  1. Ion-Irradiated Damage in Semiconductors Visualized by Means of Low-kV Scanning Electron Microscopy
    Autorzy:
    Iwona Jozwik, Adam Barcz, Ewa Dumiszewska, Elzbieta Dabrowska
    Czasopismo:
    Microscopy and Microanalysis (rok: 2019, tom: 25 (suppl 2), strony: 486-487), Wydawca: Cambridge University Press
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1017/S1431927619003167 - link do publikacji
  2. Resistivity contrast imaging in semiconductor structures using ultra-low energy scanning electron microscopy
    Autorzy:
    I. Jóźwik, J. Jagielski, E. Dumiszewska, M. Kamiński, U. Kentsch
    Czasopismo:
    Ultramicroscopy (rok: 2021, tom: 228, strony: 113333 (1-6)), Wydawca: Elsevier
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1016/j.ultramic.2021.113333 - link do publikacji
  3. Depth-distribution of resistivity within ion-irradiated semiconductor layers revealed by low-kV scanning electron microscopy
    Autorzy:
    I. Jóźwik, J.Jagielski, P. Ciepielewski, E. Dumiszewska, K. Piętak, M. Kamiński, U. Kentsch
    Czasopismo:
    Ultramicroscopy (rok: 2021, tom: b.d., strony: b.d.), Wydawca: Elsevier
    Status:
    Złożona
    Doi:
    brak - link do publikacji
  4. Damage-induced voltage alteration (DIVA) contrast in SEM images of ionirradiated semiconductors
    Autorzy:
    Iwona Jóźwik, Adam Barcz, Elżbieta Dąbrowska, Ewa Dumiszewska, Paweł Piotr Michałowski
    Czasopismo:
    Ultramicroscopy (rok: 2019, tom: 204, strony: 45452), Wydawca: Elsevier
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1016/j.ultramic.2019.04.013 - link do publikacji
  5. Direct visualization of highly resistive areas in GaN by means of low-voltage scanning electron microscopy
    Autorzy:
    Iwona Jóźwik, Jacek Jagielski, Piotr Caban, Maciej Kamiński, Ulrich Kentsch
    Czasopismo:
    Materials Science in Semiconductor Processing (rok: 2022, tom: 138, strony: 106293 (1-4)), Wydawca: Elsevier
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1016/j.mssp.2021.106293 - link do publikacji

O Narodowym Centrum Nauki

Finansowanie nauki

Współpraca zagraniczna

Centrum prasowe

Deklaracja dostępności
Przetwarzanie danych osobowych
Polityka cookies

Partnerzy