Projekty finansowane przez NCN

Dane kierownika projektu i jednostki realizującej

Szczegółowe informacje o projekcie i konkursie

Słowa kluczowe

Aparatura

Wyczyść formularz

Struktura pasmowa oraz elektro-optyczne właściwości mocno niedopasowanych związków półprzewodnikowych oraz heterostruktur niskowymiarowych zawierających te związki

2012/07/E/ST3/01742

Słowa kluczowe:

Półprzewodniki Właściwości optyczne Właściwości elektryczne

Deskryptory:

  • ST3_7: Półprzewodniki

Panel:

ST3 - Fizyka fazy skondensowanej: struktura, własności elektronowe, płyny, nano-nauka

Jednostka realizująca:

Politechnika Wrocławska, Wydział Podstawowych Problemów Techniki

woj. dolnośląskie

Inne projekty tej jednostki 

Kierownik projektu (z jednostki realizującej):

dr hab. Robert Kudrawiec 

Liczba wykonawców projektu: 6

Konkurs: SONATA BIS 2 - ogłoszony 2012-09-15

Przyznana kwota: 1 495 700 PLN

Rozpoczęcie projektu: 2013-07-25

Zakończenie projektu: 2018-07-24

Planowany czas trwania projektu: 60 miesięcy (z wniosku)

Status projektu: Projekt rozliczony

Zakupiona aparatura

  1. Tablet.
  2. Urządzenie wielofunkcyjne.
  3. laptop.
  4. Komputer. Za kwotę 8 000 PLN
  5. Miernik pojemności z kartą pomiarową i komputerem. Za kwotę 48 000 PLN
  6. Multimetry cyfrowe (2 szt.). Za kwotę 28 000 PLN
  7. Analizator impedancji. Za kwotę 180 000 PLN
  8. Oscyloskop wraz z sądami i przetwornikami/generatorami sygnalu. Za kwotę 48 000 PLN
  9. Projektor.
  10. Laser impulsowy. Za kwotę 150 000 PLN
  11. Nanowoltomierz fazoczuły. Za kwotę 34 000 PLN

Dane z raportu końcowego/rocznego

  • Publikacje w czasopismach (22)
  1. Optical properties of GaAsBi/GaAs quantum wells: Photoreflectance, photoluminescence and time-resolved photoluminescence study
    Autorzy:
    J. Kopaczek, W.M. Linhart, M. Baranowski, R.D. Richards, F. Bastiman, J.P.R. David, and R. Kudrawiec
    Czasopismo:
    Semiconductor Science and Technology (rok: 2015, tom: 30, strony: 094005-7), Wydawca: IoP Publishing
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1088/0268-1242/30/9/094005 - link do publikacji
  2. Photoacoustic spectroscopy of absorption edge for GaAsBi/GaAs nanowires grown on Si substrate
    Autorzy:
    S.J. Zelewski, J. Kopaczek, W. M. Linhart, F. Ishikawa, S. Shimomura, and R. Kudrawiec
    Czasopismo:
    Applied Physics Letters (rok: 2016, tom: 109, strony: 182106), Wydawca: American Institute of Physics
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1063/1.4966901 - link do publikacji
  3. Photoreflectance spectroscopy of GaInSbBi and AlGaSbBi quaternary alloys
    Autorzy:
    J. Kopaczek, M. K. Rajpalke, W. M. Linhart, T. S. Jones, M. J. Ashwin, R. Kudrawiec and T. D. Veal
    Czasopismo:
    Applied Physics Letters (rok: 2014, tom: 105, strony: 112102), Wydawca: American Institute of Physics
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1063/1.4895930 - link do publikacji
  4. Surface photovoltage and modulation spectroscopy of E- and E+ transitions in GaNAs layers
    Autorzy:
    R. Kudrawiec, P. Sitarek, M. Gladysiewicz, J. Misiewicz, Y. He, Y. Jin, G. Vardar, A. M. Mintarov, J. L. Merz, R. S. Goldman, K.-M. Yu, and W. Walukiewicz
    Czasopismo:
    Thin Solid Films (rok: 2014, tom: 567, strony: 101), Wydawca: Elsevier
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1016/j.tsf.2014.07.052 - link do publikacji
  5. Experimental and theoretical studies of band gap alignment in GaAs1−xBix/GaAs quantum wells
    Autorzy:
    R. Kudrawiec, J. Kopaczek, M. P. Polak, P. Scharoch, M. Gladysiewicz, J. Misiewicz, R. D. Richards, F. Bastiman and J. P. R. David
    Czasopismo:
    Journal of Applied Physics (rok: 2014, tom: 116, strony: 233508), Wydawca: American Institute of Physics
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1063/1.4904740 - link do publikacji
  6. Low- and high-energy photoluminescence from GaSb1-xBix with 0 < x <= 0.042
    Autorzy:
    J. Kopaczek, R. Kudrawiec, W. Linhart, M. Rajpalke, T. Jones, M. Ashwin and T. Veal
    Czasopismo:
    Applied Physics Express (rok: 2014, tom: 7, strony: 111202), Wydawca: The Japan Society of Applied Physics
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.7567/APEX.7.111202 - link do publikacji
  7. Nitrogen-related changes in exciton localization and dynamics in GaInNAs/GaAs quantum wells grown by metalorganic vapor phase epitaxy
    Autorzy:
    M. Baranowski, R. Kudrawiec, J. Misiewicz, M. Hammar
    Czasopismo:
    Applied Physics A (rok: 2015, tom: 118, strony: 479-486), Wydawca: Springer
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1007/s00339-014-8794-4 - link do publikacji
  8. Band anticrossing in ZnOSe highly mismatched alloy
    Autorzy:
    M. Welna, R. Kudrawiec, Y. Nabetani and W. Walukiewicz
    Czasopismo:
    Applied Physics Letters (rok: 2014, tom: 7, strony: 71202), Wydawca: The Japan Society of Applied Physics
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.7567/APEX.7.071202 - link do publikacji
  9. Bi-induced acceptor level responsible for partial compensation of native free electron density in InP1-xBix dilute bismide alloys
    Autorzy:
    Ł. Gelczuk, H. Stokowski, J. Kopaczek, L. Zhang, Y. Li, K. Wang, P. Wang, S. Wang, and R. Kudrawiec
    Czasopismo:
    Journal of Physics D (rok: 2016, tom: 49, strony: 115107), Wydawca: IoP Publishing
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1088/0022-3727/49/11/115107 - link do publikacji
  10. Deep-level defects in n-type GaAsBi alloys grown by molecular beam epitaxy at low temperature and their influence on optical properties
    Autorzy:
    Ł. Gelczuk, J. Kopaczek, T. B. O. Rockett, R. D. Richards, R. Kudrawiec
    Czasopismo:
    Scientific Reports (rok: 2017, tom: 7, strony: 12824), Wydawca: Nature Publishing Group
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1038/s41598-017-13191-9 - link do publikacji
  11. High Bi content GaSbBi alloys
    Autorzy:
    M. K. Rajpalke, W. M. Linhart, M. Birkett, K. M. Yu, J. Alaria, J. Kopaczek, R. Kudrawiec, T. S. Jones, M. J. Ashwin and T. D. Veal
    Czasopismo:
    Journal of Applied Physics (rok: 2014, tom: 116, strony: 43511), Wydawca: American Institute of Physics
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1063/1.4891217 - link do publikacji
  12. Temperature dependence of the band gap of GaSb1−xBix alloys with 0 < x ≤ 0.042 determined by photoreflectance
    Autorzy:
    J. Kopaczek, R. Kudrawiec, W. M. Linhart, M. K. Rajpalke, K. M. Yu, T. S. Jones, M. J. Ashwin, J. Misiewicz and T. D. Veal
    Czasopismo:
    Applied Physics Letters (rok: 2013, tom: 103, strony: 261907), Wydawca: American Institute of Physics
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1063/1.4858967 - link do publikacji
  13. Enhancement of activation energies of sharp photoluminescence lines for GaInNAs quantum wells due to quantum confinement
    Autorzy:
    M. Latkowska, R. Kudrawiec, J. Misiewicz, Y. Galvao Gobato, M. Henini, and M. Hopkinson
    Czasopismo:
    Journal of Physics D (rok: 2013, tom: 46, strony: 402001), Wydawca: Institute of Physics
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1088/0022-3727/46/40/402001 - link do publikacji
  14. Identification of nitrogen- and host-related deep-level traps in n-type GaNAs and their evolution upon annealing
    Autorzy:
    Ł. Gelczuk, R. Kudrawiec and M. Henini
    Czasopismo:
    Journal of Applied Physics (rok: 2014, tom: 116, strony: 13705), Wydawca: American Institute of Physics
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1063/1.4886856 - link do publikacji
  15. Optical and spin properties of localized and free excitons in GaBi x As1−x /GaAs multiple quantum wells
    Autorzy:
    M. A. G. Balanta, J. Kopaczek, V. Orsi Gordo, B. H. B. Santos, A. D. Rodrigues, H. V. A. Galeti, R. D. Richards, F. Bastiman, J. P. R. David, R. Kudrawiec, and Y. Galvão Gobato
    Czasopismo:
    Journal of Physics D: Applied Physics (rok: 2016, tom: 49, strony: 355104), Wydawca: Institute of Physics
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1088/0022-3727/49/35/355104 - link do publikacji
  16. Origin and annealing of deep-level defects in GaNAs grown by metalorganic vapor phase epitaxy
    Autorzy:
    Ł. Gelczuk, H. Stokowski, M. Dąbrowska-Szata, and R. Kudrawiec
    Czasopismo:
    Journal of Applied Physics (rok: 2016, tom: 119, strony: 185706), Wydawca: American Institute of Physics
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1063/1.4949514 - link do publikacji
  17. Time-resolved photoluminescence studies of annealed 1.3-μm GaInNAsSb quantum wells
    Autorzy:
    M. Baranowski, R. Kudrawiec, M. Syperek, J. Misiewicz, T. Sarmiento and J. S. Harris
    Czasopismo:
    Nanoscale Research Letters (rok: 2014, tom: 9, strony: 81), Wydawca: Springer
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1186/1556-276X-9-81 - link do publikacji
  18. Electromodulation spectroscopy of heavy-hole, light-hole, and spin-orbit transitions in GaAsBi layers at hydrostatic pressure
    Autorzy:
    F. Dybała, J. Kopaczek, M. Gladysiewicz, E.-M. Pavelescu, C. Romanitan, O. Ligor, A. Arnoult, C. Fontaine, and R. Kudrawiec
    Czasopismo:
    Applied Physics Letters (rok: 2017, tom: 111, strony: 192104), Wydawca: American Institute of Physics
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1063/1.5002622 - link do publikacji
  19. First-principles calculations of bismuth induced changes in the band structure of dilute Ga–V–Bi and In–V–Bi alloys: chemical trends versus experimental data
    Autorzy:
    M. P. Polak, P. Scharoch, and R. Kudrawiec
    Czasopismo:
    Semiconductor Science and Technology (rok: 2015, tom: 30, strony: 094001-9), Wydawca: IoP Publishing
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1088/0268-1242/30/9/094001 - link do publikacji
  20. Temperature dependence of band gaps in dilute bismides
    Autorzy:
    W. Linhart and R. Kudrawiec
    Czasopismo:
    Semiconductor Science and Technology (rok: 2018, tom: 33, strony: 73001), Wydawca: Institute of Physics
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1088/1361-6641/aacc4b - link do publikacji
  21. The influence of nitrogen and antimony on the optical quality of InNAs(Sb) alloys
    Autorzy:
    M. Latkowska, M. Baranowski, W.M. Linhart, F. Janiaka, J. Misiewicz, N. Segercrantz, F. Tuomisto, Q. Zhuang, A. Krier, and R. Kudrawiec
    Czasopismo:
    Journal of Physics D (rok: 2016, tom: 49, strony: 115105-7), Wydawca: IoP Publishing
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1088/0022-3727/49/11/115105 - link do publikacji
  22. Theoretical and experimental studies of electronic band structure for GaSb1-xBix in the dilute Bi regime
    Autorzy:
    M. P. Polak, P. Scharoch, R. Kudrawiec, J. Kopaczek, M. J. Winiarski, W. M. Linhart, M. K. Rajpalke, K. M. Yu, T. S. Jones, M. J. Ashwin and T. D. Veal
    Czasopismo:
    Journal of Physics D: Applied Physics (rok: 2014, tom: 47, strony: 355107), Wydawca: IOP Publishing
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1088/0022-3727/47/35/355107 - link do publikacji

O Narodowym Centrum Nauki

Finansowanie nauki

Współpraca zagraniczna

Centrum prasowe

Deklaracja dostępności
Przetwarzanie danych osobowych
Polityka cookies

Partnerzy