Projekty finansowane przez NCN

Dane kierownika projektu i jednostki realizującej

Szczegółowe informacje o projekcie i konkursie

Słowa kluczowe

Aparatura

Wyczyść formularz

Badanie właściwości elektro-optycznych struktur półprzewodnikowych na bazie azotku galu (GaN).

2011/01/N/ST3/02345

Słowa kluczowe:

DLTS LDLTS spektroskopia Ramana spektroskopia admitancyjna fotoluminescencja,GaN

Deskryptory:

  • ST3_7: Półprzewodniki

Panel:

ST3 - Fizyka fazy skondensowanej: struktura, własności elektronowe, płyny, nano-nauka

Jednostka realizująca:

Politechnika Wrocławska

woj. dolnośląskie

Inne projekty tej jednostki 

Kierownik projektu (z jednostki realizującej):

Paulina Kamyczek 

Liczba wykonawców projektu: 2

Konkurs: PRELUDIUM 1 - ogłoszony 2011-03-15

Przyznana kwota: 94 540 PLN

Rozpoczęcie projektu: 2011-12-13

Zakończenie projektu: 2014-02-12

Planowany czas trwania projektu: 26 miesięcy (z wniosku)

Status projektu: Projekt rozliczony

Zakupiona aparatura

  1. Laptop. Za kwotę 2 500 PLN

Dane z raportu końcowego/rocznego

  • Publikacje w czasopismach (5)
  1. Deep levels in GaN studied by Deep Level Transient Spectroscopy and Laplace Transform Deep Level Transient Spectroscopy
    Autorzy:
    P. Kamyczek, E. Placzek-Popko, E. Zielony, Z. R. Zytkiewicz
    Czasopismo:
    Material Science-Poland (rok: 2013, tom: 31(4), strony: 572-576), Wydawca: wydawnictwo: PWr, we współpracy z Versita i Springer
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.2478/s13536-013-0138-0 - link do publikacji
  2. The Growth and Micro-Raman Characterization of GaN Nanowires
    Autorzy:
    P. Kamyczek, Z. R. Zytkiewicz, E. Placzek-Popko, E. Zielony, M. Sobanska, K. Klosek, A. Reszka
    Czasopismo:
    Sensor Letters (rok: 2013, tom: 11, strony: 1555-1559), Wydawca: American Scientific Publishers
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1166/sl.2013.2833 - link do publikacji
  3. A deep acceptor defect responsible for the yellow luminescence in GaN and AlGaN
    Autorzy:
    P. Kamyczek, E. Placzek-Popko, Vl. Kolkovsky, S. Grzanka, R. Czernecki ,
    Czasopismo:
    Journal of Applied Physics (rok: 2012, tom: 111, strony: 113105-1), Wydawca: The American Institute of Physics
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1063/1.4725484 - link do publikacji
  4. Structural and optical characterization of GaN nanowires
    Autorzy:
    P. Kamyczek, E. Placzek-Popko, Z. R. Zytkiewicz, Z. Gumienny, E. Zielony, M.Sobanska, K. Klosek, A. Reszka
    Czasopismo:
    Journal of Applied Physics (rok: 2013, tom: 113, strony: 204303-1 - 204303-5), Wydawca: The American Institute of Physics
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1063/1.4808097 - link do publikacji
  5. Deep traps in n-type GaN epilayers grown by plasma assisted molecular beam epitaxy
    Autorzy:
    P. Kamyczek, E. Placzek-Popko, Z. R. Zytkiewicz, E. Zielony, Z. Gumienny
    Czasopismo:
    Journal of Applied Physics (rok: 2014, tom: 115, strony: 023102-1 - 023102-6), Wydawca: The American Institute of Physics
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1063/1.4861180 - link do publikacji

O Narodowym Centrum Nauki

Finansowanie nauki

Współpraca zagraniczna

Centrum prasowe

Deklaracja dostępności
Przetwarzanie danych osobowych
Polityka cookies

Partnerzy