Diody laserowe i mikro LED na bazie AlInGaN o obszarach aktywnych w kształcie mikrotaśm i mikrodysków wytworzonych na strukturyzowanym podłożu.
2021/43/B/ST7/03162
Słowa kluczowe
Deskryptory
- ST7_005: Układy z elementami elektronicznymi, optoelektronicznymi i fotonicznymi
- ST5_002: Materiały o strukturze ciała stałego
- ST3_005: Fizyczne własności półprzewodników i izolatorów
Panel
ST7 – Inżynieria systemów i komunikacji: elektronika, komunikacja, optoelektronika
Jednostka realizująca
Instytut Wysokich Ciśnień PAN
woj. mazowieckie
Kierownik projektu (z jednostki realizującej)
Liczba wykonawców projektu: 5
Konkurs
OPUS 22 – ogłoszony 2021-09-15
- Przyznana kwota
- 1 830 240 PLN
- Rozpoczęcie projektu
- 2022-07-04
- Zakończenie projektu
- 2027-07-03
- Planowany czas trwania projektu
- 60 miesięcy (z wniosku)
- Status projektu
- Projekt w realizacji
Opis projektu
Pobierz opis projektu w formacie .pdf
Uwaga — opisy projektów zostały sporządzone przez samych autorów wniosków i w niezmienionej formie umieszczone w systemie.
Dane z raportu końcowego/rocznego
Publikacje w czasopismach (1)
-
Incorporation of indium into GaN layers in the context of MOVPE thermodynamics and growth – Ab initio studies
- Autorzy:
- Pawel Kempisty, Ashfaq Ahmad, Pawel Strak, Konrad Sakowski, Anna Kafar, Jacek Piechota, Stanislaw Krukowski
- Czasopismo:
- Computational Materials Science (rok: 2023, tom: 230, strony: 112489), Wydawca: Elsevier
- Status:
- Opublikowana
- DOI:
- 10.1016/j.commatsci.2023.112489 – link do publikacji