Termodynamika ab initio i inżynieria defektów punktowych w nanometrycznych obszarach przypowierzchniowych półprzewodników azotkowych.

2021/41/B/ST5/02764

Słowa kluczowe

Deskryptory

  • ST5_001: Właściwości strukturalne materiałów
  • ST3_002: Mechaniczne i akustyczne własności materii skondensowanej, dynamika sieci krystalicznych
  • ST8_003: Inżynieria obliczeniowa, komputerowe wspomaganie modelowania, projektowania i produkcji

Panel

ST5 – Synteza i materiały: otrzymywanie materiałów, związki struktury z właściwościami, nowoczesne materiały o założonych właściwościach, architektura (makro)molekularna, chemia organiczna, chemia nieorganiczna

Jednostka realizująca

Instytut Wysokich Ciśnień PAN

woj. mazowieckie

Inne projekty tej jednostki »

Kierownik projektu (z jednostki realizującej)

dr Paweł Tomasz Kempisty

Liczba wykonawców projektu: 3

Konkurs

OPUS 21 – ogłoszony 2021-03-15

Przyznana kwota
439 100 PLN
Rozpoczęcie projektu
2022-01-13
Zakończenie projektu
2026-12-12
Planowany czas trwania projektu
59 miesięcy (z wniosku)
Status projektu
Projekt w realizacji

Opis projektu

Pobierz opis projektu w formacie .pdf

Uwaga — opisy projektów zostały sporządzone przez samych autorów wniosków i w niezmienionej formie umieszczone w systemie.

Dane z raportu końcowego/rocznego

Publikacje w czasopismach (3)

  1. Role of Metallic Adlayer in Limiting Ge Incorporation into GaN

    Autorzy:
    Henryk Turski, Pawel Wolny, Mikolaj Chlipala, Marta Sawicka, Anna Reszka, Pawel Kempisty, Leszek Konczewicz, Grzegorz Muziol, Marcin Siekacz, Czeslaw Skierbiszewski
    Czasopismo:
    Materials (rok: 2022, tom: 15, strony: 5929), Wydawca: MDPI
    Status:
    Opublikowana
    DOI:
    10.3390/ma15175929 – link do publikacji
  2. On germanium doping of gallium nitride: Ion implantation vs in-situ doping during growth

    Autorzy:
    Kacper Sierakowski, Leszek Konczewicz, Lutz Kirste, Karol Kawka, Pawel Kempisty, Krzysztof Gołyga, Auditee Majumder Momo, Robert Czernecki, Patrik Straňák, Marcin Turek, Tomasz Sochacki, Ramón Collazo, Zlatko Sitar, Michał Boćkowski
    Czasopismo:
    Materials Science in Semiconductor Processing (rok: 2026, tom: 208, strony: 110540), Wydawca: Elsevier
    Status:
    Opublikowana
    DOI:
    10.1016/j.mssp.2026.110540 – link do publikacji
  3. Valence-band electronic structure of As-terminated GaN(0001) surfaces

    Autorzy:
    Miłosz Grodzicki, Paweł Kempisty, Agata Sabik, Dominika Majchrzak, Robert Kudrawiec, Detlef Hommel
    Czasopismo:
    Vacuum (rok: 2024, tom: 233, strony: 113956), Wydawca: Elsevier Ltd
    Status:
    Opublikowana
    DOI:
    10.1016/j.vacuum.2024.113956 – link do publikacji

« Nowe wyszukiwanie

Projekt graficzny i wykonanie: Jakub Piotrowski