Projekty finansowane przez NCN
Azotkowe diody laserowe z domieszkowaniem polaryzacyjnym
2020/39/B/ST7/02945
Słowa kluczowe:
diody laserowe domieszkowanie polaryzacyjne wewnętrzne pola elektryczne degradacja diod laserowych niskie temperatury pracy
Deskryptory:
- ST3_005: Fizyczne własności półprzewodników i izolatorów
- ST7_004: Inżynieria mikro- i nanosystemów
Panel:
ST7 - Inżynieria systemów i komunikacji: elektronika, komunikacja, optoelektronika
Jednostka realizująca:
Instytut Wysokich Ciśnień Polskiej Akademii Nauk
woj. mazowieckie
Konkurs: OPUS 20 - ogłoszony 2020-09-15
Przyznana kwota: 1 767 200 PLN
Rozpoczęcie projektu: 2021-07-01
Zakończenie projektu: 2024-12-21
Planowany czas trwania projektu: 41 miesięcy (z wniosku)
Status projektu: Projekt rozliczony
Opis Projektu
Pobierz opis projektu w formacie .pdf
Uwaga - opisy projektów zostały sporządzone przez samych autorów wniosków i w niezmienionej formie umieszczone w systemie.
Dane z raportu końcowego/rocznego
- Publikacje w czasopismach (5)
- Optimization of P-Cladding Layer Utilizing Polarization Doping for Blue-Violet InGaN Laser DiodesAutorzy:Muhammed Aktas, Anna Kafar, Szymon Stańczyk, Łucja Marona, Dario Schiavon, Szymon Grzanka, Przemysław Wiśniewski, and Piotr PerlinCzasopismo:Optics and Laser Technology (rok: 2024, tom: 177, strony: 111144), Wydawca: ElsevierStatus:OpublikowanaDoi:10.1016/j.optlastec.2024.111144 - link do publikacji
- Hybrid Electroluminescence Device for On-Demand Single Photon Generation at Room TemperatureAutorzy:Aleksander Rodek, Mateusz Hajdel, Kacper Oreszczuk, Anna Kafar, Muhammed Aktas, Łucja Marona, Marek Potemski, Czeslaw Skierbiszewski, Piotr KossackiCzasopismo:Advanced Optical; Materials (rok: 2025, tom: 2025, strony: 2401879), Wydawca: WileyStatus:OpublikowanaDoi:10.1002/adom.202401879 - link do publikacji
- Polarization-Doped InGaN LEDs and Laser Diodes for Broad Temperature Range OperationAutorzy:Aktas, M.; Grzanka, S.; Marona, Ł.; Goss, J.; Staszczak, G.; Kafar, A.; Perlin, PCzasopismo:Materials (rok: 2024, tom: 17, strony: 4502), Wydawca: MDPIStatus:OpublikowanaDoi:10.3390/ma17184502 - link do publikacji
- Palladium-Based Contacts on p-GaN and Their Application in Laser DiodesAutorzy:Levchenko, I.; Kryvyi, S.; Kamińska, E.; Grzanka, S.; Grzanka, E.; Marona, Ł.; Perlin, P.Czasopismo:Materials (rok: 2023, tom: 16, strony: 6568), Wydawca: MDPIStatus:OpublikowanaDoi:10.3390/ma16196568 - link do publikacji
- Palladium-Based Contacts on p-GaN and Their Application in Laser DiodesAutorzy:381. Levchenko, I.; Kryvyi, S.; Kamińska, E.; Grzanka, S.; Grzanka, E.; Marona, Ł.; Perlin, P.Czasopismo:Materials (rok: 2023, tom: 16, strony: 6568), Wydawca: MDPIStatus:OpublikowanaDoi:10.3390/ma16196568 - link do publikacji