Wyszukiwarka projektów

Publikacje w czasopismach (10)

1. Carbon and Manganese in Semi-Insulating Bulk GaN Crystals

   Autorzy:

   Mikolaj Amilusik,Marcin Zajac,Tomasz Sochacki, Boleslaw Lucznik, Michal Fijalkowski, Malgorzata Iwinska, Damian Wlodarczyk, Ajeesh Kumar Somakumar, Andrzej Suchocki,Michal Bockowski

   Czasopismo:

   Materials (rok: 2022, tom: 15, strony: 2379), Wydawca: MDPI

   Status:

   Opublikowana

   DOI:

   10.3390/ma15072379 – link do publikacji

2. Low-Temperature Electrical Transport Properties of Molecular Beam Epitaxy-Grown Mg-Doped GaN Subjected to a High-Temperature Annealing Process

   Autorzy:

   Leszek Konczewicz, Sandrine Juillaguet, Marcin Zajac, Elzbieta Litwin-Staszewska, Mohamed Al Khalfioui, Mathieu Leroux, Benjamin Damilano, Julien Brault, Sylvie Contreras

   Czasopismo:

   PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE (rok: 2023, tom: 2023, strony: 2200769), Wydawca: WILEY-V C H VERLAG GMBH

   Status:

   Opublikowana

   DOI:

   10.1002/pssa.202200769 – link do publikacji

3. Role of carbon in n-type bulk GaN crystals

   Autorzy:

   M. Amilusik, M. Zajac, M. Fijalkowski, M. Iwinska, T. Sochacki, D. Wlodarczyk, A.K. Somakumar, R. Jakiela, A. Suchocki, M. Bockowski

   Czasopismo:

   Journal of Crystal Growth (rok: 2024, tom: 632, strony: 127641), Wydawca: Elsevier

   Status:

   Opublikowana

   DOI:

   10.1016/j.jcrysgro.2024.127641 – link do publikacji

4. Negative Magnetoresistivity in Highly Doped n-Type GaN

   Autorzy:

   Leszek Konczewicz, ,Malgorzata Iwinska, Elzbieta Litwin-Staszewska, Marcin Zajac, Henryk Turski, Michal Bockowski, Dario Schiavon, Mikołaj Chlipała,Sandrine Juillaguet, Sylvie Contreras

   Czasopismo:

   Materials (rok: 2022, tom: 15, strony: 7069), Wydawca: MDPI

   Status:

   Opublikowana

   DOI:

   10.3390/ma15207069 – link do publikacji

5. Carbon doped semi-insulating freestanding GaN crystals by ethylene

   Autorzy:

   Qiang Liu, Marcin Zając, Małgorzata Iwińska, Shuai Wang, Wenrong Zhuang, Michał Boćkowski, Xinqiang Wang

   Czasopismo:

   Applied Physics Letters (rok: 2022, tom: 121, strony: 172103), Wydawca: American Institute of Physics

   Status:

   Opublikowana

   DOI:

   10.1063/5.0118250 – link do publikacji

6. Formation of Grown-In Nitrogen Vacancies and Interstitials in Highly Mg-Doped Ammonothermal GaN

   Autorzy:

   Marcin Zajac, Paweł Kaminski, Roman Kozlowski, Elzbieta Litwin-Staszewska, Ryszard Piotrzkowski, Karolina Grabianska, Robert Kucharski and Rafal Jakiela

   Czasopismo:

   MDPI Materials (rok: 2024, tom: 17, strony: 1160), Wydawca: MDPI

   Status:

   Opublikowana

   DOI:

   10.3390/ma17051160 – link do publikacji

7. The effect of annealing on photoluminescence from defects in ammonothermal GaN

   Autorzy:

   M. A. Reshchikov, D. O. Demchenko, D. Ye, , O. Andrieiev, M. Vorobiov, K. Grabianska, M. Zajac, P. Nita, M. Iwinska, M. Bockowski, B. McEwen, F. Shahedipour-Sandvik

   Czasopismo:

   Journal of Applied Physics (rok: 2022, tom: 131, strony: 35704), Wydawca: American Institute of Physics

   Status:

   Opublikowana

   DOI:

   10.1063/5.0077796 – link do publikacji

8. Defect-related photoluminescence from ammono GaN

   Autorzy:

   M. A. Reshchikov, M. Vorobiov, K. Grabiańska, M. Zajac, M. Iwinska, M. Bockowski

   Czasopismo:

   Journal of Applied Physics (rok: 2021, tom: 129, strony: 95703), Wydawca: American Institute of Physics

   Status:

   Opublikowana

   DOI:

   10.1063/5.0045019 – link do publikacji

9. Electrical transport properties of highly doped N-type GaN materials

   Autorzy:

   L. Konczewicz, E. Litwin-Staszewska; M. Zajac, H. Turski, M. Bockowski, D. Schiavon, M. Chlipala, M. Iwinska, P. Nita, S. Juillaguet, S. Contreras

   Czasopismo:

   Semiconductor Science and Technology (rok: 2022, tom: 37, strony: 55012), Wydawca: IOP Publishing Ltd

   Status:

   Opublikowana

   DOI:

   10.1088/1361-6641/ac5e01 – link do publikacji

10. P-type conductivity in GaN:Be epitaxial layers

    Autorzy:

    M. Zajac, M. A. Reshchikov, B. McEwen, F. Shahendipour-Sandvik

    Czasopismo:

    Journal of Applied Physics (rok: 2025, tom: 138, strony: 95705), Wydawca: AIP Publishing

    Status:

    Opublikowana

    DOI:

    10.1063/5.0283055 – link do publikacji