Charakteryzacja in-situ dynamiki wzrostu warstw metodą MOVPE i mechanizmów dyfuzji w półprzewodnikach azotkowych i ich wpływ na optoelektroniczne własności struktur kwantowych InGaN/AlGaN/GaN
2018/31/G/ST5/03765
Słowa kluczowe
Deskryptory
- ST5_1: Właściwości strukturalne materiałów
- ST5_4: Cienkie warstwy
Panel
ST5 – Synteza i materiały: otrzymywanie materiałów, związki struktury z właściwościami, nowoczesne materiały o założonych właściwościach, architektura (makro)molekularna, chemia organiczna, chemia nieorganiczna
Jednostka realizująca
Instytut Wysokich Ciśnień PAN
woj. mazowieckie
Kierownik projektu (z jednostki realizującej)
prof. Michał Jerzy Leszczyński
Liczba wykonawców projektu: 7
Konkurs
BEETHOVEN 3 – ogłoszony 2018-09-14
- Przyznana kwota
- 1 431 847 PLN
- Rozpoczęcie projektu
- 2020-01-15
- Zakończenie projektu
- 2025-01-14
- Planowany czas trwania projektu
- 60 miesięcy (z wniosku)
- Status projektu
- Projekt rozliczony
Opis projektu
Pobierz opis projektu w formacie .pdf
Uwaga — opisy projektów zostały sporządzone przez samych autorów wniosków i w niezmienionej formie umieszczone w systemie.
Dane z raportu końcowego/rocznego
Publikacje w czasopismach (3)
-
Improving thermal stability of InGaN quantum wells by doping of GaN barrier layers
- Autorzy:
- Artur Lachowski, Ewa Grzanka, Szymon Grzanka, Robert Czernecki, Mikołaj Grabowski, Roman Hrytsak, Grzegorz Nowak, Mike Leszczyński, Julita Smalc-Koziorowska
- Czasopismo:
- Journal of Alloys and Compounds (rok: 2022, tom: 900, strony: 163519), Wydawca: Elsevier
- Status:
- Opublikowana
- DOI:
- 10.1016/j.jallcom.2021.163519 – link do publikacji
-
In-situ X-ray study during a thermal cycle treatment in combi-nation with complementary ex-situ investigation of InGaN Quantum Wells
- Autorzy:
- Ewa Grzanka, Sondes Bauer, Artur Lachowski, Szymon Grzanka, Robert Czernecki, Byeongchan So, Tilo Baumbach and Mike Leszczynski
- Czasopismo:
- Nanomaterials (rok: 2024, tom: 15(2), strony: 21), Wydawca: MDPI
- Status:
- Opublikowana
- DOI:
- 10.3390/nano15020140 – link do publikacji
-
Effect of doping of layers surrounding GaN/InGaN multiple quantum wells on their thermal stability
- Autorzy:
- Artur Lachowski, Ewa Grzanka, Robert Czernecki, Mikołaj Grabowski, Szymon Grzanka, Mike Leszczyński, Julita Smalc-Koziorowska
- Czasopismo:
- Materials Science in Semiconductor Processing (rok: 2023, tom: 166, strony: 107752), Wydawca: Elesevier
- Status:
- Opublikowana
- DOI:
- 10.1016/j.mssp.2023.107752 – link do publikacji