Badanie zjawisk transportu i zjawisk fluktuacyjnych w heterostrukturach z HgCdTe przy pomocy zaawansowanych analiz numerycznych połączonych z eksperymentalna charakteryzacją przyrządów fotoelektrycznych wytwarzanych metodą MOCVD i MBE

2016/23/B/ST7/03958

Słowa kluczowe

Deskryptory

  • ST7_2: Elektrotechnika, elektronika: półprzewodniki, elementy i układy, systemy
  • ST7_3: Inżynieria symulacji i modelowania

Panel

ST7 – Inżynieria systemów i komunikacji: elektronika, komunikacja, optoelektronika

Jednostka realizująca

Wojskowa Akademia Techniczna im. Jarosława Dąbrowskiego, Wydział Nowych Technologii i Chemii

woj. mazowieckie

Inne projekty tej jednostki »

Kierownik projektu (z jednostki realizującej)

dr hab. Krzysztof Damian Jóźwikowski

Liczba wykonawców projektu: 3

Konkurs

OPUS 12 – ogłoszony 2016-09-15

Przyznana kwota
314 600 PLN
Rozpoczęcie projektu
2017-07-10
Zakończenie projektu
2020-07-09
Planowany czas trwania projektu
36 miesięcy (z wniosku)
Status projektu
Projekt rozliczony

Opis projektu

Pobierz opis projektu w formacie .pdf

Uwaga — opisy projektów zostały sporządzone przez samych autorów wniosków i w niezmienionej formie umieszczone w systemie.

Zakupiona aparatura

  1. Origin PRO 2018.

Dane z raportu końcowego/rocznego

Publikacje w czasopismach (7)

  1. Enhanced numerical design of two‑barrier infrared detectors with III–V compounds heterostructures considering the infuence of lattice strain and misft dislocations on the band gap

    Autorzy:
    A. Jóźwikowska M. Suligowski i K. Jóźwikowski
    Czasopismo:
    Optical and quantum Electronics (rok: 2019, tom: 51 (7), strony: no. 247 1-15), Wydawca: Springer
    Status:
    Opublikowana
    DOI:
    10.1007/s11082-019-1960-3 – link do publikacji
  2. Estimation of influence of lattice strain, bending and doping on the width of energy gap in InAsSb heterostructures

    Autorzy:
    Alina Jóźwikowska, Krzysztof Jóźwikowski, Robert Ciupa, Mariusz Suligowski
    Czasopismo:
    Infrared Physics and Technology (rok: 2019, tom: 99, strony: 292-303), Wydawca: Elsevier
    Status:
    Opublikowana
    DOI:
    10.1016/j.infrared.2019.04.020 – link do publikacji
  3. Photon recycling effect in small pixel p-i-n HgCdTe long wavelength infrared photodiodes

    Autorzy:
    Kopytko, M., Jóźwikowski, K., Martyniuk, P., Rogalski, A.
    Czasopismo:
    Infrared Physics and Technology (rok: 2019, tom: 97, strony: 38-42), Wydawca: Elsevier
    Status:
    Opublikowana
    DOI:
    10.1016/j.infrared.2018.12.015 – link do publikacji
  4. Mobility of Two-Electron Conduction in Narrow-Gap n-type Hg1−xCdxTe Structures

    Autorzy:
    A. Jóźwikowska, K. Jóźwikowski, J. Antoszewski, L. Faraone i M. Suligowski
    Czasopismo:
    IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, (rok: 2018, tom: VOL. 65, NO. 11, strony: 4995-5001), Wydawca: IEEE
    Status:
    Opublikowana
    DOI:
    10.1109/TED.2018.2871270 – link do publikacji
  5. Numerical estimation of photon reabsorption process and optical crosstalk in arrays of HgCdTe photodiodes

    Autorzy:
    Alina Jóźwikowska, Krzysztof jóźwikowski
    Czasopismo:
    Optical and Quantum Electronics (2019) (rok: 2019, tom: 51:85, strony: 46036), Wydawca: Springer
    Status:
    Opublikowana
    DOI:
    10.1007/s11082-019-1781-4 – link do publikacji
  6. Enhanced numerical modeling of HgCdTe LWIR HOT non-equilibrium P+ν(π)N+ photodiodes

    Autorzy:
    Krzysztof Jóźwikowski, Alina jóźwikowska
    Czasopismo:
    Journal of Electronics Materials (rok: 2019, tom: 48 (10), strony: 6030-6039), Wydawca: Springer
    Status:
    Opublikowana
    DOI:
    10.1007/s11664-019-07264-w – link do publikacji
  7. Numerical estimation of lattice strain, bending and generation of misfit dislocations in CdHgTe heterostructures grown on GaAs substrate

    Autorzy:
    Alina Jóźwikowska· Olga Markowska2· Krzysztof Jóźwikowski
    Czasopismo:
    Optical and Quantum electronics (rok: 2020, tom: 52, strony: 254, 1-14), Wydawca: Springer
    Status:
    Opublikowana
    DOI:
    10.1007/s11082-020-02391-9 – link do publikacji

Teksty w publikacjach pokonferencyjnych (5)

  1. Numerical estimation of lattice strain, bending and generation of misfit dislocations in HgCdTe heterostructures grown on GaAs substrate

    Autorzy:
    Alina Jóźwikowska· Olga Markowska2· Krzysztof Jóźwikowski
    Konferencja:
    NUSOD 2019 (rok: 2019, strony: 41-42), Wydawca: IEEE
    Data:
    konferencja 08-12 07
    Status:
    Opublikowana
  2. Enhanced numerical design of two barrier infrared detectors with III-V compounds heterostructures

    Autorzy:
    A. Jóźwikowska, M. Suligowski(, K. Jóźwikowski
    Konferencja:
    NUSOD 2018 (rok: 2018, strony: 46085), Wydawca: IEEE
    Data:
    konferencja 5-9 11
    Status:
    Opublikowana
  3. Numerical estimation of photon reabsorption process and optical crosstalk in arrays of HgCdTe photodiodes

    Autorzy:
    Alina Jóźwikowska· · Krzysztof Jóźwikowski
    Konferencja:
    NUSOD 2018 (rok: 2018, strony: 15-16), Wydawca: IEEE
    Data:
    konferencja 05-09 11
    Status:
    Opublikowana
  4. Influence of radiative recombination on performance of p-i-n HOT long wavelength infrared HgCdTe photodiodes

    Autorzy:
    A. Rogalski, M. Kopytko, K. Jóźwikowski, P. Martyniuk
    Konferencja:
    SPIE (rok: 2018, strony: 106240Y 1-11), Wydawca: PROCEEDINGS OF SPIE
    Data:
    konferencja 2018 03 20
    Status:
    Opublikowana
  5. Enhanced numerical design of HgCdTe MWIR HOT P+νN+ photodiodes

    Autorzy:
    A. Jóźwikowska, R. Ciupa, O. Markowska and K. Jóźwikowski
    Konferencja:
    NUSOD 2019 (rok: 2019, strony: 85-86), Wydawca: IEEE
    Data:
    konferencja 08-12 o7 2019
    Status:
    Opublikowana

« Nowe wyszukiwanie

Projekt graficzny i wykonanie: Jakub Piotrowski