Projekty finansowane przez NCN


Dane kierownika projektu i jednostki realizującej

Szczegółowe informacje o projekcie i konkursie

Słowa kluczowe

Aparatura

Wyczyść formularz

Nowy scyntylator półprzewodnikowy beta-Ga2O3:Ce - badania własności spektroskopowych i scyntylacyjnych

2016/23/G/ST5/04048

Słowa kluczowe:

β-Ga2O3 przezroczysty tlenek półprzewodzący scyntylator radioluminescencja cer

Deskryptory:

  • ST5_8: Nowe materiały: tlenki, stopy, kompozyty, hybrydy organiczno-nieorganiczne, nadprzewodniki

Panel:

ST5 - Synteza i materiały: otrzymywanie materiałów, związki struktury z właściwościami, nowoczesne materiały o założonych właściwościach, architektura (makro)molekularna, chemia organiczna, chemia nieorganiczna

Jednostka realizująca:

Uniwersytet Mikołaja Kopernika, Wydział Fizyki, Astronomii i Informatyki Stosowanej

woj. kujawsko-pomorskie

Inne projekty tej jednostki 

Kierownik projektu (z jednostki realizującej):

dr hab. Winicjusz Drozdowski 

Liczba wykonawców projektu: 4

Konkurs: BEETHOVEN 2 - ogłoszony 2016-09-15

Przyznana kwota: 682 252 PLN

Rozpoczęcie projektu: 2017-11-10

Zakończenie projektu: 2022-11-09

Planowany czas trwania projektu: 60 miesięcy (z wniosku)

Status projektu: Projekt rozliczony

Opis Projektu

Pobierz opis projektu w formacie .pdf

Uwaga - opisy projektów zostały sporządzone przez samych autorów wniosków i w niezmienionej formie umieszczone w systemie.

Zakupiona aparatura

  1. Wzmacniacz spektroskopowy Caen N968. Za kwotę 14 883 PLN
  2. Fotopowielacz z dzielnikiem napięcia i obudową. Za kwotę 5 185 PLN
  3. Przewód wysokonapięciowy do generatora rtg. Za kwotę 16 376 PLN

Dane z raportu końcowego/rocznego

  • Publikacje w czasopismach (11)
  1. Heading for Brighter and Faster β-Ga2O3 Scintillator Crystals
    Autorzy:
    W. Drozdowski, M. Makowski, A. Bachiri, M.E. Witkowski, A.J. Wojtowicz, R. Schewski, K. Irmscher, Z. Galazka
    Czasopismo:
    Optical Materials: X (rok: 2022, tom: 15, strony: 100157/1-5), Wydawca: Elsevier
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1016/j.omx.2022.100157 - link do publikacji
  2. Low Temperature Thermoluminescence of β-Ga2O3 Scintillator
    Autorzy:
    M.E. Witkowski, K.J. Drozdowski, M. Makowski, W. Drozdowski, A.J. Wojtowicz, K. Irmscher, R. Schewski, Z. Galazka
    Czasopismo:
    Optical Materials: X (rok: 2022, tom: 16, strony: 100210/1-5), Wydawca: Elsevier
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1016/j.omx.2022.100210 - link do publikacji
  3. Bulk Single Crystals of β-Ga2O3 and Ga-Based Spinels as Ultra-Wide Bandgap Transparent Semiconducting Oxides
    Autorzy:
    Z. Galazka, S. Ganschow, K. Irmscher, D. Klimm, M. Albrecht, R. Schewski, M. Pietsch, T. Schulz, A. Dittmar, A. Kwasniewski, R. Grueneberg, S.B. Anooz, A. Popp, U. Juda, I.M. Hanke, T. Schroeder, M. Bickermann
    Czasopismo:
    Progress in Crystal Growth and Characterization of Materials (rok: 2021, tom: 67, strony: 100511/1-10), Wydawca: Elsevier
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1016/j.pcrysgrow.2020.100511 - link do publikacji
  4. Bulk β-Ga2O3 Single Crystals Doped with Ce, Ce+Si, Ce+Al, and Ce+Al+Si for Detection of Nuclear Radiation
    Autorzy:
    Z. Galazka, R. Schewski, K. Irmscher, W. Drozdowski, M.E. Witkowski, M. Makowski, A. Wojtowicz, I.M. Hanke, M. Pietsch, T. Schulz, D. Klimm, S. Ganschow, A. Dittmar, A. Fiedler, T. Schroeder, M. Bickermann
    Czasopismo:
    Journal of Alloys and Compounds (rok: 2020, tom: 818, strony: 152842/1-7), Wydawca: Elsevier
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1016/j.jallcom.2019.152842 - link do publikacji
  5. Semiconductor Scintillator Development: Pure and Doped β-Ga2O3
    Autorzy:
    W. Drozdowski, M. Makowski, M.E. Witkowski, A. Wojtowicz, R. Schewski, K. Irmscher, Z. Galazka
    Czasopismo:
    Optical Materials (rok: 2020, tom: 105, strony: 109856/1-6), Wydawca: Elsevier
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1016/j.optmat.2020.109856 - link do publikacji
  6. β-Ga2O3:Ce as a Fast Scintillator: an Unclear Role of Cerium
    Autorzy:
    W. Drozdowski, M. Makowski, M.E. Witkowski, A. Wojtowicz, Z. Galazka, K. Irmscher, R. Schewski
    Czasopismo:
    Radiation Measurements (rok: 2019, tom: 121, strony: 49-53), Wydawca: Elsevier
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1016/j.radmeas.2018.12.009 - link do publikacji
  7. Growth of Bulk β-Ga2O3 Single Crystals by the Czochralski Method
    Autorzy:
    Z. Galazka
    Czasopismo:
    Journal of Applied Physics (rok: 2022, tom: 131, strony: 031103/1-22), Wydawca: AIP Publishing LLC
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1063/5.0076962 - link do publikacji
  8. Recent Progress in the Development of β-Ga2O3 Scintillator Crystals Grown by the Czochralski Method
    Autorzy:
    W. Drozdowski, M. Makowski, M.E. Witkowski, A.J. Wojtowicz, K. Irmscher, R. Schewski, Z. Galazka
    Czasopismo:
    Optical Materials Express (rok: 2021, tom: 11, strony: 2488-2494), Wydawca: The Optical Society (OSA)
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1364/OME.431340 - link do publikacji
  9. Assessment of the Scintillation Properties of MgGa2O4 and ZnGa2O4 Single Crystals
    Autorzy:
    A. Bachiri, M. Makowski, M.E. Witkowski, W. Drozdowski, Z. Galazka
    Czasopismo:
    Optical Materials Express (rok: 2023, tom: 13, strony: 1345-1352), Wydawca: The Optical Society (OSA)
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1364/OME.489134 - link do publikacji
  10. Tailoring the Scintillation Properties of β-Ga2O3 by Doping with Ce and Codoping with Si
    Autorzy:
    M. Makowski, W. Drozdowski, M.E. Witkowski, A.J. Wojtowicz, K. Irmscher, R. Schewski, Z. Galazka
    Czasopismo:
    Optical Materials Express (rok: 2019, tom: 9, strony: 3738-3743), Wydawca: The Optical Society (OSA)
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1364/OME.9.003738 - link do publikacji
  11. Scintillation and Radioluminescence Mechanism in β-Ga2O3 Semiconducting Single Crystals
    Autorzy:
    A.J. Wojtowicz, M.E. Witkowski, W. Drozdowski, M. Makowski, Z. Galazka
    Czasopismo:
    Heliyon (rok: 2023, tom: (under revision), strony: -), Wydawca: Cell Press
    Status:
    Złożona