Projekty finansowane przez NCN
Charakterystyka ładowania i zachowania skorelowane w dziurowych sztucznych atomach
2012/07/N/ST3/03161
Słowa kluczowe:
kropki kwantowe sztuczne atomy dziury mieszanie pasm walencyjnych efekty korelacyjne krystalizacja wignerowska blokada kulombowska
Deskryptory:
- ST3_7: Półprzewodniki
- ST3_10: Spintronika
- ST3_12: Nanofizyka: nanoelekronika, nanofotonika, nanomagnetyzm
Panel:
ST3 - Fizyka fazy skondensowanej: struktura, własności elektronowe, płyny, nano-nauka
Jednostka realizująca:
Akademia Górniczo-Hutnicza im. Stanisława Staszica w Krakowie, Wydział Fizyki i Informatyki Stosowanej
woj. małopolskie
Konkurs: PRELUDIUM 4 - ogłoszony 2012-09-15
Przyznana kwota: 76 640 PLN
Rozpoczęcie projektu: 2013-08-29
Zakończenie projektu: 2015-12-28
Planowany czas trwania projektu: 28 miesięcy (z wniosku)
Status projektu: Projekt rozliczony
Zakupiona aparatura
- Drukarka laserowa kolorowa. Za kwotę 1 500 PLN
Dane z raportu końcowego/rocznego
- Publikacje w czasopismach (4)
- Optical signatures of valence-band mixing in positive trion recombination spectra of double quantum dotsAutorzy:W. J. Pasek, M. P. Nowak, B. SzafranCzasopismo:Physical Review B (rok: 2014, tom: 89, strony: 245303-1 245303-13), Wydawca: American Physical SocietyStatus:OpublikowanaDoi:10.1103/PhysRevB.89.245303 - link do publikacji
- Valence band mixing versus higher harmonic generation in electric-dipole spin resonanceAutorzy:W. J. Pasek, M. P. Nowak, B. SzafranCzasopismo:Semiconductor Science and Technology (rok: 2015, tom: 30, strony: 055017-055026), Wydawca: IOP PublishingStatus:OpublikowanaDoi:10.1088/0268-1242/30/5/055017 - link do publikacji
- Spin exchange energy for a pair of valence band holes in artificial moleculesAutorzy:W. J. Pasek, B. Szafran, M. P. NowakCzasopismo:Semiconductor Science and Technology (rok: 2014, tom: 29, strony: 115022-115031), Wydawca: IOP PublishingStatus:OpublikowanaDoi:10.1088/0268-1242/29/11/115022 - link do publikacji
- The Coulomb-interaction-induced breaking of the Aufbau principle for the hole charging of InGaAs/GaAs quantum dotsAutorzy:W. J. PasekCzasopismo:Journal of Physics: Condensed Matter (rok: 2016, tom: 28, strony: 485303-1 485303-16), Wydawca: IOP PublishingStatus:OpublikowanaDoi:10.1088/0953-8984/28/48/485303 - link do publikacji