Change language

Wyszukiwarka projektów

Globalny skupiony nieliniowy model termiczny elementu pólprzewodnikowego do analizy układów elektronicznych

2011/01/B/ST7/06740

Słowa kluczowe

Deskryptory

  • ST7_3: Inżynieria symulacji i modelowania

Panel

ST7 – Inżynieria systemów i komunikacji: elektronika, komunikacja, optoelektronika

Jednostka realizująca

Akademia Morska w Gdyni, Wydział Elektryczny

woj. pomorskie

Inne projekty tej jednostki »

Kierownik projektu (z jednostki realizującej)

prof. Janusz Andrzej Zarębski

Liczba wykonawców projektu: 12

Konkurs

OPUS 1 – ogłoszony 2011-03-15

Przyznana kwota
335 400 PLN
Rozpoczęcie projektu
2011-12-07
Zakończenie projektu
2014-10-06
Planowany czas trwania projektu
34 miesiące (z wniosku)
Status projektu
Projekt rozliczony

Zakupiona aparatura

  1. stanowisko pomiarowe do wyznaczania przejściowej impedancji termicznej elementów półprzewodnikowych. Za kwotę 5 185 PLN

Dane z raportu końcowego/rocznego

Publikacje w czasopismach (12)

  1. Modeling the influence of selected factors on thermal resistance of semiconductor devices

    Autorzy:
    Górecki K., Zarębski J.
    Czasopismo:
    IEEE Transactions on Components, Packaging and Manufacturing Technology (rok: 2014, tom: Vol. 4, No. 3, strony: pp. 421-428), Wydawca: IEEE Press
    Status:
    Opublikowana
    DOI:
    10.1109/TCPMT.2013.2290743 – link do publikacji

  2. System pomiarowy do wyznaczania parametrów termicznych elementów półprzewodnikowych

    Autorzy:
    Zarębski J., Górecki K., Dąbrowski J.
    Czasopismo:
    Elektronika (rok: 2013, tom: nr 12, strony: 32-35), Wydawca: Sigma-NOT
    Status:
    Opublikowana

  3. Wpływ obudowy urządzenia elektronicznego na przejściową impedancję termiczną tranzystora mocy MOS

    Autorzy:
    Górecki K., Zarębski J.
    Czasopismo:
    Elektronika (rok: 2013, tom: Nr 9, strony: 111-113), Wydawca: Sigma-NOT
    Status:
    Opublikowana

  4. The Influence of the Construction of the Cooling System of Semiconductor Devices on the Watt-Hour Efficiency of DC-DC Converters

    Autorzy:
    Zarębski J., Górecki K.
    Czasopismo:
    Springer Proceedings in Physics (rok: 2014, tom: 155, strony: 155-160), Wydawca: Springer
    Status:
    Opublikowana
    DOI:
    10.1007/978-3-319-05521-3_20 – link do publikacji

  5. Wpływ mocowania elementu półprzewodnikowego na jego przejściową impedancję termiczną

    Autorzy:
    Górecki K., Zarębski J.
    Czasopismo:
    Elektryka (rok: 2014, tom: R. LX, (229), strony: 57-64), Wydawca: Politechnika Śląska
    Status:
    Opublikowana

  6. The semiconductor device thermal model taking into account non-linearity and multhipathing of the cooling system.

    Autorzy:
    Górecki K., Zarębski J.
    Czasopismo:
    Journal of Physics: Conference Series (rok: 2014, tom: 494, strony: 012008, 1-8), Wydawca: IOP Publishing
    Status:
    Opublikowana
    DOI:
    10.1088/1742-6596/494/1/012008 – link do publikacji

  7. Analiza wpływu nieliniowości modelu termicznego tranzystora MOS mocy na charakterystyki przetwornicy boost

    Autorzy:
    Zarębski J., Górecka K., Górecki K.
    Czasopismo:
    Poznan University of Technology Academic Journal, Electrical Engineering (rok: 2014, tom: 80, strony: 46282), Wydawca: Politechnika Poznańska
    Status:
    Opublikowana

  8. Metodyka formułowania wielodrogowego nieliniowego skupionego modelu termicznego elementu półprzewodnikowego.

    Autorzy:
    Górecki K., Zarębski J.
    Czasopismo:
    Elektronika (rok: 2013, tom: nr 1, strony: 22-25), Wydawca: Sigma-NOT
    Status:
    Opublikowana

  9. Stanowisko do badania parametrów cieplnych materiałów stosowanych w elektronice

    Autorzy:
    E. Raj, R. Gozdur, Z. Lisik, M. Sołyga
    Czasopismo:
    Przegląd Elektrotechniczny (rok: 2015, tom: 91, strony: 205-207), Wydawca: SEP
    Status:
    Opublikowana
    DOI:
    10.15199/48.2015.02.46 – link do publikacji

  10. An influence of the selected factors on the transient thermal impedance model of power MOSFET

    Autorzy:
    Górecki K., Zarębski J., Bisewski D.
    Czasopismo:
    Informacije MIDEM Journal of Microelectronics, electronic Components and Materials (rok: 2015, tom: 45, strony: 110-116), Wydawca: MIDEM Society
    Status:
    Opublikowana

  11. Zależność parametrów modelu przejściowej impedancji termicznej tranzystora MOS mocy od konstrukcji układu chłodzenia

    Autorzy:
    D. Bisewski, K. Górecki, J. Zarębski
    Czasopismo:
    Przegląd Elektrotechniczny (rok: 2015, tom: 91, strony: 139-143), Wydawca: NOT-Sigma
    Status:
    Opublikowana
    DOI:
    10.15199/48.2015.04.31 – link do publikacji

  12. Jednofazowe systemy chłodzenia cieczowego do zastosowań w elektronice

    Autorzy:
    Ewa Raj
    Czasopismo:
    Zeszyty Naukowe Akademii Morskiej w Gdyni (rok: 2012, tom: 75, strony: 87-98), Wydawca: Wydawnictwo Akademii Morskiej w Gdyni
    Status:
    Opublikowana
    DOI:
    link do publikacji

Teksty w publikacjach pokonferencyjnych (8)

  1. Thermal conductivity measurement system based on Peltier effect

    Autorzy:
    Kukiełka A., Raj E., Lisik Z.
    Konferencja:
    Microtherm 2013 Microtechnology and Thermal Problems in Electronics (rok: 2013, strony: 304-307), Wydawca: Politechnika Łódzka
    Data:
    konferencja 26-28 czerwca 2013
    Status:
    Opublikowana

  2. Semiconductor component thermal model taking into account non-linearity and multhipathing of the cooling system

    Autorzy:
    Górecki K., Zarębski J.
    Konferencja:
    Microtherm 2013 Microtechnology and Thermal Problems in Electronics (rok: 2013, strony: 71-77), Wydawca: Politechnika Łódzka
    Data:
    konferencja 26-28 czerwca 2013
    Status:
    Opublikowana

  3. The influence of the selected factors on transient thermal impedance of semiconductor devices

    Autorzy:
    Górecki K., Zarębski J.
    Konferencja:
    21st International Conference Mixed Design of Integrated Circuits and Systems MIXDES (rok: 2014, strony: 309-314), Wydawca: Politechnika Łódzka
    Data:
    konferencja 19-21 czerwca 2014
    Status:
    Opublikowana

  4. Paths of the heat flow from semiconductor devices to the surrounding

    Autorzy:
    Górecki K., Zarębski J.
    Konferencja:
    19th Internationa Conference Mixed Design of Integrated Circuits and Systems MIXDES 2012 (rok: 2012, strony: 313-318), Wydawca: Technical University of Łódź
    Data:
    konferencja 24-26 maja 2012
    Status:
    Opublikowana

  5. DC measurements method of the thermal resistance of power MOSFETs

    Autorzy:
    Górecki K., Zarębski J.
    Konferencja:
    19th Internationa Conference Mixed Design of Integrated Circuits and Systems MIXDES 2012 (rok: 2012, strony: 304-308), Wydawca: Technical University of Łodź
    Data:
    konferencja 24-26 maja 2012
    Status:
    Opublikowana

  6. Measuring System for Determining Thermal Parameters of Semiconductor Devices

    Autorzy:
    Zarębski J., Górecki K., Dąbrowski J.
    Konferencja:
    20th International Conference Mixed Design of Integrated Circuits and Systems MIXDES 2013 (rok: 2013, strony: 316-320), Wydawca: Politechnika Łódzka
    Data:
    konferencja 20-22 czerwca 2013
    Status:
    Opublikowana

  7. Wpływ obudowy urządzenia elektronicznego na przejściową impedancję termiczną tranzystora mocy MOS.

    Autorzy:
    Górecki K., Zarębski J.
    Konferencja:
    XII Krajowa Konferencja Elektroniki KKE 2013 (rok: 2013, strony: 123-128), Wydawca: Politechnika Koszalińska
    Data:
    konferencja 10-13 czerwca 2013
    Status:
    Opublikowana

  8. Measurements of the thermal resistance of power LEDs

    Autorzy:
    Górecki K.
    Konferencja:
    11th International Seminar on Power Semiconductors ISPS'12 (rok: 2012, strony: 149-154), Wydawca: Ceske centrum IET
    Data:
    konferencja 29-31 sierpnia 2012
    Status:
    Opublikowana

« Nowe wyszukiwanie

Projekt graficzny i wykonanie: Jakub Piotrowski