Projekty finansowane przez NCN


Dane kierownika projektu i jednostki realizującej

Szczegółowe informacje o projekcie i konkursie

Słowa kluczowe

Aparatura

Wyczyść formularz

Globalny skupiony nieliniowy model termiczny elementu pólprzewodnikowego do analizy układów elektronicznych

2011/01/B/ST7/06740

Słowa kluczowe:

Model termiczny elementy półprzewodnikowe analiza termiczna samonagrzewanie

Deskryptory:

  • ST7_3: Inżynieria symulacji i modelowania

Panel:

ST7 - Inżynieria systemów i komunikacji: elektronika, komunikacja, optoelektronika

Jednostka realizująca:

Akademia Morska w Gdyni, Wydział Elektryczny

woj. pomorskie

Inne projekty tej jednostki 

Kierownik projektu (z jednostki realizującej):

prof. Janusz Zarębski 

Liczba wykonawców projektu: 12

Konkurs: OPUS 1 - ogłoszony 2011-03-15

Przyznana kwota: 335 400 PLN

Rozpoczęcie projektu: 2011-12-07

Zakończenie projektu: 2014-10-06

Planowany czas trwania projektu: 34 miesięcy (z wniosku)

Status projektu: Projekt rozliczony

Zakupiona aparatura

  1. stanowisko pomiarowe do wyznaczania przejściowej impedancji termicznej elementów półprzewodnikowych. Za kwotę 5 185 PLN

Dane z raportu końcowego

  • Publikacje w czasopismach (12)
  • Teksty w publikacjach pokonferencyjnych (8)
  1. Analiza wpływu nieliniowości modelu termicznego tranzystora MOS mocy na charakterystyki przetwornicy boost
    Autorzy:
    Zarębski J., Górecka K., Górecki K.
    Czasopismo:
    Poznan University of Technology Academic Journal, Electrical Engineering (rok: 2014, tom: 80, strony: 44821), Wydawca: Politechnika Poznańska
    Status:
    Opublikowana
  2. Modeling the influence of selected factors on thermal resistance of semiconductor devices IF: 1,236
    Autorzy:
    Górecki K., Zarębski J.
    Czasopismo:
    IEEE Transactions on Components, Packaging and Manufacturing Technology (rok: 2014, tom: Vol. 4, No. 3, strony: pp. 421-428), Wydawca: IEEE Press
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1109/TCPMT.2013.2290743 - link do publikacji
  3. Jednofazowe systemy chłodzenia cieczowego do zastosowań w elektronice
    Autorzy:
    Ewa Raj
    Czasopismo:
    Zeszyty Naukowe Akademii Morskiej w Gdyni (rok: 2012, tom: 75, strony: 87-98), Wydawca: Wydawnictwo Akademii Morskiej w Gdyni
    Status:
    Opublikowana
  4. System pomiarowy do wyznaczania parametrów termicznych elementów półprzewodnikowych
    Autorzy:
    Zarębski J., Górecki K., Dąbrowski J.
    Czasopismo:
    Elektronika (rok: 2013, tom: nr 12, strony: 32-35), Wydawca: Sigma-NOT
    Status:
    Opublikowana
  5. Wpływ obudowy urządzenia elektronicznego na przejściową impedancję termiczną tranzystora mocy MOS
    Autorzy:
    Górecki K., Zarębski J.
    Czasopismo:
    Elektronika (rok: 2013, tom: Nr 9, strony: 111-113), Wydawca: Sigma-NOT
    Status:
    Opublikowana
  6. Zależność parametrów modelu przejściowej impedancji termicznej tranzystora MOS mocy od konstrukcji układu chłodzenia
    Autorzy:
    D. Bisewski, K. Górecki, J. Zarębski
    Czasopismo:
    Przegląd Elektrotechniczny (rok: 2015, tom: 91, strony: 139-143), Wydawca: NOT-Sigma
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.15199/48.2015.04.31 - link do publikacji
  7. Metodyka formułowania wielodrogowego nieliniowego skupionego modelu termicznego elementu półprzewodnikowego.
    Autorzy:
    Górecki K., Zarębski J.
    Czasopismo:
    Elektronika (rok: 2013, tom: nr 1, strony: 22-25), Wydawca: Sigma-NOT
    Status:
    Opublikowana
  8. The Influence of the Construction of the Cooling System of Semiconductor Devices on the Watt-Hour Efficiency of DC-DC Converters
    Autorzy:
    Zarębski J., Górecki K.
    Czasopismo:
    Springer Proceedings in Physics (rok: 2014, tom: 155, strony: 155-160), Wydawca: Springer
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1007/978-3-319-05521-3_20 - link do publikacji
  9. The semiconductor device thermal model taking into account non-linearity and multhipathing of the cooling system.
    Autorzy:
    Górecki K., Zarębski J.
    Czasopismo:
    Journal of Physics: Conference Series (rok: 2014, tom: 494, strony: 012008, 1-8), Wydawca: IOP Publishing
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1088/1742-6596/494/1/012008 - link do publikacji
  10. Wpływ mocowania elementu półprzewodnikowego na jego przejściową impedancję termiczną
    Autorzy:
    Górecki K., Zarębski J.
    Czasopismo:
    Elektryka (rok: 2014, tom: R. LX, (229), strony: 57-64), Wydawca: Politechnika Śląska
    Status:
    Opublikowana
  11. An influence of the selected factors on the transient thermal impedance model of power MOSFET IF: 0,369
    Autorzy:
    Górecki K., Zarębski J., Bisewski D.
    Czasopismo:
    Informacije MIDEM Journal of Microelectronics, electronic Components and Materials (rok: 2015, tom: 45, strony: 110-116), Wydawca: MIDEM Society
    Status:
    Opublikowana
  12. Stanowisko do badania parametrów cieplnych materiałów stosowanych w elektronice
    Autorzy:
    E. Raj, R. Gozdur, Z. Lisik, M. Sołyga
    Czasopismo:
    Przegląd Elektrotechniczny (rok: 2015, tom: 91, strony: 205-207), Wydawca: SEP
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.15199/48.2015.02.46 - link do publikacji
  1. The influence of the selected factors on transient thermal impedance of semiconductor devices
    Autorzy:
    Górecki K., Zarębski J.
    Konferencja:
    21st International Conference Mixed Design of Integrated Circuits and Systems MIXDES (rok: 2014, ), Wydawca: Politechnika Łódzka
    Data:
    konferencja 19-21 czerwca 2014
    Status:
    Opublikowana
  2. DC measurements method of the thermal resistance of power MOSFETs
    Autorzy:
    Górecki K., Zarębski J.
    Konferencja:
    19th Internationa Conference Mixed Design of Integrated Circuits and Systems MIXDES 2012 (rok: 2012, ), Wydawca: Technical University of Łodź
    Data:
    konferencja 24-26 maja 2012
    Status:
    Opublikowana
  3. Measurements of the thermal resistance of power LEDs
    Autorzy:
    Górecki K.
    Konferencja:
    11th International Seminar on Power Semiconductors ISPS'12 (rok: 2012, ), Wydawca: Ceske centrum IET
    Data:
    konferencja 29-31 sierpnia 2012
    Status:
    Opublikowana
  4. Measuring System for Determining Thermal Parameters of Semiconductor Devices
    Autorzy:
    Zarębski J., Górecki K., Dąbrowski J.
    Konferencja:
    20th International Conference Mixed Design of Integrated Circuits and Systems MIXDES 2013 (rok: 2013, ), Wydawca: Politechnika Łódzka
    Data:
    konferencja 20-22 czerwca 2013
    Status:
    Opublikowana
  5. Semiconductor component thermal model taking into account non-linearity and multhipathing of the cooling system
    Autorzy:
    Górecki K., Zarębski J.
    Konferencja:
    Microtherm 2013 Microtechnology and Thermal Problems in Electronics (rok: 2013, ), Wydawca: Politechnika Łódzka
    Data:
    konferencja 26-28 czerwca 2013
    Status:
    Opublikowana
  6. Thermal conductivity measurement system based on Peltier effect
    Autorzy:
    Kukiełka A., Raj E., Lisik Z.
    Konferencja:
    Microtherm 2013 Microtechnology and Thermal Problems in Electronics (rok: 2013, ), Wydawca: Politechnika Łódzka
    Data:
    konferencja 26-28 czerwca 2013
    Status:
    Opublikowana
  7. Paths of the heat flow from semiconductor devices to the surrounding
    Autorzy:
    Górecki K., Zarębski J.
    Konferencja:
    19th Internationa Conference Mixed Design of Integrated Circuits and Systems MIXDES 2012 (rok: 2012, ), Wydawca: Technical University of Łódź
    Data:
    konferencja 24-26 maja 2012
    Status:
    Opublikowana
  8. Wpływ obudowy urządzenia elektronicznego na przejściową impedancję termiczną tranzystora mocy MOS.
    Autorzy:
    Górecki K., Zarębski J.
    Konferencja:
    XII Krajowa Konferencja Elektroniki KKE 2013 (rok: 2013, ), Wydawca: Politechnika Koszalińska
    Data:
    konferencja 10-13 czerwca 2013
    Status:
    Opublikowana