Zmiana języka

Projects search

Global lumped nonlinear thermal model of the semiconductor device for the analysis of electronic networks

2011/01/B/ST7/06740

Keywords

Descriptors

  • ST7_3: Inżynieria symulacji i modelowania

Panel

ST7 – Systems and communication engineering: electronics, communication, optoelectronics

Host institution

Akademia Morska w Gdyni, Wydział Elektryczny

Voivodeship: pomorskie

Other projects carried out by the institution »

Principal investigator (from the host institution)

prof. Janusz Andrzej Zarębski

Number of co-investigators in the project: 12

Call

OPUS 1 – announced on 2011-03-15

Amount awarded
335 400 PLN
Project start date
2011-12-07
Project end date
2014-10-06
Project duration
34 months (the same as in the proposal)
Project status
Project settled

Equipment purchased [PL]

  1. stanowisko pomiarowe do wyznaczania przejściowej impedancji termicznej elementów półprzewodnikowych. Cost: 5 185 PLN

Information in the final report

Publication in academic press/journals (12)

  1. Modeling the influence of selected factors on thermal resistance of semiconductor devices

    Authors:
    Górecki K., Zarębski J.
    Academic press:
    IEEE Transactions on Components, Packaging and Manufacturing Technology (year: 2014, volume: Vol. 4, No. 3, pages: pp. 421-428), Publisher: IEEE Press
    Status:
    Published
    DOI:
    10.1109/TCPMT.2013.2290743 – link to the publication

  2. System pomiarowy do wyznaczania parametrów termicznych elementów półprzewodnikowych

    Authors:
    Zarębski J., Górecki K., Dąbrowski J.
    Academic press:
    Elektronika (year: 2013, volume: nr 12, pages: 32-35), Publisher: Sigma-NOT
    Status:
    Published

  3. Wpływ obudowy urządzenia elektronicznego na przejściową impedancję termiczną tranzystora mocy MOS

    Authors:
    Górecki K., Zarębski J.
    Academic press:
    Elektronika (year: 2013, volume: Nr 9, pages: 111-113), Publisher: Sigma-NOT
    Status:
    Published

  4. The Influence of the Construction of the Cooling System of Semiconductor Devices on the Watt-Hour Efficiency of DC-DC Converters

    Authors:
    Zarębski J., Górecki K.
    Academic press:
    Springer Proceedings in Physics (year: 2014, volume: 155, pages: 155-160), Publisher: Springer
    Status:
    Published
    DOI:
    10.1007/978-3-319-05521-3_20 – link to the publication

  5. Wpływ mocowania elementu półprzewodnikowego na jego przejściową impedancję termiczną

    Authors:
    Górecki K., Zarębski J.
    Academic press:
    Elektryka (year: 2014, volume: R. LX, (229), pages: 57-64), Publisher: Politechnika Śląska
    Status:
    Published

  6. The semiconductor device thermal model taking into account non-linearity and multhipathing of the cooling system.

    Authors:
    Górecki K., Zarębski J.
    Academic press:
    Journal of Physics: Conference Series (year: 2014, volume: 494, pages: 012008, 1-8), Publisher: IOP Publishing
    Status:
    Published
    DOI:
    10.1088/1742-6596/494/1/012008 – link to the publication

  7. Analiza wpływu nieliniowości modelu termicznego tranzystora MOS mocy na charakterystyki przetwornicy boost

    Authors:
    Zarębski J., Górecka K., Górecki K.
    Academic press:
    Poznan University of Technology Academic Journal, Electrical Engineering (year: 2014, volume: 80, pages: 46282), Publisher: Politechnika Poznańska
    Status:
    Published

  8. Metodyka formułowania wielodrogowego nieliniowego skupionego modelu termicznego elementu półprzewodnikowego.

    Authors:
    Górecki K., Zarębski J.
    Academic press:
    Elektronika (year: 2013, volume: nr 1, pages: 22-25), Publisher: Sigma-NOT
    Status:
    Published

  9. Stanowisko do badania parametrów cieplnych materiałów stosowanych w elektronice

    Authors:
    E. Raj, R. Gozdur, Z. Lisik, M. Sołyga
    Academic press:
    Przegląd Elektrotechniczny (year: 2015, volume: 91, pages: 205-207), Publisher: SEP
    Status:
    Published
    DOI:
    10.15199/48.2015.02.46 – link to the publication

  10. An influence of the selected factors on the transient thermal impedance model of power MOSFET

    Authors:
    Górecki K., Zarębski J., Bisewski D.
    Academic press:
    Informacije MIDEM Journal of Microelectronics, electronic Components and Materials (year: 2015, volume: 45, pages: 110-116), Publisher: MIDEM Society
    Status:
    Published

  11. Zależność parametrów modelu przejściowej impedancji termicznej tranzystora MOS mocy od konstrukcji układu chłodzenia

    Authors:
    D. Bisewski, K. Górecki, J. Zarębski
    Academic press:
    Przegląd Elektrotechniczny (year: 2015, volume: 91, pages: 139-143), Publisher: NOT-Sigma
    Status:
    Published
    DOI:
    10.15199/48.2015.04.31 – link to the publication

  12. Jednofazowe systemy chłodzenia cieczowego do zastosowań w elektronice

    Authors:
    Ewa Raj
    Academic press:
    Zeszyty Naukowe Akademii Morskiej w Gdyni (year: 2012, volume: 75, pages: 87-98), Publisher: Wydawnictwo Akademii Morskiej w Gdyni
    Status:
    Published
    DOI:
    link to the publication

Articles in post-conference publications (8)

  1. Thermal conductivity measurement system based on Peltier effect

    Authors:
    Kukiełka A., Raj E., Lisik Z.
    Conference:
    Microtherm 2013 Microtechnology and Thermal Problems in Electronics (year: 2013, pages: 304-307), Publisher: Politechnika Łódzka
    Date:
    conference 26-28 czerwca 2013
    Status:
    Published

  2. Semiconductor component thermal model taking into account non-linearity and multhipathing of the cooling system

    Authors:
    Górecki K., Zarębski J.
    Conference:
    Microtherm 2013 Microtechnology and Thermal Problems in Electronics (year: 2013, pages: 71-77), Publisher: Politechnika Łódzka
    Date:
    conference 26-28 czerwca 2013
    Status:
    Published

  3. The influence of the selected factors on transient thermal impedance of semiconductor devices

    Authors:
    Górecki K., Zarębski J.
    Conference:
    21st International Conference Mixed Design of Integrated Circuits and Systems MIXDES (year: 2014, pages: 309-314), Publisher: Politechnika Łódzka
    Date:
    conference 19-21 czerwca 2014
    Status:
    Published

  4. Paths of the heat flow from semiconductor devices to the surrounding

    Authors:
    Górecki K., Zarębski J.
    Conference:
    19th Internationa Conference Mixed Design of Integrated Circuits and Systems MIXDES 2012 (year: 2012, pages: 313-318), Publisher: Technical University of Łódź
    Date:
    conference 24-26 maja 2012
    Status:
    Published

  5. DC measurements method of the thermal resistance of power MOSFETs

    Authors:
    Górecki K., Zarębski J.
    Conference:
    19th Internationa Conference Mixed Design of Integrated Circuits and Systems MIXDES 2012 (year: 2012, pages: 304-308), Publisher: Technical University of Łodź
    Date:
    conference 24-26 maja 2012
    Status:
    Published

  6. Measuring System for Determining Thermal Parameters of Semiconductor Devices

    Authors:
    Zarębski J., Górecki K., Dąbrowski J.
    Conference:
    20th International Conference Mixed Design of Integrated Circuits and Systems MIXDES 2013 (year: 2013, pages: 316-320), Publisher: Politechnika Łódzka
    Date:
    conference 20-22 czerwca 2013
    Status:
    Published

  7. Wpływ obudowy urządzenia elektronicznego na przejściową impedancję termiczną tranzystora mocy MOS.

    Authors:
    Górecki K., Zarębski J.
    Conference:
    XII Krajowa Konferencja Elektroniki KKE 2013 (year: 2013, pages: 123-128), Publisher: Politechnika Koszalińska
    Date:
    conference 10-13 czerwca 2013
    Status:
    Published

  8. Measurements of the thermal resistance of power LEDs

    Authors:
    Górecki K.
    Conference:
    11th International Seminar on Power Semiconductors ISPS'12 (year: 2012, pages: 149-154), Publisher: Ceske centrum IET
    Date:
    conference 29-31 sierpnia 2012
    Status:
    Published

« New search

Graphic design and implementation: Jakub Piotrowski