Projects funded by the NCN


Information on the principal investigator and host institution

Information of the project and the call

Keywords

Equipment

Delete all

Global lumped nonlinear thermal model of the semiconductor device for the analysis of electronic networks

2011/01/B/ST7/06740

Keywords:

thermal model semiconductor devices thermal analysis selfheating

Descriptors:

  • ST7_3: Simulation engineering and modelling

Panel:

ST7 - Systems and communication engineering: electronics, communication, optoelectronics

Host institution :

Akademia Morska w Gdyni, Wydział Elektryczny

woj. pomorskie

Other projects carried out by the institution 

Principal investigator (from the host institution):

prof. Janusz Zarębski 

Number of co-investigators in the project: 12

Call: OPUS 1 - announced on 2011-03-15

Amount awarded: 335 400 PLN

Project start date (Y-m-d): 2011-12-07

Project end date (Y-m-d): 2014-10-06

Project duration:: 34 months (the same as in the proposal)

Project status: Project settled

Equipment purchased [PL]

  1. stanowisko pomiarowe do wyznaczania przejściowej impedancji termicznej elementów półprzewodnikowych (5 185 PLN)

Information in the final report

  • Publication in academic press/journals (12)
  • Articles in post-conference publications (8)
  1. Modeling the influence of selected factors on thermal resistance of semiconductor devices
    Authors:
    Górecki K., Zarębski J.
    Academic press:
    IEEE Transactions on Components, Packaging and Manufacturing Technology (rok: 2014, tom: Vol. 4, No. 3, strony: pp. 421-428), Wydawca: IEEE Press
    Status:
    Published
    DOI:
    10.1109/TCPMT.2013.2290743 - link to the publication
  2. Stanowisko do badania parametrów cieplnych materiałów stosowanych w elektronice
    Authors:
    E. Raj, R. Gozdur, Z. Lisik, M. Sołyga
    Academic press:
    Przegląd Elektrotechniczny (rok: 2015, tom: 91, strony: 205-207), Wydawca: SEP
    Status:
    Published
    DOI:
    10.15199/48.2015.02.46 - link to the publication
  3. Wpływ obudowy urządzenia elektronicznego na przejściową impedancję termiczną tranzystora mocy MOS
    Authors:
    Górecki K., Zarębski J.
    Academic press:
    Elektronika (rok: 2013, tom: Nr 9, strony: 111-113), Wydawca: Sigma-NOT
    Status:
    Published
  4. An influence of the selected factors on the transient thermal impedance model of power MOSFET
    Authors:
    Górecki K., Zarębski J., Bisewski D.
    Academic press:
    Informacije MIDEM Journal of Microelectronics, electronic Components and Materials (rok: 2015, tom: 45, strony: 110-116), Wydawca: MIDEM Society
    Status:
    Published
  5. Analiza wpływu nieliniowości modelu termicznego tranzystora MOS mocy na charakterystyki przetwornicy boost
    Authors:
    Zarębski J., Górecka K., Górecki K.
    Academic press:
    Poznan University of Technology Academic Journal, Electrical Engineering (rok: 2014, tom: 80, strony: 45552), Wydawca: Politechnika Poznańska
    Status:
    Published
  6. Jednofazowe systemy chłodzenia cieczowego do zastosowań w elektronice
    Authors:
    Ewa Raj
    Academic press:
    Zeszyty Naukowe Akademii Morskiej w Gdyni (rok: 2012, tom: 75, strony: 87-98), Wydawca: Wydawnictwo Akademii Morskiej w Gdyni
    Status:
    Published
  7. System pomiarowy do wyznaczania parametrów termicznych elementów półprzewodnikowych
    Authors:
    Zarębski J., Górecki K., Dąbrowski J.
    Academic press:
    Elektronika (rok: 2013, tom: nr 12, strony: 32-35), Wydawca: Sigma-NOT
    Status:
    Published
  8. The Influence of the Construction of the Cooling System of Semiconductor Devices on the Watt-Hour Efficiency of DC-DC Converters
    Authors:
    Zarębski J., Górecki K.
    Academic press:
    Springer Proceedings in Physics (rok: 2014, tom: 155, strony: 155-160), Wydawca: Springer
    Status:
    Published
    DOI:
    10.1007/978-3-319-05521-3_20 - link to the publication
  9. The semiconductor device thermal model taking into account non-linearity and multhipathing of the cooling system.
    Authors:
    Górecki K., Zarębski J.
    Academic press:
    Journal of Physics: Conference Series (rok: 2014, tom: 494, strony: 012008, 1-8), Wydawca: IOP Publishing
    Status:
    Published
    DOI:
    10.1088/1742-6596/494/1/012008 - link to the publication
  10. Zależność parametrów modelu przejściowej impedancji termicznej tranzystora MOS mocy od konstrukcji układu chłodzenia
    Authors:
    D. Bisewski, K. Górecki, J. Zarębski
    Academic press:
    Przegląd Elektrotechniczny (rok: 2015, tom: 91, strony: 139-143), Wydawca: NOT-Sigma
    Status:
    Published
    DOI:
    10.15199/48.2015.04.31 - link to the publication
  11. Wpływ mocowania elementu półprzewodnikowego na jego przejściową impedancję termiczną
    Authors:
    Górecki K., Zarębski J.
    Academic press:
    Elektryka (rok: 2014, tom: R. LX, (229), strony: 57-64), Wydawca: Politechnika Śląska
    Status:
    Published
  12. Metodyka formułowania wielodrogowego nieliniowego skupionego modelu termicznego elementu półprzewodnikowego.
    Authors:
    Górecki K., Zarębski J.
    Academic press:
    Elektronika (rok: 2013, tom: nr 1, strony: 22-25), Wydawca: Sigma-NOT
    Status:
    Published
  1. Paths of the heat flow from semiconductor devices to the surrounding
    Authors:
    Górecki K., Zarębski J.
    Conference:
    19th Internationa Conference Mixed Design of Integrated Circuits and Systems MIXDES 2012 (rok: 2012, ), Wydawca: Technical University of Łódź
    Data:
    konferencja 24-26 maja 2012
    Status:
    Published
  2. Semiconductor component thermal model taking into account non-linearity and multhipathing of the cooling system
    Authors:
    Górecki K., Zarębski J.
    Conference:
    Microtherm 2013 Microtechnology and Thermal Problems in Electronics (rok: 2013, ), Wydawca: Politechnika Łódzka
    Data:
    konferencja 26-28 czerwca 2013
    Status:
    Published
  3. Thermal conductivity measurement system based on Peltier effect
    Authors:
    Kukiełka A., Raj E., Lisik Z.
    Conference:
    Microtherm 2013 Microtechnology and Thermal Problems in Electronics (rok: 2013, ), Wydawca: Politechnika Łódzka
    Data:
    konferencja 26-28 czerwca 2013
    Status:
    Published
  4. Wpływ obudowy urządzenia elektronicznego na przejściową impedancję termiczną tranzystora mocy MOS.
    Authors:
    Górecki K., Zarębski J.
    Conference:
    XII Krajowa Konferencja Elektroniki KKE 2013 (rok: 2013, ), Wydawca: Politechnika Koszalińska
    Data:
    konferencja 10-13 czerwca 2013
    Status:
    Published
  5. Measurements of the thermal resistance of power LEDs
    Authors:
    Górecki K.
    Conference:
    11th International Seminar on Power Semiconductors ISPS'12 (rok: 2012, ), Wydawca: Ceske centrum IET
    Data:
    konferencja 29-31 sierpnia 2012
    Status:
    Published
  6. Measuring System for Determining Thermal Parameters of Semiconductor Devices
    Authors:
    Zarębski J., Górecki K., Dąbrowski J.
    Conference:
    20th International Conference Mixed Design of Integrated Circuits and Systems MIXDES 2013 (rok: 2013, ), Wydawca: Politechnika Łódzka
    Data:
    konferencja 20-22 czerwca 2013
    Status:
    Published
  7. DC measurements method of the thermal resistance of power MOSFETs
    Authors:
    Górecki K., Zarębski J.
    Conference:
    19th Internationa Conference Mixed Design of Integrated Circuits and Systems MIXDES 2012 (rok: 2012, ), Wydawca: Technical University of Łodź
    Data:
    konferencja 24-26 maja 2012
    Status:
    Published
  8. The influence of the selected factors on transient thermal impedance of semiconductor devices
    Authors:
    Górecki K., Zarębski J.
    Conference:
    21st International Conference Mixed Design of Integrated Circuits and Systems MIXDES (rok: 2014, ), Wydawca: Politechnika Łódzka
    Data:
    konferencja 19-21 czerwca 2014
    Status:
    Published