Projekty finansowane przez NCN


Dane kierownika projektu i jednostki realizującej

Szczegółowe informacje o projekcie i konkursie

Słowa kluczowe

Aparatura

Wyczyść formularz

Badanie zjawiska dyfuzji krzemu w różnych kierunkach krystalograficznych azotku galu

2023/49/B/ST5/03319

Słowa kluczowe:

azotek galu (GaN) wygrzewanie w warunkach wysokich ciśnień i temperatur zjawisko dyfuzji w półprzewodnikach defekty punktowe profile głębokościowe

Deskryptory:

  • ST3_01: Struktura ciał stałych, wzrost i charakterystyka
  • ST5_02: Materiały o strukturze ciała stałego
  • ST3_05: Fizyczne własności półprzewodników i izolatorów

Panel:

ST5 - Synteza i materiały: otrzymywanie materiałów, związki struktury z właściwościami, nowoczesne materiały o założonych właściwościach, architektura (makro)molekularna, chemia organiczna, chemia nieorganiczna

Jednostka realizująca:

Instytut Wysokich Ciśnień PAN

woj. mazowieckie

Inne projekty tej jednostki 

Kierownik projektu (z jednostki realizującej):

prof. Michał Stanisław Boćkowski 

Liczba wykonawców projektu: 6

Konkurs: OPUS 25 - ogłoszony 2023-03-16

Przyznana kwota: 1 388 800 PLN

Rozpoczęcie projektu: 2024-01-03

Zakończenie projektu: 2027-01-02

Planowany czas trwania projektu: 36 miesięcy (z wniosku)

Status projektu: Projekt w realizacji

Opis Projektu

Pobierz opis projektu w formacie .pdf

Uwaga - opisy projektów zostały sporządzone przez samych autorów wniosków i w niezmienionej formie umieszczone w systemie.

Dane z raportu końcowego/rocznego

  • Publikacje w czasopismach (2)
  1. Ultra-high-pressure annealing with a carbon capping layer as an activation method for Mg-ionimplanted GaN
    Autorzy:
    Kensuke Sumida1* , Junya Sahashi1, Kacper Sierakowski2, Tomasz Sochacki2, Shun Lu3, Masahiro Horita1,3, Michał Boćkowski2, Tetsu Kachi1,3, and Jun Suda1,3
    Czasopismo:
    Applied Physics Express (rok: 2025, tom: 18, strony: 091003-1/091003-5), Wydawca: IOP Publishing Ltd
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.35848/1882-0786/ae0866 - link do publikacji
  2. Impacts of ultra-high-pressure annealing on undoped and ion-implanted GaN studied by photoluminescence measurements
    Autorzy:
    K. Shima  ; T. Narita ; A. Uedono ; M. Bockowski ; J. Suda ; T. Kachi ; S. F. Chichibu
    Czasopismo:
    Journal of Applied Physics (rok: 2025, tom: 137, strony: 235702-1/ 235702-12), Wydawca: AIP Publishing
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1063/5.0266700 - link do publikacji