Projekty finansowane przez NCN
Badania in-situ relaksacji plastycznej warstw buforowych InGaN w celu zwiększenia limitów zawartości indu w azotkowych warstwach epitaksjalnych
2020/39/I/ST5/03379
Słowa kluczowe:
podłoża InGaN procesy relaksacji naprężeń in-situ transmisyjna mikroskopia elektronowa in-situ dyfrakcja promieni rentgenowskich kinetyka dyslokacji warstwy InGaN o dużej zawartości indu
Deskryptory:
- ST5_002: Materiały o strukturze ciała stałego
Panel:
ST5 - Synteza i materiały: otrzymywanie materiałów, związki struktury z właściwościami, nowoczesne materiały o założonych właściwościach, architektura (makro)molekularna, chemia organiczna, chemia nieorganiczna
Kierownik projektu (z jednostki realizującej):
dr hab. Julita Wiktoria Smalc-Koziorowska
Liczba wykonawców projektu: 5
Konkurs: OPUS 20 (LAP) - ogłoszony 2020-09-15
Przyznana kwota: 991 740 PLN
Rozpoczęcie projektu: 2021-12-01
Zakończenie projektu: 2026-12-06
Planowany czas trwania projektu: 60 miesięcy (z wniosku)
Status projektu: Projekt w realizacji
Opis Projektu
Pobierz opis projektu w formacie .pdf
Uwaga - opisy projektów zostały sporządzone przez samych autorów wniosków i w niezmienionej formie umieszczone w systemie.
Dane z raportu końcowego/rocznego
- Publikacje w czasopismach (4)
- Formation of a-type dislocations near the InGaN/GaN interface during post-growth processing of epitaxial structuresAutorzy:J. Moneta, G. Staszczak, E. Grzanka, P. Tauzowski, P. Dłużewski and J. Smalc-KoziorowskaCzasopismo:Journal of Applied Physics (rok: 2023, tom: 133, strony: 45304), Wydawca: AIP PublishingStatus:OpublikowanaDoi:10.1063/5.0128514 - link do publikacji
- m-Line Frank−Shockley Partial Dislocations in Wurtzite GaN: Atomistic Calculations and High Resolution Electron Microscopy ImagingAutorzy:Imad Belabbas, Joanna Moneta, George P. Dimitrakopulos, Joseph Kioseoglou, Jun Chen, Witold Chromiński, and Julita Smalc-KoziorowskaCzasopismo:ACS Applied Electronic Materials (rok: 2025, tom: 7, strony: 6529−6540), Wydawca: ACSStatus:OpublikowanaDoi:10.1021/acsaelm.5c00859 - link do publikacji
- The dissociation of (a+c) misfit dislocations at the InGaN/GaN interfaceAutorzy:J. Smalc-Koziorowska J. Moneta G. Muzioł W. Chromiński R. Kernke M. Albrecht T. Schulz I. BelabbasCzasopismo:Journal of Microscopy (rok: 2023, tom: 293, strony: 146-152), Wydawca: WileyStatus:OpublikowanaDoi:10.1111/jmi.13234 - link do publikacji
- Influence of GaN substrate miscut on the XRD quantification of plastic relaxation in InGaNAutorzy:Moneta, J. Kryśko, M. Domagala, J. Z. Grzanka, E. Muziol, G. Siekacz, M. Leszczyński, M. Smalc-Koziorowska, J.Czasopismo:Acta Materialia (rok: 2024, tom: 276, strony: 120082), Wydawca: ElsevierStatus:OpublikowanaDoi:10.1016/j.actamat.2024.120082 - link do publikacji