Dyfuzja 3D domieszek w GaN - mechanizm i rola defektów
2019/33/B/ST5/02756
Słowa kluczowe
Deskryptory
- ST5_001: Właściwości strukturalne materiałów
Panel
ST5 – Synteza i materiały: otrzymywanie materiałów, związki struktury z właściwościami, nowoczesne materiały o założonych właściwościach, architektura (makro)molekularna, chemia organiczna, chemia nieorganiczna
Jednostka realizująca
Sieć Badawcza ŁUKASIEWICZ - Instytut Mikroelektroniki i Fotoniki
woj. mazowieckie
Kierownik projektu (z jednostki realizującej)
Liczba wykonawców projektu: 11
Konkurs
OPUS 17 – ogłoszony 2019-03-15
- Przyznana kwota
- 1 316 200 PLN
- Rozpoczęcie projektu
- 2020-02-05
- Zakończenie projektu
- 2024-05-04
- Planowany czas trwania projektu
- 51 miesięcy (z wniosku)
- Status projektu
- Projekt rozliczony
Opis projektu
Pobierz opis projektu w formacie .pdf
Uwaga — opisy projektów zostały sporządzone przez samych autorów wniosków i w niezmienionej formie umieszczone w systemie.
Dane z raportu końcowego/rocznego
Publikacje w czasopismach (3)
-
Deep‑level defects induced by implantations of Si and Mg ions into undoped epitaxial GaN
- Autorzy:
- Paweł Kamiński, Andrzej Turos, Roman Kozłowski, Kamila Stefańska‑Skrobas, Jarosław Żelazko & Ewa Grzanka
- Czasopismo:
- Nature: Scientific Reports (rok: 2024, tom: 14, strony: 14272), Wydawca: Springer
- Status:
- Opublikowana
- DOI:
- 10.1038/s41598-024-65142-w – link do publikacji
-
Deep-level traps in as-grown and electron-irradiated homo-epitaxial n-GaN layers grown by MOVPE
- Autorzy:
- J. Plesiewicz, P. Kruszewski, V.P. Markevich, P. Prystawko, S. Bulka, M. Hallsal , I. Crowe, L. Sun, A.R. Peake
- Czasopismo:
- Microelectronic Engineering (rok: 2023, tom: 274, strony: 111977-), Wydawca: Elsevier
- Status:
- Opublikowana
- DOI:
- 10.1016/j.mee.2023.111977 – link do publikacji
-
Laplace DLTS studies of the 0.25 eV electron trap properties in n-GaN
- Autorzy:
- P. Kruszewski, P. Kamiński, R. Kozłowski , J. Żelazko , R. Czernecki , M. Leszczyński, A. Turos3
- Czasopismo:
- Semiconductor Science and Technology (rok: 2021, tom: 36, strony: 46029), Wydawca: IOP Publishing LTD
- Status:
- Opublikowana
- DOI:
- 10.1088/1361-6641/abe317 – link do publikacji