Projekty finansowane przez NCN
Elektrotermiczny uśredniony model przełącznika diodowo-tranzystorowego z tranzystorem IGBT do analizy przetwornic DC-DC
2018/31/N/ST7/01818
Słowa kluczowe:
tranzystor IGBT modele uśrednione przetwornice dc-dc
Deskryptory:
- ST7_3: Inżynieria symulacji i modelowania
- ST7_2: Elektrotechnika, elektronika: półprzewodniki, elementy i układy, systemy
Panel:
ST7 - Inżynieria systemów i komunikacji: elektronika, komunikacja, optoelektronika
Jednostka realizująca:
Uniwersytet Morski w Gdyni, Wydział Elektryczny
woj. pomorskie
Konkurs: PRELUDIUM 16 - ogłoszony 2018-09-14
Przyznana kwota: 74 200 PLN
Rozpoczęcie projektu: 2019-06-21
Zakończenie projektu: 2021-06-20
Planowany czas trwania projektu: 24 miesięcy (z wniosku)
Status projektu: Projekt rozliczony
Opis Projektu
Pobierz opis projektu w formacie .pdf
Uwaga - opisy projektów zostały sporządzone przez samych autorów wniosków i w niezmienionej formie umieszczone w systemie.
Dane z raportu końcowego/rocznego
- Publikacje w czasopismach (7)
- Analysis of the Usefulness Range of the Averaged Electrothermal Model of a Diode-Transistor Switch to Compute the Characteristics of the Boost ConverterAutorzy:P. Górecki, K. GóreckiCzasopismo:Energies (rok: 2021, tom: 14, strony: art. number: 154), Wydawca: MDPI, ST Alban-Anlage 66, CH-4052 Basel, SwitzerlandStatus:OpublikowanaDoi:10.3390/en14010154 - link do publikacji
- Compact electrothermal model of laboratory made GaN Schottky diodesAutorzy:K. Górecki, P. GóreckiCzasopismo:Microelectronics International (rok: 2020, tom: 37, strony: 95-102), Wydawca: Emerald Group Publishing LTD, Howard House, Wagon Lane, Bingley BD16 1WA, W Yorkshire, EnglandStatus:OpublikowanaDoi:10.1108/MI-11-2019-0068 - link do publikacji
- Electrothermal Averaged Model of a Diode-Transistor Switch Including IGBT and a Rapid Switching DiodeAutorzy:P. Górecki, K. GóreckiCzasopismo:Energies (rok: 2020, tom: 13, strony: art. number: 3033), Wydawca: MDPI, ST Alban-Anlage 66, CH-4052 Basel, SwitzerlandStatus:OpublikowanaDoi:10.3390/en13123033 - link do publikacji
- Application of the Averaged Model of the Diode-transistor Switch for Modelling Characteristics of a Boost Converter with an IGBTAutorzy:P. GóreckiCzasopismo:International Journal of Electronics and Telecommunications (rok: 2020, tom: 66, strony: 555-560), Wydawca: Polska Akademia Nauk, Pl. Defilad 1, 00-901 WarszawaStatus:OpublikowanaDoi:10.24425/ijet.2020.134012 - link do publikacji
- Electrothermal averaged model of a diode-IGBT switch for a fast analysis of DC-DC convertersAutorzy:P.GóreckiCzasopismo:IEEE Transactions on Power Electronics (rok: 2021, tom: n.d., strony: n.d.), Wydawca: IEEE-Inst Electrical Electronics Engineers INC, 445 Hoes Lane, Piscataway, NJ 08855-4141 USAStatus:ZłożonaDoi:brak - link do publikacji
- Accurate Computation of IGBT Junction Temperature in PLECSAutorzy:P. Górecki, D. WojciechowskiCzasopismo:IEEE Transactions on Electron Devices (rok: 2020, tom: 67, strony: 2865-2871), Wydawca: IEEE-Inst Electrical Electronics Engineers INC, 445 Hoes Lane, Piscataway, NJ 08855-4141 USAStatus:OpublikowanaDoi:10.1109/TED.2020.2992233 - link do publikacji
- Wpływ złożoności biblioteki termicznej tranzystora IGBT w programie PLECS na dokładność wyznaczania temperatury jego wnętrzaAutorzy:P. Górecki, A. Bielecka, D. WojciechowskiCzasopismo:Przegląd Elektrotechniczny (rok: 2020, tom: 96, strony: 106-109), Wydawca: Wydawnictwo Sigma-NOT Sp z o.o., ul. Ratuszowa 11, 00-950 WarszawaStatus:OpublikowanaDoi:10.15199/48.2020.12.20 - link do publikacji