Projekty finansowane przez NCN


Dane kierownika projektu i jednostki realizującej

Szczegółowe informacje o projekcie i konkursie

Słowa kluczowe

Aparatura

Wyczyść formularz

Nowa konstrukcja półprzewodnikowego lasera dyskowego dla emisji w średniej podczerwieni ("proof of concept" dla emisji 1750nm)

2017/25/B/ST7/00437

Słowa kluczowe:

laser półprzewodniki laser dyskowy epitaksja

Deskryptory:

  • ST7_5: Mikro- i nanoelektronika, optoelektronika

Panel:

ST7 - Inżynieria systemów i komunikacji: elektronika, komunikacja, optoelektronika

Jednostka realizująca:

Sieć Badawcza ŁUKASIEWICZ - Instytut Mikroelektroniki i Fotoniki

woj. mazowieckie

Inne projekty tej jednostki 

Kierownik projektu (z jednostki realizującej):

prof. Jan Muszalski 

Liczba wykonawców projektu: 4

Konkurs: OPUS 13 - ogłoszony 2017-03-15

Przyznana kwota: 1 173 000 PLN

Rozpoczęcie projektu: 2018-01-12

Zakończenie projektu: 2021-07-11

Planowany czas trwania projektu: 36 miesięcy (z wniosku)

Status projektu: Projekt rozliczony

Opis Projektu

Pobierz opis projektu w formacie .pdf

Uwaga - opisy projektów zostały sporządzone przez samych autorów wniosków i w niezmienionej formie umieszczone w systemie.

Zakupiona aparatura

  1. spektrometr/ monochromator i detektor. Za kwotę 250 000 PLN
  2. drukarka. Za kwotę 1 000 PLN
  3. Analizator widm. Za kwotę 30 000 PLN
  4. Pompa laserowa dużej mocy (2 szt.). Za kwotę 40 000 PLN
  5. komputer osobisty z oprogramowaniem (2 szt.). Za kwotę 6 400 PLN

Dane z raportu końcowego

  • Publikacje w czasopismach (4)
  • Teksty w publikacjach pokonferencyjnych (1)
  1. High Power 1770 nm Emission of a Membrane External-Cavity Surface-Emitting Laser IF: 2,384
    Autorzy:
    Broda A., Jeżewski B., Szymański M., Muszalski J.
    Czasopismo:
    IEEE Journal of Quantum Electronics (rok: 2021, tom: 57, strony: 2400106), Wydawca: IEEE
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1109/JQE.2020.3031305 - link do publikacji
  2. Membrane external-cavity surface-emitting laser emitting at 1640 nm IF: 3,866
    Autorzy:
    Bartosz Jezewski, Artur Broda, Iwona Sankowska, Aleksandr Kuzmicz, Krystyna Golaszewska-Malec, Krzysztof Czuba, and Jan Muszalski
    Czasopismo:
    Optics Letters (rok: 2020, tom: 45 (2), strony: 4), Wydawca: OSA Publishing
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1364/OL.381531 - link do publikacji
  3. Nanoindentation of GaAs/AlAs distributed bragg reflector grown on GaAs substrate IF: 2,722
    Autorzy:
    Jan Muszalsk, Iwona Sankowska, Stanisław Kucharski
    Czasopismo:
    Materials Science in Semiconductor Processing (rok: 2020, tom: 109, strony: 8), Wydawca: Elsevier
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1016/j.mssp.2020.104912 - link do publikacji
  4. Growth and characterization of InP-based 1750 nm emitting membrane-external-cavity surface-emitting-laser IF: 1,769
    Autorzy:
    Artur Broda, Bartosz Jeżewski, Iwona Sankowska, Michał Szymański, Paweł Hoser, Jan Muszalski,
    Czasopismo:
    Applied Physics B (rok: 2020, tom: 126, strony: 16), Wydawca: Springer
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1007/s00340-020-07544-y - link do publikacji
  1. SWIR MECSEL emitting above 1600 nm
    Autorzy:
    Artur Broda, Bartosz Jeżewski, Iwona Sankowska, Krzysztof Czuba, Aleksandr Kuźmicz, Jan Muszalski
    Konferencja:
    SPIE LASE, 2020, San Francisco, California, United States (rok: 2020, ), Wydawca: SPIE Proceedings Volume 11263, Vertical External Cavity Surface Emitting Lasers (VECSELs) X
    Data:
    konferencja 1-6.02.2020
    Status:
    Opublikowana