Projekty finansowane przez NCN
Materiały oparte na stopach Ge-IV dla nowoczesnych przyrządów optoelektronicznych zintegrowanych z Si
2016/21/B/ST7/01267
Słowa kluczowe:
Ge-IV alloys urządzenie optoelektroniczne struktura elektronowa ab initio
Deskryptory:
- ST7_2: Elektrotechnika, elektronika: półprzewodniki, elementy i układy, systemy
Panel:
ST7 - Inżynieria systemów i komunikacji: elektronika, komunikacja, optoelektronika
Konkurs: OPUS 11 - ogłoszony 2016-03-15
Przyznana kwota: 634 600 PLN
Rozpoczęcie projektu: 2017-02-01
Zakończenie projektu: 2021-02-15
Planowany czas trwania projektu: 48 miesięcy (z wniosku)
Status projektu: Projekt rozliczony
Opis Projektu
Pobierz opis projektu w formacie .pdf
Uwaga - opisy projektów zostały sporządzone przez samych autorów wniosków i w niezmienionej formie umieszczone w systemie.
Zakupiona aparatura
- komputer osobisty typu laptop (2 szt.). Za kwotę 8 000 PLN
- Tablet+klawiatura+pióro.
- Miernik ciśnienia. Za kwotę 1 722 PLN
Dane z raportu końcowego/rocznego
- Publikacje w czasopismach (6)
- Teksty w publikacjach pokonferencyjnych (1)
- Band parameters of group III-V semiconductors in wurtzite structureAutorzy:Jakub Ziembicki, Paweł Scharoch, Maciej P. Polak, Michał Wiśniewski, and Robert KudrawiecCzasopismo:Journal of Applied Physics (rok: 2022, tom: XX, strony: XX), Wydawca: AIP PublishingStatus:ZłożonaDoi:brak - link do publikacji
- Invariant expansion of the 30-band k·p model and its parameters for III-V compoundsAutorzy:Krzysztof Gawarecki , Paweł Scharoch ,Michał Wi´sniewski, Jakub Ziembicki , Herbert S. Mączko , Marta Gładysiewicz , Robert KudrawiecCzasopismo:Physical Review B (rok: 2022, tom: 105, strony: 45202), Wydawca: Physical ReviewStatus:OpublikowanaDoi:10.1103/PhysRevB.105.045202 - link do publikacji
- Towards band gap engineering via biaxial and axial strain in group IV crystalsAutorzy:Norbert Janik, Paweł Scharoch, Robert KudrawiecCzasopismo:Computational Materoial Science (rok: 2020, tom: 181, strony: 109729), Wydawca: ElsevierStatus:OpublikowanaDoi:10.1016/j.commatsci.2020.109729 - link do publikacji
- Carrier Dynamics in Thin Germanium−Tin EpilayersAutorzy:Ernest Rogowicz, Jan Kopaczek, Joanna Kutrowska-Girzycka, Maksym Myronov, Robert Kudrawiec, Marcin SyperekCzasopismo:ACS Applied Electronic Materials (rok: 2021, tom: 3(1), strony: 344-352), Wydawca: American Chemical SocietyStatus:OpublikowanaDoi:10.1021/acsaelm.0c00889 - link do publikacji
- Electronic band structure of semiconductor alloys: From ab initio to k⋅p via computational alchemy, on example of Ge(1-x)Snx alloyAutorzy:Paweł Scharoch, Norbert Janik, Michał Wiśniewski b, Herbert S. Mączko, Marta Gładysiewicz, Maciej P. Polak, Robert KudrawiecCzasopismo:Computational Materials Science (rok: 2021, tom: 187, strony: 110052), Wydawca: ElsevierStatus:OpublikowanaDoi:10.1016/j.commatsci.2020.110052 - link do publikacji
- The effect of isovalent doping on the electronic band structure of group IV semiconductorsAutorzy:Maciej P. Polak, Paweł Scharoch, Robert KudrawiecCzasopismo:Journal of Physics D: Applied Physics (rok: 2021, tom: 54, strony: 85102), Wydawca: IOP PublishingStatus:OpublikowanaDoi:10.1088/1361-6463/abc503 - link do publikacji
- The electronic band structure of Ge1−x Sn x in the full composition range: indirect, direct, and inverted gaps regimes, band offsets, and the Burstein–Moss effectAutorzy:Scharoch P, Polak M P, Kudrawiec RKonferencja:2017 IEEE 14th International Conference on Group IV Photonics (GFP) (rok: 2017, ), Wydawca: IEEEData:konferencja 23 Aug - 25 AugStatus:Opublikowana