Projekty finansowane przez NCN


Dane kierownika projektu i jednostki realizującej

Szczegółowe informacje o projekcie i konkursie

Słowa kluczowe

Aparatura

Wyczyść formularz

Zastosowanie dyfrakcji elektronów RHEED i spektroskopii masowej QMS do obserwacji in-situ zarodkowania i wzrostu MBE nanodrutów GaN

2016/21/N/ST3/03381

Słowa kluczowe:

nanodruty GaN epitaksja z wiązek molekularnych kinetyka zarodkowania RHEED

Deskryptory:

  • ST3_7: Półprzewodniki
  • ST5_10: Nanomateriały: nanocząstki, nanorurki

Panel:

ST3 - Fizyka fazy skondensowanej: struktura, własności elektronowe, płyny, nano-nauka

Jednostka realizująca:

Instytut Fizyki Polskiej Akademii Nauk

woj. mazowieckie

Inne projekty tej jednostki 

Kierownik projektu (z jednostki realizującej):

dr Marta Sobańska 

Liczba wykonawców projektu: 3

Konkurs: PRELUDIUM 11 - ogłoszony 2016-03-15

Przyznana kwota: 99 400 PLN

Rozpoczęcie projektu: 2017-01-17

Zakończenie projektu: 2019-01-16

Planowany czas trwania projektu: 24 miesięcy (z wniosku)

Status projektu: Projekt rozliczony

Opis Projektu

Pobierz opis projektu w formacie .pdf

Uwaga - opisy projektów zostały sporządzone przez samych autorów wniosków i w niezmienionej formie umieszczone w systemie.

Zakupiona aparatura

  1. Oprogramowanie Corel. Za kwotę 1 861 PLN
  2. laptop z monitorem i oprogramowaniem. Za kwotę 353 PLN

Dane z raportu końcowego

  • Publikacje w czasopismach (7)
  1. Arrangement of GaN nanowires on Si(001) substrates studied by X-ray diffraction: Importance of silicon nitride interlayer IF: 3,387
    Autorzy:
    A. Wierzbicka, G. Tchutchulashvili, M. Sobanska, K. Klosek, R. Minikayev, J. Z. Domagala, J. Borysiuk, Z. R. Zytkiewicz
    Czasopismo:
    Applied Surface Science (rok: 2017, tom: 425, strony: 1014–1019), Wydawca: ELSEVIER SCIENCE BV
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1016/j.apsusc.2017.07.075 - link do publikacji
  2. Surface-enhanced Raman scattering of graphene caused by self-induced nanogating by GaN nanowire array IF: 6,834
    Autorzy:
    J. Kierdaszuk, P. Kaźmierczak, R. Bożek, J. Grzonka, A. Krajewska, Z. R. Zytkiewicz, M. Sobanska, K. Klosek, A. Wołoś, M. Kamińska, A. Wysmołek, A. Drabińska
    Czasopismo:
    Carbon (rok: 2018, tom: 128, strony: 70–77), Wydawca: Elsevier Ltd.
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1016/j.carbon.2017.11.061 - link do publikacji
  3. Surface-enhanced Raman scattering in graphene deposited on AlxGa1-xN/GaN axial heterostructure nanowires IF: 4,439
    Autorzy:
    J. Kierdaszuk, M. Tokarczyk, K. M. Czajkowski, R. Bożek, A. Krajewska, A. Przewłoka, W. Kaszub, M. Sobanska, Z. R. Zytkiewicz, G. Kowalski, T. J. Antosiewicz, M Kamińska, A. Wysmołek, A. Drabińska
    Czasopismo:
    Applied Surface Science (rok: 2019, tom: 475, strony: 559-564), Wydawca: Elsevier Ltd.
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1016/j.apsusc.2019.01.040 - link do publikacji
  4. Comprehensive analysis of the self-assembled formation of GaN nanowires on amorphous AlxOy: in situ quadrupole mass spectrometry studies IF: 3,404
    Autorzy:
    M. Sobanska, Z.R. Zytkiewicz, G. Calabrese, L. Geelhaar, S. Fernández-Garrido
    Czasopismo:
    Nanotechnology (rok: 2019, tom: 30, strony: 154002), Wydawca: IOP Publishing
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1088/1361-6528/aafe17 - link do publikacji
  5. Properties of graphene deposited on GaN nanowires: influence of nanowire roughness, self-induced nanogating and defects IF: 3,813
    Autorzy:
    Jakub Kierdaszuk, Piotr Kaźmierczak, Justyna Grzonka, Aleksandra Krajewska, Aleksandra Przewłoka, Wawrzyniec Kaszub, Zbigniew R. Zytkiewicz, Marta Sobanska, Maria Kamińska, Andrzej Wysmołek, Aneta Drabińska
    Czasopismo:
    Physical Review B , Wydawca: American Physical Society
    Status:
    Złożona
  6. Reflectance and fast polarization dynamics of GaN/Si nanowire ensemble IF: 2,617
    Autorzy:
    K. P. Korona, Z. R. Zytkiewicz, M. Sobanska, F. E. Sosada, P. A. Dróżdż, K. Klosek, G. Tchutchulashvili
    Czasopismo:
    Journal of Physics: Condensed Matter (rok: 2018, tom: 30, strony: 315301), Wydawca: IOP Publishing
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1088/1361-648X/aacedd - link do publikacji
  7. Ordered GaN nanowire array as acceptor material for bulk heterojunction organic solar cells based on P3HT/PCBM blend IF: 5,018
    Autorzy:
    G. Tchutchulashvili, K. P. Korona, W. Mech, M. Sobanska, K. Klosek, Z. R. Zytkiewicz, W. Sadowski
    Czasopismo:
    Solar Energy Materials & Solar Cells , Wydawca: Elsevier Ltd.
    Status:
    Złożona