Projekty finansowane przez NCN
Spektroskopia modulacyjna nowoczesnych półprzewodnikowych struktur azotkowych w zakresie ultrafioletu
2015/17/D/ST7/04081
Słowa kluczowe:
azotki grupy III spektroskopia modulacyjna GaN AlN
Deskryptory:
- ST7_5: Mikro- i nanoelektronika, optoelektronika
- ST7_2: Elektrotechnika, elektronika: półprzewodniki, elementy i układy, systemy
Panel:
ST7 - Inżynieria systemów i komunikacji: elektronika, komunikacja, optoelektronika
Kierownik projektu (z jednostki realizującej):
dr Magdalena Latkowska-Baranowska
Liczba wykonawców projektu: 3
Konkurs: SONATA 9 - ogłoszony 2015-03-16
Przyznana kwota: 637 000 PLN
Rozpoczęcie projektu: 2016-02-25
Zakończenie projektu: 2020-02-24
Planowany czas trwania projektu: 48 miesięcy (z wniosku)
Status projektu: Projekt rozliczony
Opis Projektu
Pobierz opis projektu w formacie .pdf
Uwaga - opisy projektów zostały sporządzone przez samych autorów wniosków i w niezmienionej formie umieszczone w systemie.
Zakupiona aparatura
- Układ pomiarowy do pomiarów fotoluminescencji, fotoodbicia i bezkontaktowego elektroodbicia przystosowany do współpracy z chłodziarką helową. Za kwotę 260 000 PLN
- Chłodziarka helowa. Za kwotę 120 000 PLN
- Laser 213 nm. Za kwotę 95 000 PLN
- reduktor butlowy dwustopniowy.
Dane z raportu końcowego/rocznego
- Publikacje w czasopismach (3)
- Direct evidence of photoluminescence broadening enhancement by local electric field fluctuations in polar InGaN/GaN quantum wellsAutorzy:Michał Baranowski, Łukasz Janicki, Marta Gladysiewicz, Monika Wełna, Magdalena Latkowska, Jan Misiewicz, Łucja Marona, Dario Schiavon, Piotr Perlin, and Robert KudrawiecCzasopismo:Japanese Journal of Applied Physics (rok: 2018, tom: 57, strony: 20305), Wydawca: IOPScienceStatus:OpublikowanaDoi:10.7567/JJAP.57.020305 - link do publikacji
- Growth of AlGaN/GaN heterostructure with lattice-matched AlIn(Ga)N back barrierAutorzy:Jeong-Gil Kim, Seung-Hyeon Kang, Łukasz Janicki, Jun-Hyeok Lee, Jeong-Min Ju, Kyung-Wan Kim, Yong-Soo Lee, Sang-Heung Lee, Jong-Won Lim, Ho-Sang Kwon, Jung-Hee LeeCzasopismo:Solid State Electronics (rok: 2019, tom: 152, strony: 24-28), Wydawca: ElsevierStatus:OpublikowanaDoi:10.1016/j.sse.2018.11.002 - link do publikacji
- Zn acceptor position in GaN:Zn probed by contactless electroreflectance spectroscopyAutorzy:Łukasz Janicki, Matin Sadat Mohajerani, Jana Hartmann, Ewelina Zdanowicz, Hergo-Heinrich Wehmann, Andreas Waag, and Robert KudrawiecCzasopismo:Applied physics Letters (rok: 2018, tom: 113, strony: 32109), Wydawca: AIP PublishingStatus:OpublikowanaDoi:10.1063/1.5040941 - link do publikacji