Azotkowe struktury półprzewodnikowe dla długożyciowych betawoltaicznych baterii jądrowych na podłożach z azotku galu o obniżonej ilości dyslokacji
2014/15/D/ST7/05288
Słowa kluczowe
Deskryptory
- ST7_2: Elektrotechnika, elektronika: półprzewodniki, elementy i układy, systemy
- ST7_12: Inne zagadnienia pokrewne
Panel
ST7 – Inżynieria systemów i komunikacji: elektronika, komunikacja, optoelektronika
Jednostka realizująca
Instytut Wysokich Ciśnień PAN
woj. mazowieckie
Kierownik projektu (z jednostki realizującej)
Liczba wykonawców projektu: 6
Konkurs
SONATA 8 – ogłoszony 2014-09-15
- Przyznana kwota
- 781 800 PLN
- Rozpoczęcie projektu
- 2015-07-24
- Zakończenie projektu
- 2018-07-23
- Planowany czas trwania projektu
- 36 miesięcy (z wniosku)
- Status projektu
- Projekt rozliczony
Zakupiona aparatura
- komputer. Za kwotę 4 000 PLN
- system do automatycznego mierzenia sygnałów EBIC. Za kwotę 150 000 PLN
- Źródło prądowo-napięciowe. Za kwotę 35 000 PLN
Dane z raportu końcowego/rocznego
Publikacje w czasopismach (1)
-
Highly stable GaN-based betavoltaic structures grown on different dislocation density substrates
- Autorzy:
- Szymon Grzanka, Lucja Marona, Przemysław Wiśniewski, Grzegorz Targowski, Barbara Zaręba, Krzysztof Wincel, Marcin Klimasz, Tomasz Lotz, Jacek Kacperski, Piotr Laskowski, Piotr Perlin
- Czasopismo:
- Solid State Electronics (rok: 2020, tom: 167, strony: 107784), Wydawca: Elsevier B.V., Radarweg 29, 1043 NX Amsterdam, The Netherlands
- Status:
- Opublikowana
- DOI:
- 10.1016/j.sse.2020.107784 – link do publikacji