Projekty finansowane przez NCN


Dane kierownika projektu i jednostki realizującej

Szczegółowe informacje o projekcie i konkursie

Słowa kluczowe

Aparatura

Wyczyść formularz

Zastosowanie metod fizyki komputerowej do badań wpływy defektów strukturalnych na własności struktur SiC przyrządów półprzewodnikowych z węglika krzemu

2013/09/B/ST7/04203

Słowa kluczowe:

SiC ab inito Mone Carlo defekty węglik krzemu fizyka komputerowa

Deskryptory:

  • ST7_2: Elektrotechnika, elektronika: półprzewodniki, elementy i układy, systemy
  • ST7_3: Inżynieria symulacji i modelowania
  • ST7_5: Mikro- i nanoelektronika, optoelektronika

Panel:

ST7 - Inżynieria systemów i komunikacji: elektronika, komunikacja, optoelektronika

Jednostka realizująca:

Politechnika Łódzka, Wydział Elektrotechniki, Elektroniki, Informatyki i Automatyki

woj. łódzkie

Inne projekty tej jednostki 

Kierownik projektu (z jednostki realizującej):

prof. Włodzimierz Nakwaski 

Liczba wykonawców projektu: 8

Konkurs: OPUS 5 - ogłoszony 2013-03-15

Przyznana kwota: 829 318 PLN

Rozpoczęcie projektu: 2014-04-24

Zakończenie projektu: 2018-04-23

Planowany czas trwania projektu: 36 miesięcy (z wniosku)

Status projektu: Projekt rozliczony

Dane z raportu końcowego

  • Publikacje w czasopismach (3)
  • Teksty w publikacjach pokonferencyjnych (7)
  • Publikacje książkowe (2)
  1. Monte Carlo simulations of hole transport in 4H-SiC using DOS calculations
    Autorzy:
    Andrii Kovalchuk, Janusz Wozny, Zbigniew Lisik, Jacek Podgorski, Lukasz Ruta, Andrzej Kubiak, Armen Boiadzhian
    Czasopismo:
    Journal of Physics: Conference Series (rok: 2020, tom: 1534, strony: 44566), Wydawca: IOP Publishing
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1088/1742-6596/1534/1/012006 - link do publikacji
  2. Monte Carlo simulations of electron transport in 4H‑SiC using the DFT‑calculated density of states IF: 1,807
    Autorzy:
    Janusz Wozny, Andrii Kovalchuk, Zbigniew Lisik, Jacek Podgorski, Piotr Bugalski, Andrzej Kubiak, Lukasz Ruta
    Czasopismo:
    Journal of Computational Electronics (rok: 2021, tom: 20, strony: 791–797), Wydawca: Springer Nature
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1007/s10825-021-01658-y - link do publikacji
  3. Extended Hückel Semi-Empirical Approach as an Efficient Method for Structural Defects Analysis in 4H-SiC IF: 3,632
    Autorzy:
    Janusz Wozny, Andrii Kovalchuk, Jacek Podgorski and Zbigniew Lisik
    Czasopismo:
    Materials (rok: 2021, tom: 14, strony: 1247), Wydawca: MDPI AG
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.3390/ma14051247 - link do publikacji
  1. Effect of Point Defects for 4H-SiC Band Structure by the Means of Ab-Initio Calculation
    Autorzy:
    Janusz Woźny, Łukasz Ruta, Andrzej Kubiak, Zbigniew Lisik, Jacek Podgórski, Andrii Kovalchuk, Natalia Szczecińska, Piotr Bugalski
    Konferencja:
    MICROTHERM 2017 (rok: 2017, ), Wydawca: Lodz University of Technology
    Data:
    konferencja 2017-06-27 - 2017-06-29
    Status:
    Opublikowana
  2. DFT simulation of stacking faults defects in 4H-SiC
    Autorzy:
    Janusz Wozny, Andrii Kovalchuk, Zbigniew Lisik, Jacek Podgorski, Piotr Bugalski, Andrzej Kubiak, Lukasz Ruta
    Konferencja:
    XIV-th International Conference on Perspective Technologies and Methods in MEMS Design (MEMSTECH) (rok: 2018, ), Wydawca: IEEE
    Data:
    konferencja 18-22 April 2018
    Status:
    Opublikowana
  3. Ensemble Monte Carlo simulation of 4H-SiC for electrons mobility calculation
    Autorzy:
    Andrii Kovalchuk; Janusz Wozny, Zbigniew Lisik, Jacek Podgorski, Piotr Bugalski, Mykhaylo Lobur, Petro Kosobutskyy
    Konferencja:
    XIV-th International Conference on Perspective Technologies and Methods in MEMS Design (MEMSTECH) (rok: 2018, ), Wydawca: IEEE
    Data:
    konferencja 18-22 April 2018
    Status:
    Opublikowana
  4. Investigation on Micropipes and Structural Defects Densities in 4H-SiC Substrates
    Autorzy:
    Andrzej Kubiak, Anna Paprocka, Maciej Wendler, Łukasz Ruta, Janusz Woźny
    Konferencja:
    MICROTHERM 2017 (rok: 2017, ), Wydawca: Lodz University of Technology
    Data:
    konferencja 2017-06-27 - 2017-06-29
    Status:
    Opublikowana
  5. Monte Carlo Electron Transport Simulation of 4H-SiC using DFT Calculated Density of States
    Autorzy:
    J. Woźny, A. Kovalchuk, Z. Lisik, J. Podgorski, P. Bugalski, A. Kubiak, Ł. Ruta
    Konferencja:
    CSC'18 - The 16th Int'l Conf on Scientific Computing (rok: 2018, ), Wydawca: American Council on Science and Education
    Data:
    konferencja Jul 30-Aug 02, 2018
    Status:
    Opublikowana
  6. Mobility of Electrons in Doped Bulk 4H-SiC
    Autorzy:
    A. Kovalchuk, J. Wozny, D. Illiano, A. Kubiak, L. Ruta, J. Podgórski, Z. Lisik
    Konferencja:
    MICROTHERM 2019 Microtechnology and Thermal Problems in Electronics (rok: 2019, ), Wydawca: Lodz University of Technology
    Data:
    konferencja 24-26 VI 2019
    Status:
    Opublikowana
  7. Monte Carlo simulation of hole transport in 4H-SiC using effective parameters
    Autorzy:
    A. Kovalchuk, J. Woźny, Z. Lisik, J. Podgorski, Ł. Ruta, A. Kubiak, A. Boiadzhian
    Konferencja:
    MICROTHERM 2019 Microtechnology and Thermal Problems in Electronics (rok: 2019, ), Wydawca: Lodz University of Technology
    Data:
    konferencja 24-26 VI 2019
    Status:
    Opublikowana
  1. DFT Simulation of Stacking Faults Defects in 4H-SiC
    Autorzy:
    Wozny, Janusz and Kovalchuk, Andrii and Lisik, Zbigniew and Podgorski, Jacek and Bugalski, Piotr and Kubiak, Andrzej and Ruta, Lukasz
    Książka:
    2018 Xivth International Conference on Perspective Technologies and Methods in Mems Design (Memstech) (rok: 2018, tom: -na-, strony: 65-68), Wydawca: IEEE
    Status:
    Opublikowana
  2. Ensemble Monte Carlo Simulation of 4H-SiC for Electrons Mobility Calculation
    Autorzy:
    Kovalchuk, Andrii and Wozny, Janusz and Lisik, Zbigniew and Podgorski, Jacek and Bugalski, Piotr and Lobur, Mykhaylo and Kosobutskyy, Petro
    Książka:
    2018 Xivth International Conference on Perspective Technologies and Methods in Mems Design (Memstech) (rok: 2018, tom: -na-, strony: 73-76), Wydawca: IEEE
    Status:
    Opublikowana