Wyszukiwarka projektów

The p -ZnO:N/ i -Al 2 O 3 / n -GaN heterostructure—electron beam induced profiling, electrical properties and UV detectivity

Autorzy:

Przezdziecka E, Chusnutdinow S, Guziewicz E, Singurenko D, Satchowicz M, Kopako K, Kozanecki A

Czasopismo:

Journal of Physics D: Applied Physics (rok: 2015, tom: 48, strony: 325105), Wydawca: IOP PUBLISHING LTD

Status:

Opublikowana

DOI:

10.1088/0022-3727/48/32/325105 – link do publikacji

The chemical states of As 3d in highly doped ZnO grown by Molecular Beam Epitaxy and annealed in different atmospheres

Autorzy:

Przezdziecka E, Stachowicz M, Lisowski W, Guziewicz E, Sobczak JW, Jakiela R, Jablonski A, Jarosz D, Kozaneck A

Czasopismo:

Thin Solid Films (rok: 2016, tom: 605, strony: 283-288), Wydawca: ELSEVIER SCIENCE SA

Status:

Opublikowana

DOI:

10.1016/j.tsf.2015.09.016 – link do publikacji

Dual-acceptor doped p-ZnO:(As,Sb)/n-GaN heterojunctions grown by PA-MBE as a spectrum selective ultraviolet photodetector

Autorzy:

E. Przeździecka, A. Wierzbicka, P. Dłużewski, M. Stachowicz, R.Jakieła, K. Gościński, M.A. Pietrzyk, K. Kopalko, A. Kozanecki

Czasopismo:

physica status solidi (a) (rok: 2014, tom: 211, strony: 2072–2077), Wydawca: Wiley Online Library

Status:

Opublikowana

DOI:

10.1002/pssa.201300758 – link do publikacji

Electron beam induced current profiling of the p-ZnO:N/n-GaN heterojunction

Autorzy:

E. Przeździecka, M.Stachowicz, S. Chusnutdionow, R. Jakieła, A. Kozanecki

Czasopismo:

Applied Physics letters (rok: 2015, tom: 106, strony: 62106), Wydawca: American Institute of Physics

Status:

Opublikowana

DOI:

10.1063/1.4908291 – link do publikacji

Deep levels in the MBE ZnO:As/n-GaN diodes - Photoluminescence, electrical properties and deep level transient spectroscopy

Autorzy:

E. Zielony, E. Przezdziecka, E. Placzek-Popko, W. Lisowski, M. Stachowicz, K.M. Paradowska, R. Jakieła, A. Kozanecki

Czasopismo:

Journal of Alloys and Compounds (rok: 2018, tom: 742, strony: 296-303), Wydawca: ELSEVIER

Status:

Opublikowana

DOI:

10.1016/j.jallcom.2018.01.250 – link do publikacji

Abundant Acceptor Emission from Nitrogen-Doped ZnO Films Prepared by Atomic Layer Deposition under Oxygen-Rich Conditions

Autorzy:

E. Guziewicz, E. Przezdziecka, D. Snigurenko, D. Jarosz, B. S. Witkowski, P. Dluzewski, and W. Paszkowicz

Czasopismo:

ACS APPLIED MATERIALS & INTERFACES (rok: 2017, tom: 9, strony: 26143), Wydawca: American Chemical Society

Status:

Opublikowana

DOI:

10.1021/acsami.7b04127 – link do publikacji

Arsenic chemical state in MBE grown epitaxial ZnO layers – doped with As, N and Sb

Autorzy:

Przezdziecka E, Lisowski W, Jaiela R, Sobczak JW, Jablonski A, Pietrzyk MA, Kozanecki A

Czasopismo:

Journal of Alloys and Compounds (rok: 2016, tom: 687, strony: 937-942), Wydawca: ELSEVIER

Status:

Opublikowana

DOI:

10.1016/j.jallcom.2016.06.213 – link do publikacji

Photoluminescence investigation of the carrier recombination processes in N-doped and undoped ZnO ALD films grown at low temperature

Autorzy:

E. Przezdziecka, E. Guziewicz, B.S. Witkowski

Czasopismo:

Journal of Luminescence (rok: 2018, tom: 198, strony: 68-76), Wydawca: ELSEVIER

Status:

Opublikowana

DOI:

10.1016/j.jlumin.2018.02.020 – link do publikacji

Evidence of magnesium impact on arsenic acceptor state: Study of ZnMgO:As molecular beam epitaxy layers

Autorzy:

E.Przezdziecka, W.Lisowski, A.Reszka, A.Kozanecki

Czasopismo:

Applied Surface Science (rok: 2018, tom: 435, strony: 676-679), Wydawca: ELSEVIER

Status:

Opublikowana

DOI:

10.1016/j.apsusc.2017.11.173 – link do publikacji

Effect of annealing on photoluminescence and Raman scattering of Sb-doped ZnO epitaxial layers grown on a-Al2O3

Autorzy:

K.M. Paradowska, E. Przeździecka, E. Płaczek-Popko, E. Zielony, M. Stachowicz , A. Kozanecki

Czasopismo:

Journal of Alloys and Compounds (rok: 2019, tom: 774, strony: 1160-1167), Wydawca: Elseviere

Status:

Opublikowana

DOI:

10.1016/j.jallcom.2018.09.379 – link do publikacji

Selective UV Photodetectors based on ZnO

Autorzy:

E. Przeździecka, R. Schifano, S. Chusnutidinow, E. Guziewicz, M. Guziewicz, A. Kozanecki

Konferencja:

E-MRS Fall Meeting 2016 (rok: 2016, strony: Z.3.3), Wydawca: brak

Data:

konferencja Wrzesien 19-22

Status:

Opublikowana

Zinc oxide based heterostructures as highly selective UV detectors

Autorzy:

E. Przeździecka, R. Schifano, S. Chusnutidinow, M. Stachowicz, T. A. Krajewski, E. Guziewicz, M. Guziewicz, A. Kozanecki

Konferencja:

Energy Materials Nanotechnology Prague Meeting 2016 ( EMN 2016) (rok: 2016, strony: brak), Wydawca: brak

Data:

konferencja 21-24.06.2016

Status:

Opublikowana

The effect of annealing on Raman scattering of Sb-doped ZnO epitaxial layers grown on a-Al2O3

Autorzy:

K. M. Paradowska, E. Przeździecka, E. Płaczek-Popko, E. Zielony, M.Stachowicz, A. Kozanecki

Konferencja:

47th International School & Conference on the Physics of Semiconductors Jaszowiec 2018 (rok: 2018, strony: 177), Wydawca: 47thInternational School & Conference on the Physics of Semiconductors, Szczyrk, Poland, June 16th -22nd, 2018

Data:

konferencja 16-22 czerwiec

Status:

Opublikowana

Defects analysis in ZnO samples doped by V-group elements

Autorzy:

E. Przeździecka, W. Lisowski, E. Zielony, M. Stachowicz, J. W. Sobczak, K. Paradowska, A. Wierzbicka, A. Jabłoński, E. Płaczek-Popko, A. Kozanecki

Konferencja:

9th International Workshop on Zinc Oxide and Related Materials IWZnO (rok: 2016, strony: brak), Wydawca: brak

Data:

konferencja 30pazdziernik-2listopad

Status:

Opublikowana

Nitrogen doped ZnO: from p-type layer to a diode

Autorzy:

E Przeździecka, M. Stachowicz, D. Dobosz, R. Jakieła, D. Jarosz, A. Wierzbicka, K. Kopalko, M. A. Pietrzyk, J. M. Sajkowski, A. Kozanecki

Konferencja:

43th Jaszowiec International School&Conference on the Physics of Semiconductors (rok: 2014, strony: 150), Wydawca: brak

Data:

konferencja 7-12 czerwiec

Status:

Opublikowana

p-ZnO:N/n-GaN diode obtained by PA-MBE

Autorzy:

Przezdziecka E, Stachowicz M, Dobosz D, Jakiela R, Wierzbicka A, Chusnutdinow S,Pietrzyk MA, Sajkowski JM, Kozanecki A

Konferencja:

European Materials Research Society (rok: 2014, strony: L.L.6), Wydawca: brak

Data:

konferencja 15-19 Wrzesnia

Status:

Opublikowana

Compariosn of [p-Zn(Mg)O /i-oxide/ n-wide band gap semiconductors] heterojunction grown by PA-MBE

Autorzy:

E. Przezdziecka, M. Stachowicz , E. Guziewicz, D. Snigurenko, M. Guziewicz,A. Wierzbicka, K. Kopalko, A. Kozanecki

Konferencja:

8th International Workshop on Zinc Oxide and Related Materials (IWZnO 2014) (rok: 2014, strony: C10), Wydawca: brak

Data:

konferencja 7-11 wrzesien

Status:

Opublikowana

PA-MBE Zn(Mg)O samples doped by one, two or three acceptors (As, N, Sb)- electronic structure, optical and electrical properties

Autorzy:

E. Przezdziecka, W. Lisowski, M. Stachowicz, A. Wierzbicka, A. Reszka, R. Jakiela, M. A. Pietrzyk, J. W. Sobczak, A. Jablonski, A. Kozanecki

Konferencja:

8th International Workshop on Zinc Oxide and Related Materials (IWZnO 2014) (rok: 2014, strony: D11), Wydawca: brak

Data:

konferencja 7-11 wrzesnia

Status:

Opublikowana

Characterization and photoresponse of ZnO based heterostructures

Autorzy:

Przezdziecka E, Schifano R, Chusnutidinow S, Krajewski TA, Guziewicz E, Guziewicz M, Stachowicz M, Kozanecki A

Konferencja:

9th International Workshop on Zinc Oxide and Related Materials (IWZnO 2016) (rok: 2016, strony: brak), Wydawca: brak

Data:

konferencja 30 pazdziernik-2listopad

Status:

Opublikowana

The UV detectors based on p-n and p-i-n heterostructures (p-ZnO, n-GaN and i-Al2O3): electrical and optical properties

Autorzy:

E. Przeździecka, S. Chusnutidinow, M. Stachowicz, D. Snigurenko, R. Schifano

Konferencja:

44th Jaszowiec International School&Conference on the Physics of Semiconductors (rok: 2015, strony: 78), Wydawca: brak

Data:

konferencja Czerwiec 20-25

Status:

Opublikowana

The heterostructures (ZnO, n-GaN and i-Al2O3, i-HfO2)- electrical and sensor properties

Autorzy:

E. Przeździecka, S. Chusnutdinow, R. Schifano, E. Guziewicz, A. Reszka, M. Stachowicz, D. Snigurenko, A. Kozanecki

Konferencja:

International Conference on Nanophotonics (ICNP 2016), Taipei, Taiwan (rok: 2016, strony: P.01-01), Wydawca: brak

Data:

konferencja 21-25 Marzec

Status:

Opublikowana

Nitrogen Doped ZnO: From p-Type Layer to a Diode

Autorzy:

Ewa Przeździecka, Marcin Stachowiicz, Danuta Dobosz, Rafal Jakiela, Aleksandra Wierzbicka, Mieczyslaw A. Pietrzyk, Jacek M. Sajkowski and Adrian Kozanecki

Konferencja:

8th International Workshop on Zinc Oxide and Related Materials (rok: 2014, strony: F17), Wydawca: brak

Data:

konferencja 7-11 wrzesen

Status:

Opublikowana

Zinc oxide based heterostructures: electro-optical characteristics and detector application

Autorzy:

E. Przeździecka, R. Schifano, E. Guziewicz, M. Guziewicz, T. A. Krajewski, S. Chusnutdinow, W. Jung, A. Wierzbicka, J. Z. Domagała, M. Stachowicz, A. Kozanecki

Konferencja:

33rd International Conference on the Physics of Semiconductors (ICPS 2016), Beijing, China (rok: 2016, strony: brak), Wydawca: brak

Data:

konferencja 31czerwiec-5lipiec

Status:

Opublikowana

Electrical and optical properties of PA-MBE p-ZnO:As/n-GaN heterojunctions for photovoltaic applications

Autorzy:

E. Zielony, E. Przezdziecka, E. Placzek-Popko, K. Paradowska, K. Gwozdz, M. Stachowicz, Wojciech Lisowski, A. Kozanecki

Konferencja:

E-MRS Spring Meeting (rok: 2017, strony: E. Pl-53), Wydawca: brak

Data:

konferencja 16-22 maj

Status:

Opublikowana

Raman spectroscopy of epitaxial Zn Mg O layers 1-x x doped with V-group elements grown by MBE

Autorzy:

K.M. Paradowska, E. Przezdziecka, E. Placzek-Popko, K. Gwozdz, M. Stachowicz, J.Sajkowski, J. Dyczewski, A. Kozanecki

Konferencja:

45th Jaszowiec International School and Conferences on the Physics of Semiconductors (rok: 2016, strony: brak), Wydawca: brak

Data:

konferencja Czerwiec 18-24

Status:

Opublikowana

Selektywne detektory promieniowania UV na bazie heterozłączy ZnO/GaN

Autorzy:

E. Przeździecka, M. Stachowicz, S. Chusnutdinow, D. Snigurenko, S. Gierałtowska, A. Kozanecki

Konferencja:

XIV KRAJOWA KONFERENCJA ELEKTRONIKI (rok: 2015, strony: brak), Wydawca: brak

Data:

konferencja 08 – 12.06.2015

Status:

Opublikowana

The p-n and p-i-n heterostructures (p-ZnO, n-GaN and i-Al2O3, i-HfO2)- electrical and sensor properties

Autorzy:

E. Przeździecka, S. Chusnutidinow, D. Snigurenko, M.A. Pietrzyk, K. Kopalko, E. Guziewicz, A. Kozanecki

Konferencja:

14th International Union of Materials Research Societies - International Conference on Advanced Materials (rok: 2015, strony: brak), Wydawca: brak

Data:

konferencja 25-29 Października 2015

Status:

Opublikowana

ZnO:Sb MBE layer – growth on polar and nopolar directions

Autorzy:

E. Przeździecka, A. Wierzbicka, K. Paradowska, W. Lisowski, R. Jakieła, M. Stachowicz, E. Płaczek-Popko, A. Kozanecki

Konferencja:

E-MRS Fall Meeting (rok: 2017, strony: N8-19), Wydawca: brak

Data:

konferencja 18-21 wrzesnia

Status:

Opublikowana

Electrical properties, and Optical properties of p-n and p-i-n heterostructures based on p-ZnO, n-GaN and i-Al2O3

Autorzy:

E. Przeździecka, S. Chusnutidinow, M. Stachowicz, E. Guziewicz, D. Snigurenko, K. Kopalko, R. Jakieła, A. Kozanecki

Konferencja:

17th International Conference on II-VI Compounds and Related Materials (rok: 2015, strony: Th. B-3), Wydawca: brak

Data:

konferencja 13-18 Wrzesien (2015)

Status:

Opublikowana

Structural studies of PA-MBE ZnO layers doped with antimony

Autorzy:

K.M. Paradowska, E. Przeździecka, E. Zielony, A. Wierzbicka, M. Stachowicz, R. Jakieła,W. Lisowski, A. Reszka, E. Placzek-Popko, A. Kozanecki

Konferencja:

47th International School & Conference on the Physics of Semiconductors Jaszowiec 2017 (rok: 2017, strony: 92), Wydawca: brak

Data:

konferencja Czerwiec 15-22

Status:

Opublikowana

As-N, As-Sb dual acceptor doping in PA-MBE ZnO samples - electronic structure, optical and electrical properties

Autorzy:

Przezdziecka E, Lisowski W, Stachowicz M, Wierzbicka A, Reszka A, Jakiela R, Pietrzyk MA, Sobczak JW, Jablonski A, Kozanecki A

Konferencja:

European Materials Research Society (rok: 2014, strony: D6.3), Wydawca: brak

Data:

konferencja 15-19 wrzesnia

Status:

Opublikowana