Projekty finansowane przez NCN

Dane kierownika projektu i jednostki realizującej

Szczegółowe informacje o projekcie i konkursie

Słowa kluczowe

Aparatura

Wyczyść formularz

Badanie właściwości domieszek akceptorowych grupy V i ich wzajemnego wpływu na siebie w heterostrukturach Zn(Mg)O/GaN

2013/09/D/ST3/03750

Słowa kluczowe:

tlenek cynku domieszkowanie akceptorami struktura elektronowa

Deskryptory:

  • ST3_7: Półprzewodniki

Panel:

ST3 - Fizyka fazy skondensowanej: struktura, własności elektronowe, płyny, nano-nauka

Jednostka realizująca:

Instytut Fizyki PAN

woj. mazowieckie

Inne projekty tej jednostki 

Kierownik projektu (z jednostki realizującej):

dr Ewa Przeździecka 

Liczba wykonawców projektu: 6

Konkurs: SONATA 5 - ogłoszony 2013-03-15

Przyznana kwota: 572 360 PLN

Rozpoczęcie projektu: 2014-04-01

Zakończenie projektu: 2018-03-31

Planowany czas trwania projektu: 48 miesięcy (z wniosku)

Status projektu: Projekt rozliczony

Zakupiona aparatura

  1. Fotopowielacz. Za kwotę 9 600 PLN
  2. Komputer przenośny. Za kwotę 3 000 PLN
  3. Lampa UV(ksenonowa lub deuterowa) + zasilacz+ siatki na zakres UV. Za kwotę 62 000 PLN
  4. Pompa typu Scroll. Za kwotę 38 400 PLN
  5. Wzmacniacz fazoczuły (lock-in). Za kwotę 21 000 PLN
  6. Poszerzenie funkcji lock-in, opcja "MI-IA".

Dane z raportu końcowego/rocznego

  • Publikacje w czasopismach (11)
  • Teksty w publikacjach pokonferencyjnych (21)
  1. Evidence of magnesium impact on arsenic acceptor state: Study of ZnMgO:As molecular beam epitaxy layers
    Autorzy:
    E.Przezdziecka, W.Lisowski, A.Reszka, A.Kozanecki
    Czasopismo:
    Applied Surface Science (rok: 2018, tom: 435, strony: 676-679), Wydawca: ELSEVIER
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1016/j.apsusc.2017.11.173 - link do publikacji
  2. The chemical states of As 3d in highly doped ZnO grown by Molecular Beam Epitaxy and annealed in different atmospheres
    Autorzy:
    Przezdziecka E, Stachowicz M, Lisowski W, Guziewicz E, Sobczak JW, Jakiela R, Jablonski A, Jarosz D, Kozaneck A
    Czasopismo:
    Thin Solid Films (rok: 2016, tom: 605, strony: 283-288), Wydawca: ELSEVIER SCIENCE SA
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1016/j.tsf.2015.09.016 - link do publikacji
  3. Dual-acceptor doped p-ZnO:(As,Sb)/n-GaN heterojunctions grown by PA-MBE as a spectrum selective ultraviolet photodetector
    Autorzy:
    E. Przeździecka, A. Wierzbicka, P. Dłużewski, M. Stachowicz, R.Jakieła, K. Gościński, M.A. Pietrzyk, K. Kopalko, A. Kozanecki
    Czasopismo:
    physica status solidi (a) (rok: 2014, tom: 211, strony: 2072–2077), Wydawca: Wiley Online Library
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1002/pssa.201300758 - link do publikacji
  4. Abundant Acceptor Emission from Nitrogen-Doped ZnO Films Prepared by Atomic Layer Deposition under Oxygen-Rich Conditions
    Autorzy:
    E. Guziewicz, E. Przezdziecka, D. Snigurenko, D. Jarosz, B. S. Witkowski, P. Dluzewski, and W. Paszkowicz
    Czasopismo:
    ACS APPLIED MATERIALS & INTERFACES (rok: 2017, tom: 9, strony: 26143), Wydawca: American Chemical Society
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1021/acsami.7b04127 - link do publikacji
  5. Arsenic chemical state in MBE grown epitaxial ZnO layers – doped with As, N and Sb
    Autorzy:
    Przezdziecka E, Lisowski W, Jaiela R, Sobczak JW, Jablonski A, Pietrzyk MA, Kozanecki A
    Czasopismo:
    Journal of Alloys and Compounds (rok: 2016, tom: 687, strony: 937-942), Wydawca: ELSEVIER
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1016/j.jallcom.2016.06.213 - link do publikacji
  6. Electron beam induced current profiling of the p-ZnO:N/n-GaN heterojunction
    Autorzy:
    E. Przeździecka, M.Stachowicz, S. Chusnutdionow, R. Jakieła, A. Kozanecki
    Czasopismo:
    Applied Physics letters (rok: 2015, tom: 106, strony: 62106), Wydawca: American Institute of Physics
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1063/1.4908291 - link do publikacji
  7. Photoluminescence investigation of the carrier recombination processes in N-doped and undoped ZnO ALD films grown at low temperature
    Autorzy:
    E. Przezdziecka, E. Guziewicz, B.S. Witkowski
    Czasopismo:
    Journal of Luminescence (rok: 2018, tom: 198, strony: 68-76), Wydawca: ELSEVIER
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1016/j.jlumin.2018.02.020 - link do publikacji
  8. I nfluence of oxygen - rich and zinc - rich conditions on donor and acceptor states and conductivity mechanism of ZnO films grown by ALD - experimental studies
    Autorzy:
    E. Przeździecka, E. Guziewicz, D. Jarosz, D. Sinigurenko, A. Sulich, P. Sybilski, R. Jakiela, W. Paszkowicz
    Czasopismo:
    Applied Physics Reviews (rok: 2019, tom: brak, strony: brak), Wydawca: AIP
    Status:
    Złożona
    Doi:
    brak - link do publikacji
  9. Deep levels in the MBE ZnO:As/n-GaN diodes - Photoluminescence, electrical properties and deep level transient spectroscopy
    Autorzy:
    E. Zielony, E. Przezdziecka, E. Placzek-Popko, W. Lisowski, M. Stachowicz, K.M. Paradowska, R. Jakieła, A. Kozanecki
    Czasopismo:
    Journal of Alloys and Compounds (rok: 2018, tom: 742, strony: 296-303), Wydawca: ELSEVIER
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1016/j.jallcom.2018.01.250 - link do publikacji
  10. The p -ZnO:N/ i -Al 2 O 3 / n -GaN heterostructure—electron beam induced profiling, electrical properties and UV detectivity
    Autorzy:
    Przezdziecka E, Chusnutdinow S, Guziewicz E, Singurenko D, Satchowicz M, Kopako K, Kozanecki A
    Czasopismo:
    Journal of Physics D: Applied Physics (rok: 2015, tom: 48, strony: 325105), Wydawca: IOP PUBLISHING LTD
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1088/0022-3727/48/32/325105 - link do publikacji
  11. Effect of annealing on photoluminescence and Raman scattering of Sb-doped ZnO epitaxial layers grown on a-Al2O3
    Autorzy:
    K.M. Paradowska, E. Przeździecka, E. Płaczek-Popko, E. Zielony, M. Stachowicz , A. Kozanecki
    Czasopismo:
    Journal of Alloys and Compounds (rok: 2019, tom: 774, strony: 1160-1167), Wydawca: Elseviere
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1016/j.jallcom.2018.09.379 - link do publikacji
  1. Nitrogen Doped ZnO: From p-Type Layer to a Diode
    Autorzy:
    Ewa Przeździecka, Marcin Stachowiicz, Danuta Dobosz, Rafal Jakiela, Aleksandra Wierzbicka, Mieczyslaw A. Pietrzyk, Jacek M. Sajkowski and Adrian Kozanecki
    Konferencja:
    8th International Workshop on Zinc Oxide and Related Materials (rok: 2014, ), Wydawca: brak
    Data:
    konferencja 7-11 wrzesen
    Status:
    Opublikowana
  2. Raman spectroscopy of epitaxial Zn Mg O layers 1-x x doped with V-group elements grown by MBE
    Autorzy:
    K.M. Paradowska, E. Przezdziecka, E. Placzek-Popko, K. Gwozdz, M. Stachowicz, J.Sajkowski, J. Dyczewski, A. Kozanecki
    Konferencja:
    45th "Jaszowiec" International School and Conferences on the Physics of Semiconductors (rok: 2016, ), Wydawca: brak
    Data:
    konferencja Czerwiec 18-24
    Status:
    Opublikowana
  3. The UV detectors based on p-n and p-i-n heterostructures (p-ZnO, n-GaN and i-Al2O3): electrical and optical properties
    Autorzy:
    E. Przeździecka, S. Chusnutidinow, M. Stachowicz, D. Snigurenko, R. Schifano
    Konferencja:
    44th "Jaszowiec" International School&Conference on the Physics of Semiconductors (rok: 2015, ), Wydawca: brak
    Data:
    konferencja Czerwiec 20-25
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    link do publikacji
  4. ZnO:Sb MBE layer – growth on polar and nopolar directions
    Autorzy:
    E. Przeździecka, A. Wierzbicka, K. Paradowska, W. Lisowski, R. Jakieła, M. Stachowicz, E. Płaczek-Popko, A. Kozanecki
    Konferencja:
    E-MRS Fall Meeting (rok: 2017, ), Wydawca: brak
    Data:
    konferencja 18-21 wrzesnia
    Status:
    Opublikowana
  5. p-ZnO:N/n-GaN diode obtained by PA-MBE
    Autorzy:
    Przezdziecka E, Stachowicz M, Dobosz D, Jakiela R, Wierzbicka A, Chusnutdinow S,Pietrzyk MA, Sajkowski JM, Kozanecki A
    Konferencja:
    European Materials Research Society (rok: 2014, ), Wydawca: brak
    Data:
    konferencja 15-19 Wrzesnia
    Status:
    Opublikowana
  6. The effect of annealing on Raman scattering of Sb-doped ZnO epitaxial layers grown on a-Al2O3
    Autorzy:
    K. M. Paradowska, E. Przeździecka, E. Płaczek-Popko, E. Zielony, M.Stachowicz, A. Kozanecki
    Konferencja:
    47th International School & Conference on the Physics of Semiconductors "Jaszowiec 2018" (rok: 2018, ), Wydawca: 47thInternational School & Conference on the Physics of Semiconductors, Szczyrk, Poland, June 16th -22nd, 2018
    Data:
    konferencja 16-22 czerwiec
    Status:
    Opublikowana
  7. Defects analysis in ZnO samples doped by V-group elements
    Autorzy:
    E. Przeździecka, W. Lisowski, E. Zielony, M. Stachowicz, J. W. Sobczak, K. Paradowska, A. Wierzbicka, A. Jabłoński, E. Płaczek-Popko, A. Kozanecki
    Konferencja:
    9th International Workshop on Zinc Oxide and Related Materials IWZnO (rok: 2016, ), Wydawca: brak
    Data:
    konferencja 30pazdziernik-2listopad
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    link do publikacji
  8. Electrical and optical properties of PA-MBE p-ZnO:As/n-GaN heterojunctions for photovoltaic applications
    Autorzy:
    E. Zielony, E. Przezdziecka, E. Placzek-Popko, K. Paradowska, K. Gwozdz, M. Stachowicz, Wojciech Lisowski, A. Kozanecki
    Konferencja:
    E-MRS Spring Meeting (rok: 2017, ), Wydawca: brak
    Data:
    konferencja 16-22 maj
    Status:
    Opublikowana
  9. Nitrogen doped ZnO: from p-type layer to a diode
    Autorzy:
    E Przeździecka, M. Stachowicz, D. Dobosz, R. Jakieła, D. Jarosz, A. Wierzbicka, K. Kopalko, M. A. Pietrzyk, J. M. Sajkowski, A. Kozanecki
    Konferencja:
    43th "Jaszowiec" International School&Conference on the Physics of Semiconductors (rok: 2014, ), Wydawca: brak
    Data:
    konferencja 7-12 czerwiec
    Status:
    Opublikowana
  10. Selektywne detektory promieniowania UV na bazie heterozłączy ZnO/GaN
    Autorzy:
    E. Przeździecka, M. Stachowicz, S. Chusnutdinow, D. Snigurenko, S. Gierałtowska, A. Kozanecki
    Konferencja:
    XIV KRAJOWA KONFERENCJA ELEKTRONIKI (rok: 2015, ), Wydawca: brak
    Data:
    konferencja 08 – 12.06.2015
    Status:
    Opublikowana
  11. Zinc oxide based heterostructures: electro-optical characteristics and detector application
    Autorzy:
    E. Przeździecka, R. Schifano, E. Guziewicz, M. Guziewicz, T. A. Krajewski, S. Chusnutdinow, W. Jung, A. Wierzbicka, J. Z. Domagała, M. Stachowicz, A. Kozanecki
    Konferencja:
    33rd International Conference on the Physics of Semiconductors (ICPS 2016), Beijing, China (rok: 2016, ), Wydawca: brak
    Data:
    konferencja 31czerwiec-5lipiec
    Status:
    Opublikowana
  12. Electrical properties, and Optical properties of p-n and p-i-n heterostructures based on p-ZnO, n-GaN and i-Al2O3
    Autorzy:
    E. Przeździecka, S. Chusnutidinow, M. Stachowicz, E. Guziewicz, D. Snigurenko, K. Kopalko, R. Jakieła, A. Kozanecki
    Konferencja:
    17th International Conference on II-VI Compounds and Related Materials (rok: 2015, ), Wydawca: brak
    Data:
    konferencja 13-18 Wrzesien (2015)
    Status:
    Opublikowana
  13. PA-MBE Zn(Mg)O samples doped by one, two or three acceptors (As, N, Sb)- electronic structure, optical and electrical properties
    Autorzy:
    E. Przezdziecka, W. Lisowski, M. Stachowicz, A. Wierzbicka, A. Reszka, R. Jakiela, M. A. Pietrzyk, J. W. Sobczak, A. Jablonski, A. Kozanecki
    Konferencja:
    8th International Workshop on Zinc Oxide and Related Materials (IWZnO 2014) (rok: 2014, ), Wydawca: brak
    Data:
    konferencja 7-11 wrzesnia
    Status:
    Opublikowana
  14. Selective UV Photodetectors based on ZnO
    Autorzy:
    E. Przeździecka, R. Schifano, S. Chusnutidinow, E. Guziewicz, M. Guziewicz, A. Kozanecki
    Konferencja:
    E-MRS Fall Meeting 2016 (rok: 2016, ), Wydawca: brak
    Data:
    konferencja Wrzesien 19-22
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    link do publikacji
  15. The heterostructures (ZnO, n-GaN and i-Al2O3, i-HfO2)- electrical and sensor properties
    Autorzy:
    E. Przeździecka, S. Chusnutdinow, R. Schifano, E. Guziewicz, A. Reszka, M. Stachowicz, D. Snigurenko, A. Kozanecki
    Konferencja:
    International Conference on Nanophotonics (ICNP 2016), Taipei, Taiwan (rok: 2016, ), Wydawca: brak
    Data:
    konferencja 21-25 Marzec
    Status:
    Opublikowana
  16. As-N, As-Sb dual acceptor doping in PA-MBE ZnO samples - electronic structure, optical and electrical properties
    Autorzy:
    Przezdziecka E, Lisowski W, Stachowicz M, Wierzbicka A, Reszka A, Jakiela R, Pietrzyk MA, Sobczak JW, Jablonski A, Kozanecki A
    Konferencja:
    European Materials Research Society (rok: 2014, ), Wydawca: brak
    Data:
    konferencja 15-19 wrzesnia
    Status:
    Opublikowana
  17. Characterization and photoresponse of ZnO based heterostructures
    Autorzy:
    Przezdziecka E, Schifano R, Chusnutidinow S, Krajewski TA, Guziewicz E, Guziewicz M, Stachowicz M, Kozanecki A
    Konferencja:
    9th International Workshop on Zinc Oxide and Related Materials (IWZnO 2016) (rok: 2016, ), Wydawca: brak
    Data:
    konferencja 30 pazdziernik-2listopad
    Status:
    Opublikowana
  18. Compariosn of [p-Zn(Mg)O /i-oxide/ n-wide band gap semiconductors] heterojunction grown by PA-MBE
    Autorzy:
    E. Przezdziecka, M. Stachowicz , E. Guziewicz, D. Snigurenko, M. Guziewicz,A. Wierzbicka, K. Kopalko, A. Kozanecki
    Konferencja:
    8th International Workshop on Zinc Oxide and Related Materials (IWZnO 2014) (rok: 2014, ), Wydawca: brak
    Data:
    konferencja 7-11 wrzesien
    Status:
    Opublikowana
  19. Structural studies of PA-MBE ZnO layers doped with antimony
    Autorzy:
    K.M. Paradowska, E. Przeździecka, E. Zielony, A. Wierzbicka, M. Stachowicz, R. Jakieła,W. Lisowski, A. Reszka, E. Placzek-Popko, A. Kozanecki
    Konferencja:
    47th International School & Conference on the Physics of Semiconductors "Jaszowiec 2017" (rok: 2017, ), Wydawca: brak
    Data:
    konferencja Czerwiec 15-22
    Status:
    Opublikowana
  20. The p-n and p-i-n heterostructures (p-ZnO, n-GaN and i-Al2O3, i-HfO2)- electrical and sensor properties
    Autorzy:
    E. Przeździecka, S. Chusnutidinow, D. Snigurenko, M.A. Pietrzyk, K. Kopalko, E. Guziewicz, A. Kozanecki
    Konferencja:
    14th International Union of Materials Research Societies - International Conference on Advanced Materials (rok: 2015, ), Wydawca: brak
    Data:
    konferencja 25-29 Października 2015
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    link do publikacji
  21. Zinc oxide based heterostructures as highly selective UV detectors
    Autorzy:
    E. Przeździecka, R. Schifano, S. Chusnutidinow, M. Stachowicz, T. A. Krajewski, E. Guziewicz, M. Guziewicz, A. Kozanecki
    Konferencja:
    Energy Materials Nanotechnology Prague Meeting 2016 ( EMN 2016) (rok: 2016, ), Wydawca: brak
    Data:
    konferencja 21-24.06.2016
    Status:
    Opublikowana

O Narodowym Centrum Nauki

Finansowanie nauki

Współpraca zagraniczna

Centrum prasowe

Deklaracja dostępności
Przetwarzanie danych osobowych
Polityka cookies

Partnerzy