Projekty finansowane przez NCN
Wyznaczanie energetycznego rozkładu gęstości stanów elektronowych na granicy fazowej dielektryk/półprzewodnik w strukturze metal/Al2O3/AlGaN/GaN metodą pomiaru fotopojemności w funkcji natężenia światła wzbudzającego.
2012/07/N/ST7/03336
Słowa kluczowe:
stany powierzchniowe azotek galu półprzewodniki grupy III-V struktury MIS fotopojemność półprzewodniki szerokoprzerwowe
Deskryptory:
- ST7_2: Elektrotechnika, elektronika: półprzewodniki, elementy i układy, systemy
- ST7_5: Mikro- i nanoelektronika, optoelektronika
Panel:
ST7 - Inżynieria systemów i komunikacji: elektronika, komunikacja, optoelektronika
Jednostka realizująca:
Politechnika Śląska, Instytut Fizyki - Centrum Naukowo-Dydaktyczne
woj. śląskie
Konkurs: PRELUDIUM 4 - ogłoszony 2012-09-15
Przyznana kwota: 49 000 PLN
Rozpoczęcie projektu: 2013-09-26
Zakończenie projektu: 2014-09-25
Planowany czas trwania projektu: 12 miesięcy (z wniosku)
Status projektu: Projekt rozliczony
Dane z raportu końcowego/rocznego
- Publikacje w czasopismach (1)
- Teksty w publikacjach pokonferencyjnych (1)
- Publikacje książkowe (1)
- Disorder induced gap states as a cause of threshold voltage instabilities in Al2O3/ AlGaN/GaN metal-oxide-semiconductor high-electron-mobility transistors IF: 2,068Autorzy:M. Matys, S. Kaneki, K. Nishiguchi, B. Adamowicz, and T. HashizumeCzasopismo:Journal of Applied Physics (rok: 2017, tom: 122, strony: 224504-1 - 224504-7), Wydawca: American Institute of PhysicsStatus:OpublikowanaDoi:10.1063/1.5000497 - link do publikacji
- Characterization of donor-like states at insulator/AlGaN interface in metal/Al2O3/AlGaN/GaN structuresAutorzy:M. Matys, B. Adamowicz, Y. Hori, T. HashizumeKonferencja:15th Int. Conference on Defects Recognition, Imaging and Physics in Semiconductors, Warsaw (rok: 2013, ), Wydawca: Institute of Electron Technology, WarsawData:konferencja September 15 – 19Status:Opublikowana
- Przewodnik pracy doktorskiejAutorzy:Maciej MatysKsiążka:Contributions to the Understanding of Electronic Properties of Aluminium Oxide/(Al,Ga)N Interface (rok: 2014, tom: 1, strony: 12420), Wydawca: Uniwersytet Śląski, Instytut Fizyki im. Augusta ChełkowskiegoStatus:Opublikowana