Projekty finansowane przez NCN


Dane kierownika projektu i jednostki realizującej

Szczegółowe informacje o projekcie i konkursie

Słowa kluczowe

Aparatura

Wyczyść formularz

Mikrostrukturalne i chemiczne uwarunkowania akceptorowego i donorowego przewodnictwa tlenku cynku otrzymywanego w niskiej temperaturze

2012/07/B/ST3/03567

Słowa kluczowe:

tlenek cynku osadzanie warstw atomowych właściwości transportowe

Deskryptory:

  • ST3_4: Transport w materii skondensowanej
  • ST3_5: Własności elektronowe materiałów i transportu
  • ST3_7: Półprzewodniki

Panel:

ST3 - Fizyka fazy skondensowanej: struktura, własności elektronowe, płyny, nano-nauka, m.in.:

Jednostka realizująca:

Instytut Fizyki PAN

woj. mazowieckie

Inne projekty tej jednostki 

Kierownik projektu (z jednostki realizującej):

prof. Elżbieta Guziewicz 

Liczba wykonawców projektu: 7

Konkurs: OPUS 4 - ogłoszony 2012-09-15

Przyznana kwota: 687 820 PLN

Rozpoczęcie projektu: 2013-07-11

Czas trwania projektu: 36 miesięcy

Status projektu: Projekt rozliczony

Zakupiona aparatura

  1. Komora reakcyjna ALD (2 szt.). Za kwotę 40 000 PLN
  2. Układ mikroskopowy do precyzyjnego pozycjonowania warstw ZnO podczas pomiarów elektrycznych, umożliwijący pomiary C-V oraz pomiary małych prądów rzędu pA.. Za kwotę 0 PLN
  3. Układ mikroskopowy do precyzyjnego pozycjonowania warstw ZnO podczas pomiarów elektrycznych. Za kwotę 100 000 PLN

Dane z raportu końcowego

  • Publikacje w czasopismach (5)
  1. Abundant Acceptor Emission from Nitrogen-Doped ZnO Films Prepared by Atomic Layer Deposition under Oxygen-Rich Conditions IF: 8,097
    Autorzy:
    E. Guziewicz, E. Przezdziecka, D. Snigurenko, D. Jarosz, B.S. Witkowski, P. Dluzewski, W. Paszkowicz
    Czasopismo:
    ACS Applied Materials & Interfaces (rok: 2017, tom: 9, strony: 26143−26150), Wydawca: American Chemical Society
    Status:
    Opublikowane
    Doi:
    10.1021/acsami.7b04127 - link do publikacji
  2. N and Al co-doping as a way to p-type ZnO without post-growth annealing IF: 1,151
    Autorzy:
    Dymitr Snigurenko, Elzbieta Guziewicz, Tomasz A. Krajewski, Rafal Jakiela, Yevgen Syryanyy, Krzysztof Kopalko and Wojciech Paszkowicz
    Czasopismo:
    Materials Research Express (rok: 2016, tom: 3, strony: 125907 (1-8)), Wydawca: IOP Publishing Ltd
    Status:
    Opublikowane
    Doi:
    10.1088/2053-1591/3/12/125907 - link do publikacji
  3. Electrical and structural characterization of nitrogen doped ZnO layers grown at low temperature by atomic layer deposition IF: 2,28
    Autorzy:
    Vl. Kolkovsky, D. Snigurenko, R. Jakiela, E. Guziewicz
    Czasopismo:
    Semiconductor Science and Technology (rok: 2014, tom: 29, strony: 085006 (6pp)), Wydawca: IOP Publishing
    Status:
    Opublikowane
    Doi:
    10.1088/0268-1242/29/8/085006 - link do publikacji
  4. Nitrogen doped p-type ZnO films and p-n homojunction IF: 2,28
    Autorzy:
    D. Snigurenko, T.A. Krajewski, R. Jakiela, E. Guziewicz
    Czasopismo:
    Semiconductor Science and Technology (rok: 2015, tom: 30, strony: 015001 (6 pp)), Wydawca: IOP Publishing
    Status:
    Opublikowane
    Doi:
    10.1088/0268-1242/30/1/015001 - link do publikacji
  5. XPS study of arsenic doped ZnO grown by Atomic Layer Deposition IF: 3,779
    Autorzy:
    D. Snigurenko, R. Jakiela, E. Guziewicz, E. Przezdziecka, M. Stachowicz, K. Kopalko, A. Barcz, W. Lisowski, J.W. Sobczak, M. Krawczyk, A. Jablonski
    Czasopismo:
    Journal of Alloys and Compounds (rok: 2014, tom: 582, strony: 594-597), Wydawca: Elsevier
    Status:
    Opublikowane
    Doi:
    10.1016/j.jallcom.2013.08.061 - link do publikacji