Projekty finansowane przez NCN


Dane kierownika projektu i jednostki realizującej

Szczegółowe informacje o projekcie i konkursie

Słowa kluczowe

Aparatura

Wyczyść formularz

Mikrostrukturalne i chemiczne uwarunkowania akceptorowego i donorowego przewodnictwa tlenku cynku otrzymywanego w niskiej temperaturze

2012/07/B/ST3/03567

Słowa kluczowe:

tlenek cynku osadzanie warstw atomowych właściwości transportowe

Deskryptory:

  • ST3_4: Transport w materii skondensowanej
  • ST3_5: Własności elektronowe materiałów i transportu
  • ST3_7: Półprzewodniki

Panel:

ST3 - Fizyka fazy skondensowanej: struktura, własności elektronowe, płyny, nano-nauka

Jednostka realizująca:

Instytut Fizyki PAN

woj. mazowieckie

Inne projekty tej jednostki 

Kierownik projektu (z jednostki realizującej):

prof. Elżbieta Guziewicz 

Liczba wykonawców projektu: 7

Konkurs: OPUS 4 - ogłoszony 2012-09-15

Przyznana kwota: 687 820 PLN

Rozpoczęcie projektu: 2013-07-11

Zakończenie projektu: 2017-03-10

Planowany czas trwania projektu: 36 miesięcy (z wniosku)

Status projektu: Projekt rozliczony

Zakupiona aparatura

  1. Komora reakcyjna ALD (2 szt.). Za kwotę 40 000 PLN
  2. Układ mikroskopowy do precyzyjnego pozycjonowania warstw ZnO podczas pomiarów elektrycznych. Za kwotę 100 000 PLN
  3. Układ mikroskopowy do precyzyjnego pozycjonowania warstw ZnO podczas pomiarów elektrycznych, umożliwijący pomiary C-V oraz pomiary małych prądów rzędu pA..

Dane z raportu końcowego

  • Publikacje w czasopismach (5)
  1. Abundant Acceptor Emission from Nitrogen-Doped ZnO Films Prepared by Atomic Layer Deposition under Oxygen-Rich Conditions IF: 8,097
    Autorzy:
    E. Guziewicz, E. Przezdziecka, D. Snigurenko, D. Jarosz, B.S. Witkowski, P. Dluzewski, W. Paszkowicz
    Czasopismo:
    ACS Applied Materials & Interfaces (rok: 2017, tom: 9, strony: 26143−26150), Wydawca: American Chemical Society
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1021/acsami.7b04127 - link do publikacji
  2. XPS study of arsenic doped ZnO grown by Atomic Layer Deposition IF: 3,779
    Autorzy:
    D. Snigurenko, R. Jakiela, E. Guziewicz, E. Przezdziecka, M. Stachowicz, K. Kopalko, A. Barcz, W. Lisowski, J.W. Sobczak, M. Krawczyk, A. Jablonski
    Czasopismo:
    Journal of Alloys and Compounds (rok: 2014, tom: 582, strony: 594-597), Wydawca: Elsevier
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1016/j.jallcom.2013.08.061 - link do publikacji
  3. Electrical and structural characterization of nitrogen doped ZnO layers grown at low temperature by atomic layer deposition IF: 2,28
    Autorzy:
    Vl. Kolkovsky, D. Snigurenko, R. Jakiela, E. Guziewicz
    Czasopismo:
    Semiconductor Science and Technology (rok: 2014, tom: 29, strony: 085006 (6pp)), Wydawca: IOP Publishing
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1088/0268-1242/29/8/085006 - link do publikacji
  4. N and Al co-doping as a way to p-type ZnO without post-growth annealing IF: 1,151
    Autorzy:
    Dymitr Snigurenko, Elzbieta Guziewicz, Tomasz A. Krajewski, Rafal Jakiela, Yevgen Syryanyy, Krzysztof Kopalko and Wojciech Paszkowicz
    Czasopismo:
    Materials Research Express (rok: 2016, tom: 3, strony: 125907 (1-8)), Wydawca: IOP Publishing Ltd
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1088/2053-1591/3/12/125907 - link do publikacji
  5. Nitrogen doped p-type ZnO films and p-n homojunction IF: 2,28
    Autorzy:
    D. Snigurenko, T.A. Krajewski, R. Jakiela, E. Guziewicz
    Czasopismo:
    Semiconductor Science and Technology (rok: 2015, tom: 30, strony: 015001 (6 pp)), Wydawca: IOP Publishing
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1088/0268-1242/30/1/015001 - link do publikacji