Projekty finansowane przez NCN


Dane kierownika projektu i jednostki realizującej

Szczegółowe informacje o projekcie i konkursie

Słowa kluczowe

Aparatura

Wyczyść formularz

Wpływ rozkładu wewnętrznych pól elektrycznych na własności optyczne niskowymiarowych struktur półprzewodników azotkowych - krystalizacja, eksperyment i modelowanie teoretyczne

2012/05/B/ST3/03113

Słowa kluczowe:

azotki studnie kwantowe pola elektryczne luminescencja spektroskopia wysokociśnieniowa

Deskryptory:

  • ST3_7: Półprzewodniki
  • ST3_12: Nanofizyka: nanoelekronika, nanofotonika, nanomagnetyzm

Panel:

ST3 - Fizyka fazy skondensowanej: struktura, własności elektronowe, płyny, nano-nauka

Jednostka realizująca:

Instytut Fizyki PAN

woj. mazowieckie

Inne projekty tej jednostki 

Kierownik projektu (z jednostki realizującej):

dr hab. Agata Kamińska 

Liczba wykonawców projektu: 10

Konkurs: OPUS 3 - ogłoszony 2012-03-15

Przyznana kwota: 598 000 PLN

Rozpoczęcie projektu: 2013-02-25

Zakończenie projektu: 2016-08-24

Planowany czas trwania projektu: 36 miesięcy (z wniosku)

Status projektu: Projekt rozliczony

Zakupiona aparatura

  1. Laptop – do sterowania układem pomiarów kinetyki luminescencji. Za kwotę 5 000 PLN
  2. Monitor do komputera.
  3. Komputer PC z monitorem i drukarką. Za kwotę 5 000 PLN
  4. Subnanosekundowy laser impulsowy YAG:Nd z trzecią harmoniczną, emitujący światło o długości fali 355 nm. Za kwotę 40 000 PLN
  5. Komórka efuzyjna Al do maszyny MBE. Za kwotę 80 000 PLN

Dane z raportu końcowego

  • Publikacje w czasopismach (7)
  • Teksty w publikacjach pokonferencyjnych (16)
  1. High pressure and time resolved studies of optical properties of n-type doped GaN/AlN multi-quantum wells: Experimental and theoretical analysis IF: 2,183
    Autorzy:
    A. Kaminska, D. Jankowski, P. Strak, K. P. Korona, M. Beeler, K. Sakowski, E. Grzanka, J. Borysiuk, K. Sobczak, E. Monroy, S. Krukowski
    Czasopismo:
    Journal of Applied Physics (rok: 2016, tom: 120, strony: 095705-1-9), Wydawca: AIP Publishing
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1063/1.4962282 - link do publikacji
  2. Electric field dynamics in nitride structures containing quaternary alloy (Al, In, Ga)N IF: 2,183
    Autorzy:
    J. Borysiuk, K. Sakowski, P. Drozdz, K. P. Korona, K. Sobczak, G. Muziol, C. Skierbiszewski, A. Kaminska, S. Krukowski
    Czasopismo:
    Journal of Applied Physics (rok: 2016, tom: 120, strony: 015702-1-10), Wydawca: AIP Publishing
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1063/1.4955077 - link do publikacji
  3. Ab initio and experimental studies of polarization and polarization related fields in nitrides and nitride structures IF: 1,444
    Autorzy:
    P. Strak, P. Kempisty, K. Sakowski, A. Kaminska, K. P. Korona, J. Borysiuk, M. Beeler, E. Grzanka, E. Monroy, S. Krukowski
    Czasopismo:
    AIP Advances (rok: 2017, tom: 7, strony: 015027-1-26), Wydawca: AIP Publishing
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1063/1.4974249 - link do publikacji
  4. Correlation of optical and structural properties of GaN/AlN multi-quantum wells - Ab initio and experimental study IF: 2,183
    Autorzy:
    A. Kaminska, P. Strak, J. Borysiuk, K. Sobczak, J. Z. Domagala, M. Beeler, E. Grzanka, K. Sakowski, S. Krukowski, E. Monroy
    Czasopismo:
    Journal of Applied Physics (rok: 2016, tom: 119, strony: 015703-1-10), Wydawca: AIP Publishing
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1063/1.4939595 - link do publikacji
  5. Influence of pressure on the properties of GaN/AlN multi-quantum wells - ab initio study IF: 1,853
    Autorzy:
    Pawel Strak, Konrad Sakowski, Agata Kaminska, Stanislaw Krukowski
    Czasopismo:
    Journal of Physical and Chemistry of Solids (rok: 2016, tom: 93, strony: 100-117), Wydawca: Elsevier (A. Bansil)
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1016/j.jpcs.2016.02.014 - link do publikacji
  6. Doping effects in InN/GaN short-period quantum well structures — Theoretical studies based on density functional methods IF: 1,693
    Autorzy:
    Pawel Strak, Pawel Kempisty, Konrad Sakowski, Stanislaw Krukowski
    Czasopismo:
    Journal of Crystal Growth (rok: 2014, tom: 401, strony: 652-656), Wydawca: Elsevier (T.F. Kuech)
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1016/j.jcrysgro.2014.01.069 - link do publikacji
  7. Experimental and first-principles studies of high-pressure effects on the structural, electronic and optical properties of semiconductors and lanthanide doped solids IF: 1,384
    Autorzy:
    80.M. G. Brik, S. Mahlik, D. Jankowski, P. Strak, K. P. Korona, E. Monroy, S. Krukowski, A. Kaminska
    Czasopismo:
    Japanese Journal of Applied Physics (rok: 2017, tom: 56, strony: 05FA02-1-17), Wydawca: IOP Publishing Ltd on behalf of the Japan Society of Applied Physics
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.7567/JJAP.56.05FA02 - link do publikacji
  1. Comparison of localization effects in AlGaN layers and GaN/AlN multi-quantum-wells
    Autorzy:
    K. Koronski, A. Kaminska, D. Jankowski, P. Strak, M. Sobanska, A. Wierzbicka, K. Klosek, Z. R. Zytkiewicz, E. Grzanka, M. Beeler, J. Borysiuk, K. P. Korona, P. A. Drozdz, K. Sakowski, E. Monroy, S. Krukowski
    Konferencja:
    45th "Jaszowiec" International School and Conference on the Physics of Semiconductors (rok: 2016, ), Wydawca: IF PAN
    Data:
    konferencja 18-24 czerwca
    Status:
    Opublikowana
  2. Experimental and ab initio comparative study of optical properties of binary GaN/AlN multi-quantum wells
    Autorzy:
    A. Kamińska, P. Strak, J. Borysiuk, K. Sobczak, J. Z. Domagala, E. Grzanka, M. Beeler, K. Sakowski, E. Monroy, S. Krukowski
    Konferencja:
    The Fifth International Workshop on Advanced Spectroscopy and Optical Materials (IWASOM 2015) (rok: 2015, ), Wydawca: Uniwersytet Gdański
    Data:
    konferencja 19-24 lipca
    Status:
    Opublikowana
  3. High pressure and time resolved study of emission properties of GaN/AlN multiquantum wells - experimental and ab-initio analysis
    Autorzy:
    A. Kamińska, D. Jankowski, P. Strak, K. P. Korona, J. Borysiuk, E. Grzanka, M. Beeler, K. Sakowski, E. Monroy, S. Krukowski
    Konferencja:
    E-MRS Fall Meeting (rok: 2016, ), Wydawca: European Materials Research Society
    Data:
    konferencja 19-22 września
    Status:
    Opublikowana
  4. High-Pressure Study of Radiative Recombination Processes in Nitride Semiconductor Structures
    Autorzy:
    A. Kamińska
    Konferencja:
    BIT's 3rd Annual World Congress of Advanced Materials-2014 (WCAM-2014) (rok: 2014, ), Wydawca: BIT Congress Inc.
    Data:
    konferencja 6-9 czerwca
    Status:
    Opublikowana
  5. Indium Segregation During Growth of InAlN Layers - TEM observations
    Autorzy:
    J. Borysiuk, K. Sobczak, A. Kamińska, E. Jezierska, A. Yamamoto, H. P. D. Schenk, T. Suski
    Konferencja:
    XV International Conference on Electron Microscopy (rok: 2014, ), Wydawca: ISBN 978-83-63663-48-3 Wydawnictwo Naukowe Akapit
    Data:
    konferencja 5-18 września
    Status:
    Opublikowana
  6. Comparative study of pressure-induced increase of internal electric fields in near-lattice-matched GaN/AlInN and ZnO/ZnMgO quantum wells
    Autorzy:
    A. Kamińska, H. Teisseyre, T. Suski, S. Birner, J.-F.Carlin, N. Grandjean, A. Kozanecki, A. Suchocki
    Konferencja:
    The Fifth International Workshop on Advanced Spectroscopy and Optical Materials (IWASOM 2015) (rok: 2015, ), Wydawca: Uniwersytet Gdański
    Data:
    konferencja 19-24 lipca
    Status:
    Opublikowana
  7. Determination of internal electric fields in binary GaN/AlN multi-quantum wells: experimental and ab initio comparative study
    Autorzy:
    A. Kamińska, P. Strąk, J. Borysiuk, J. Z. Domagała, E. Grzanka, M. Beeler, K. Sakowski, E. Monroy, S. Krukowski
    Konferencja:
    44th "Jaszowiec" International School and Conference on the Physics of Semiconductors (rok: 2015, ), Wydawca: IF PAN
    Data:
    konferencja 20-25 czerwca
    Status:
    Opublikowana
  8. Experimental and theoretical analysis of electric field effects in GaN/AlN multi-quantum wells - high pressure and time resolved study
    Autorzy:
    A. Kaminska, D. Jankowski, P. Strak, K. P. Korona, J. Borysiuk, E. Grzanka, M. Beeler, K. Sakowski, E. Monroy, S. Krukowski
    Konferencja:
    The 17th International Conference on High Pressure in Semiconductor Physics (HPSP-17) & Workshop on High-pressure Study on Superconducting (WHS) (rok: 2016, ), Wydawca: University of Tokyo
    Data:
    konferencja 8-11 sierpnia
    Status:
    Opublikowana
  9. Optical properties of GaN/AlN multi-quantum wells under high hydrostatic pressure: experimental investigations and ab initio study
    Autorzy:
    A. Kaminska, P. Strak, J. Borysiuk, J. Z. Domagala, E. Grzanka, M. Beeler, K. Sakowski, E. Monroy, S. Krukowski
    Konferencja:
    11th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-11) (rok: 2015, ), Wydawca: University of Beijing
    Data:
    konferencja 30 sierpnia-4 września
    Status:
    Opublikowana
  10. Strain distribution in GaN/AlN multi quantum wells studied by X-ray diffraction and photoluminescence
    Autorzy:
    A. Wierzbicka, A. Kamińska, K. Sobczak, J. Borysiuk, D. Jankowski, K. Koronski, M. Sobanska, K. Klosek, Z. R. Zytkiewicz
    Konferencja:
    E-MRS Fall Meeting (rok: 2016, ), Wydawca: European Materials Research Society
    Data:
    konferencja 19-22 września
    Status:
    Opublikowana
  11. Emission properties of GaN/AlN multiquantum wells under high hydrostatic pressure - experimental and ab-initio comparative study
    Autorzy:
    A. Kaminska, D. Jankowski, P. Strak, K. P. Korona, J. Borysiuk, E. Grzanka, M. Beeler, K. Sakowski, E. Monroy, S. Krukowski
    Konferencja:
    19th International Conference on Dynamical Processes in Excited States of Solids (DPC'16) (rok: 2016, ), Wydawca: Chimie Paris Tech
    Data:
    konferencja 17-22 lipca
    Status:
    Opublikowana
  12. Experimental and ab-initio study of electric field effects in GaN/AlN multi-quantum-wells at ambient and high hydrostatic pressure
    Autorzy:
    D. Jankowski, A. Kaminska, P. Strak, K. P. Korona, J. Borysiuk, E. Grzanka, M. Beeler, K. Sakowski, E. Monroy, S. Krukowski
    Konferencja:
    45th "Jaszowiec" International School and Conference on the Physics of Semiconductors (rok: 2016, ), Wydawca: IF PAN
    Data:
    konferencja 18-24 czerwca
    Status:
    Opublikowana
  13. Pressure influence on the optical properties of GaN/AlN multi-quantum wells - experimental investigations
    Autorzy:
    A. Kaminska, P. Strak, J. Borysiuk, J. Z. Domagala, E. Grzanka, M. Beeler, E. Monroy, S. Krukowski
    Konferencja:
    The Joint AIRAPT-25th & EHPRG-53rd International Conference on High Pressure Science and Technology (rok: 2015, ), Wydawca: The Malta-Consolider
    Data:
    konferencja 30 sierpnia-4 września
    Status:
    Opublikowana
  14. Comparison of pressure-induced piezoelectric effects in near-lattice-matched GaN/AlInN and ZnO/ZnMgO quantum wells
    Autorzy:
    A. Kamińska, H. Teisseyre, T. Suski, S. Birner, J.-F. Carlin, N. Grandjean, A. Kozanecki, A. Suchocki
    Konferencja:
    The International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN 2014) (rok: 2014, ), Wydawca: Institute of High Pressure Physics PAS
    Data:
    konferencja 24-29 sierpnia
    Status:
    Opublikowana
  15. GaN nanowires on Si(111) substrates for gas sensor applications
    Autorzy:
    K. Klosek, M. Sobanska, Z. R. Zytkiewicz, A. Wierzbicka, R. Kruszka, K. Golaszewska, M. Setkiewicz, T. Pustelny
    Konferencja:
    3rd International Conference "Nanotechnologies" (Nano - 2014) (rok: 2014, ), Wydawca: ISBN 978-9941-20-478-4, Publishing House "Technical University"
    Data:
    konferencja 20-24 października
    Status:
    Opublikowana
  16. Influence of superlattices period thickness on strain distribution in GaN/AlN multi-quantum-wells
    Autorzy:
    A. Wierzbicka, A. Kaminska, J. Borysiuk, D. Jankowski, K. Koronski, M. Sobanska, K. Klosek, Z. R. Zytkiewicz
    Konferencja:
    45th "Jaszowiec" International School and Conference on the Physics of Semiconductors (rok: 2016, ), Wydawca: IF PAN
    Data:
    konferencja 18-24 czerwca
    Status:
    Opublikowana