Badanie procesów termicznych w diodach laserowych na azotku galu przy wykorzystaniu spektroskopii termoodbiciowej
2011/03/D/ST7/03093
Słowa kluczowe
Deskryptory
- ST7_5: Mikro- i nanoelektronika, optoelektronika
Panel
ST7 – Inżynieria systemów i komunikacji: elektronika, komunikacja, optoelektronika
Jednostka realizująca
Instytut Technologii Elektronowej
woj. mazowieckie
Kierownik projektu (z jednostki realizującej)
Liczba wykonawców projektu: 5
Konkurs
SONATA 2 – ogłoszony 2011-09-15
- Przyznana kwota
- 466 060 PLN
- Rozpoczęcie projektu
- 2012-09-17
- Zakończenie projektu
- 2016-06-16
- Planowany czas trwania projektu
- 45 miesięcy (z wniosku)
- Status projektu
- Projekt rozliczony
Zakupiona aparatura
- Elementy konstrukcyjne układu pomiarowego. Za kwotę 30 000 PLN
- Elementy opto - mechaniczne. Za kwotę 30 000 PLN
- Generator funkcyjny. Za kwotę 6 000 PLN
- Komputer do obróbki i analizy danych. Za kwotę 7 000 PLN
- Kontroler temperatury. Za kwotę 17 000 PLN
- Laser próbkujący długość fali 355nm, 10 mW. Za kwotę 36 728 PLN
- Peltiery, czujniki temperatury, pasty termiczne. Za kwotę 3 000 PLN
- Stoliki przesuwne z dużą rozdzielczością przestrzenną -. Za kwotę 10 276 PLN
- Zasilacz laserowy. Za kwotę 30 103 PLN
- Zestaw chłodzenia wodnego. Za kwotę 1 000 PLN
- Zestaw filtrów optycznych- część I. Za kwotę 5 000 PLN
Dane z raportu końcowego/rocznego
Publikacje w czasopismach (3)
-
Examination of thermal properties and degradation of InGaN - based diode lasers by thermoreflectance spectroscopy and focused ion beam etching
- Autorzy:
- Dorota Pierścińska, Kamil Pierściński, Mariusz Płuska, Łucja Marona,Przemysław Wiśniewski, Piotr Perlin and Maciej Bugajski
- Czasopismo:
- AIP ADVANCES (rok: 2017, tom: 7, strony: 075107-075107-10), Wydawca: AIP Publishing
- Status:
- Opublikowana
- DOI:
- 10.1063/1.4990867 – link do publikacji
-
High-resolution mirror temperature mapping in GaN-based diode lasers by thermoreflectance spectroscopy
- Autorzy:
- D. Pierścińska*, Ł. Marona, K. Pierściński, P. Wiśniewski, P. Perlin, M. Bugajski
- Czasopismo:
- Japanese Journal of Applied Physics- Rapid communication (rok: 2017, tom: 56, strony: 4), Wydawca: IOP Science
- Status:
- Opublikowana
- DOI:
- 10.7567/JJAP.56.020302 – link do publikacji
-
Thermoreflectance spectroscopy—Analysis of thermal processes in semiconductor lasers
- Autorzy:
- D.Pierścińska
- Czasopismo:
- Journal of Physics D: Applied Physics - TOPICAL REVIEW (rok: 2018, tom: 51, strony: 013001(pp25)), Wydawca: IOP Publishing
- Status:
- Opublikowana
- DOI:
- 10.1088/1361-6463/aa9812 – link do publikacji
Teksty w publikacjach pokonferencyjnych (2)
-
Thermal properties and degradation mechanisms of InGaN - based diode lasers investigated by thermoreflectance spectroscopy and focused ion beam etching
- Autorzy:
- D. Pierścińska, K. Pierściński, M. Płuska, Ł. Marona, P. Wiśniewski, P. Perlin and M. Bugajski
- Konferencja:
- 7th Workshop on Physics and Technology of Semiconductor Lasers Kraków (rok: 2017, strony: 2), Wydawca: 7th Workshop on Physics and Technology of Semiconductor Lasers Kraków
- Data:
- konferencja 15-18 October
- Status:
- Opublikowana
-
Facet temperature measurements of GaN-based laser diodes using thermoreflectance spectroscopy
- Autorzy:
- Dorota Pierścinska, Kamil Pierścinski, Lucja Marona, Przemyslaw Wiśniewski, Piotr Perlin and Maciej Bugajski
- Konferencja:
- SPIE PHOTONICS WEST (rok: 2017, strony: 1), Wydawca: Published in SPIE Proceedings Vol. 10104: Gallium Nitride Materials and Devices XII
- Data:
- konferencja 28.01-02.02.
- Status:
- Opublikowana